黄卫东
- 作品数：16 被引量：89H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 电子封装塑封材料中水的形态被引量：20
- 2002年
- 利用实验和Fick扩散方程模拟塑封材料对水的吸收过程,得到水汽在塑封材料中的扩散系数和饱和浓度. 塑封材料中的水分子存在于高分子链围成的微孔洞中,并与高分子聚合物以氢键相连. 当塑封材料中水汽浓度达到饱和时,在水分子进入的有效体积内,水汽的密度为标准状态下水蒸气密度的100倍,为液态水密度的8％,这表明在塑封材料中水分子以一种特殊的液态水形态存在. 在一定的水汽浓度下,在界面处的微孔洞中水气液两相共存. 在两相共存的微孔洞中由于水分子争夺高分子的氢键使高分子与芯片表面的二氧化硅层的结合减弱,逐步扩展形成可以观察到的分层.
- 彩霞黄卫东徐步陆程兆年
- 关键词：电子封装塑封材料吸水塑料封装环氧树脂
- 有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装被引量：18
- 2003年
- 利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术,采用不同的沉积条件(20～180℃的基板温度范围和10～30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加,氮化硅薄膜的密度、折射率和Si/N比相应增加,而沉积速率和H含量相应减少;随着射频功率的增加,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si/N比相应增加,而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃,所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件(OLED)的封装。
- 黄卫东王旭洪盛玫徐立强Frank Stubhan罗乐冯涛王曦张富民邹世昌
- 关键词：有机发光器件氮化硅薄膜等离子体化学气相沉积封装OLED
- 高密度电子封装材料基础研究
- 程兆年王国忠彩霞徐步陆黄卫东
- 高密度电子封装是目前集成电路发展的一个瓶颈问题。该项目从连续介质力学角度出发，基于塑性变形和蠕变变形产生于同一机制即位错运动，建立统一型粘塑性本构方程来研究SnPb焊料的形变行为；建立了统一型本构方程，通过有限元模拟建立...
- 关键词：
- 关键词：电子封装材料
- 封装对MEMS高G值传感器性能的影响被引量：15
- 2002年
- 以一种新型高G值MEMS加速度传感器为例进行有限元模拟,将实际封装简化为一种最简单的封装结构,进行频域分析和时域分析,讨论粘结传感器芯片和封装基体的封接材料对其输出信号的影响。频域分析表明,封接材料的杨氏模量对封装后加速度传感器整体的振动模态的影响很大,封接胶的杨氏模量很小时会致使加速度传感器的信号失真,模拟表明可选用杨氏模量足够高的环氧树脂类作高G值传感器的封接材料。时域分析静态模拟表明,封接材料的杨氏模量对最大等效应力、最大正应力以及沿加载垂直方向的正应力的最大值与最小值基本无影响。时域分析动态模拟表明,随着封接材料杨氏模量的提高,动态模拟输出的悬臂梁末端节点位移的波形和经数字滤波后输出的信号变好,封接材料的杨氏模量不影响输出信号的频率和均值,在加速度脉冲幅值输入信号变化时,悬臂梁末端位移平均值输出信号与输入有良好的线性关系。
- 黄卫东彩霞徐步陆程兆年
- 关键词：封装频域分析时域分析MEMS
- Flip Chip BGA封装的热/机械性能设计及Low K芯片引线键合机器控制参数的计算机优化
- Flip Chip技术未来挑战涉及基板技术、凸点制作、贴装工艺、回流焊工艺、底充胶工艺、热设计及电设计等方面。其产品实现的产业基础包括工程能力、材料基础、制程能力及工程师和研发人员的经验积累等。这项技术正在不断创新以实现...
- 黄卫东
- 关键词：FLIP
- 文献传递
- 板上芯片固化后残余应力分布的有限元模拟被引量：6
- 2003年
- 用有限元模拟研究了板上芯片固化后残余应力的分布 .在 FR4及陶瓷分别作基板的两种情况下 ,残余应力分布最显著的差异是等效应力分布不同 .讨论了基板厚度及粘合胶厚度对残余应力的影响 ,表明采用陶瓷基板时增加粘合胶的厚度以降低残余应力来作为低应力封装的一种手段是可行的 .硅压阻传感芯片测量结果与计算机模拟结果的比较表明 ,计算机模拟值与实验测量值比较接近 。
- 黄卫东孙志国彩霞罗乐程兆年
- 关键词：板上芯片残余应力有限元模拟硅压阻传感器
- 板上芯片固化及热处理过程中表面残余应力的演变被引量：4
- 2002年
- 利用硅压阻传感器实时原位地记录粘接剂固化过程中的应力变化和残余应力的分布状况 ,以及在热处理过程中应力的演化过程 .研究表明 ,若粘合剂固化后在空气中储存 2 0天 ,应力将在后续热处理过程中急剧增加 ;而固化后接着经历峰值为 15 0℃左右的热处理过程 ,则可以使残余应力稳定在一个相对低的值 .
- 孙志国张群黄卫东蒋玉齐程兆年罗乐
- 关键词：板上芯片残余应力半导体芯片
- 倒装焊电子封装底充胶分层研究被引量：4
- 2002年
- 使用裂缝尖端附近小矩形路径J积分方法计算电子封装分层传播的能量释放率,并在热循环加载下使用高频超声显微镜技术测定了B型和D型两种倒装焊封装在焊点有无断裂时芯片/底充胶界面的分层裂缝扩展速率。由有限元模拟给出的能量释放率和实验测得的裂缝扩展速率得到可作为倒装焊封装可靠性设计依据的Paris半经验方程。
- 徐步陆张群彩霞黄卫东谢晓明程兆年
- 关键词：电子封装倒装焊有限元模拟能量释放率
- 低成本基板倒装焊底充胶分层裂缝扩展研究
- 2003年
- 采用MIL STD 883C热循环疲劳加载标准 ,通过电学检测方法测定了B型和D型两种倒装焊封装焊点寿命。并使用无损声学C SAM高频超声显微镜技术观测这两种倒装焊封装在焊点有无断裂两种情况时芯片 /底充胶界面的分层和扩展 ,计算得到分层裂缝扩展速率。在有限元模拟中采用粘塑性和时间相关模量描述了SnPb焊点和底充胶的力学行为。使用裂缝尖端附近小矩形路径J积分方法作为断裂力学参量得到不同情况下的界面分层裂缝顶端附近的能量释放率。
- 徐步陆张群彩霞黄卫东谢晓明程兆年
- 关键词：倒装焊底充胶有限元模拟半导体封装技术
- COB封装中芯片在基板不同位置的残余应力被引量：1
- 2002年
- 利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近边的位置和中心位置时应力水平接近,但是靠近基板一角的位置应力较大,而且在热处理过程中应力出现“突跳”和“尖点”。
- 孙志国黄卫东蒋玉齐罗乐
- 关键词：COB封装芯片基板硅压阻传感器残余应力
