黄英龙
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- Au催化GaN纳米线的制备与Mg掺杂研究
- 纳米线、纳米带和纳米棒作为新型的一维材料越来越多引起了人们的研究兴趣。2001年《科学》杂志宣布基于半导体纳米线的纳米电路将是人类科学的一个重大突破。最近《自然》杂志上一篇报道称“无论如何，纳米线、纳米棒和纳米晶须都是纳...
- 黄英龙
- 关键词：GAN纳米线
- 文献传递
- 化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒被引量：3
- 2009年
- 采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜，通过化学气相沉积法（CVD）制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的分析结果表明，采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米线的形貌，纳米线的直径在50～200nm之间，纳米棒的直径在200～800nm之间。
- 王英薛成山庄惠照王邹平张冬冬黄英龙
- 关键词：GAN纳米结构CVD
- 氨化温度对氨化Si基Ga_2O_3/Cr膜制备GaN纳米结构的影响被引量：1
- 2009年
- 采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、傅里叶红外吸收(FTIR)光谱来检测样品的形态,结构和成分,并且讨论了GaN纳米结构的生长机理。研究结果表明,在Cr催化合成GaN纳米结构的过程中,氨化温度对其有重要影响,最佳温度是950℃。
- 王邹平薛成山庄惠照王英张冬冬黄英龙郭永福
- 关键词：GAN纳米线
- Mg掺杂GaN纳米线的结构及其特性被引量：2
- 2009年
- 利用类似Delta掺杂技术在硅衬底上沉积Mg:Ga2O3薄膜,然后在850℃下对薄膜进行氨化,反应后制备出大量Mg掺杂GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行分析.结果表明,Mg掺杂GaN纳米线具有六方纤锌矿单晶结构,纳米线的直径在30-50nm范围内,长度为几十微米.
- 薛成山张冬冬庄惠照黄英龙王邹平王英
- 关键词：氮化镓纳米线单晶
- 氨化Si基Ga_2O_3/V薄膜制备GaN纳米线
- 2008年
- 为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析。研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米。
- 杨兆柱薛成山庄惠照王公堂秦丽霞李红陈金华黄英龙张冬冬
- 关键词：GANV纳米线
- Si基Au催化合成镁掺杂GaN纳米线被引量：1
- 2009年
- 通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线，用金属镁粉末作为掺杂源，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2O3薄膜制备GaN纳米线。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、选区电子衍射（SAED）和能量弥散X射线谱（EDX）的分析结果表明，采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构，纳米线的直径大约在60～100nm之间，纳米线的长约十几个微米。EDX分析表明纳米线掺杂了镁。室温下以325nm波长的光激发样品表面，发现由于镁的掺杂使GaN的发光峰有较大的蓝移。最后，简单讨论了GaN纳米线的生长机制。
- 黄英龙薛成山庄惠照张冬冬王英王邹平郭永福刘文军
- 关键词：磁控溅射GAN纳米线氨化
