俞振中
- 作品数：19 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺天文地球更多>>
- Insb 液相外延层内的两类层错
- 1983年
- 实验表明,IuSb液相外延层内存在着两类层错,即哑铃状层错与杆状层错.对两类层错的形态,结构与相互之间的作用进行了观察.分析表明,哑铃状层错为本征型层错,四周围以Shockley不全位错,而杆状层错很可能为非本征型层错.最后对层错的形成机制进行了讨论.
- 俞振中马可军金刚
- 关键词：层错外延层INSB液相外延
- 一种薄膜晶体生长装置
- 本实用新型提供一种改进的具有二个生长腔体的金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置,由气体供给部分、尾气处理部分、电子控制部分、安全报警部分、反应生长腔体及加热部分组成。其特点是:一个腔体为倒置式生长结构,采用高频加热方式...
- 俞振中马可军何进沈寿珍许平
- 文献传递
- 准平面型InSb光伏列阵红外探测器
- 1984年
- 在台式光敏面基础上,采用SiO_2介质掩蔽,金属膜延伸电极和衬底区超声引焊电极引线,研制成InSb光伏型列阵的准平面型器件。由本工艺制备的器件具有无串音、结阻抗高、反向耐压高、稳定性好等良好性能。
- 俞振中王留福陈新强沈寿珍葛友放胡文军
- 关键词：平面型光敏面串音串话红外探测器INSB
- 垂直浸渍液相外延Hg_(1-x)Cd_xTe的生长及性能
- 1993年
- 本文报导采用汞回流垂直浸渍液相外延方法,在CdTe或CdZnTe(111)面的衬底上生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶,其厚度为20μm,面积为1.5×2cm^2,组分x从0.18到0.7,组分均匀性Δx≈0.001。样品经热处理以后,x=0.2的n型样品电子浓度n≈1×10^(15)cm^(-3),电子迁移率μ≈10~5cm^2/v·s,p型样品空穴浓度p≈2×10^(16)cm^(-3),空穴迁移率μ≈300cm^2/v·s,双晶衍射显示样品的半峰宽为90arc sec,X光貌相分析表明外延层晶体结构优良。样品的红外光谱测量,电学参数测量以及载流子寿命测量表明样品具有优良的光电性质。
- 陈新强褚君浩张恕明张小平俞振中周捷邢思皓蔡琤季华美
- 关键词：晶体生长液相外延碲镉汞
- 一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺
- 一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺，它是在原有的p-n结合面形成、二氧化硅介质隔离、铬金延伸电极的工艺中，引入阳极氧化法，从而克服了原工艺的缺陷，提高了器件成品率和成品器件的性能，做出了64元多元列阵器件。其改进方法不仅适...
- 俞振中陈新强沈寿珍胡文军
- 文献传递
- 长波（8—14um）红外焦平面器件用MoCVDHgCdTe薄膜材料的制备
- 该文在细致分析研制HgcdTe红外焦平面器件如何对晶体材料参数进行选取与控制的基础上，对MoCVD技术生长HgCdTe薄膜材料的技术路线、工艺参数控制、热处理过程等有关内容进行了阐述。文章最后对作者所生长的MoCVD-H...
- 俞振中马可军
- 文献传递
- P型闪锌矿半导体带内光吸收的计算
- 1990年
- 采用Kane模型的重空穴带波函数,导出重空穴带带内跃迁的光吸收理论公式,其结果近似为采用球对称波函数计算结果的一半。
- 黄长河俞振中汤定元
- 关键词：P型闪锌矿半导体
- 区熔法生长掺Sb-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体
- 1990年
- 报道了用区熔法生长掺Sb-Hg(1-x)Cd_xTe晶体的工作,求得其分凝系数为5×10^(-4)。对这种掺杂晶片的电学测量及简单光伏器件制作的结果表明:Sb元素为受主杂质,利用掺Sb-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体作为光伏器件的p型基底材料是可行的。
- 王珏刘激鸣俞振中汤定元
- 关键词：晶体材料
- 金属有机化合物气相沉积技术倒置式生长反应器
- 本实用新型提供了一种金属有机化合物气相沉积技术倒置式生长反应器。在水平式常压开管腔体内,置有石英搁架,外延衬底片放置在搁架上。加热石墨块紧贴衬底,置于衬底片上方。衬底片外延面朝向下面的反应物主气流。在前部的Hg池上方,设...
- 何进俞振中马可军沈寿珍许平
- 文献传递
- 碲镉汞晶体材料的研究与发展
- 汞晶体材料正经历着一个迅速发展的时期。目前这种研究正从企业、国防部门向科研单位转移，正集中于研究材料的光学效应、电磁效应、光磁效应、杂质态、缺陷、晶格动力学、元激发等方面。研究单位和人员迅速增加。因此，无论从研究深度、广...
- 俞振中
- 关键词：半导体晶体红外探测器晶体生长液相外延半导体物理碲化镉
