吴俊辉
- 作品数：12 被引量：83H指数：5
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 铝的多孔阳极氧化自组织过程结晶度依赖特性被引量：17
- 2000年
- 电子束蒸发在硅衬底上的多晶铝膜多孔型阳极氧化得到的多孔列阵排布与体材料单晶 铝氧化结果比较，有序度存在很大差异，导致这种差异的原因，除了氧化时间、应用电压、电解液等 电化学参数外，新引入的结晶度将作为一重要因数影响自组织过程．结晶度的影响主要反映在晶粒 间界区域相比于晶粒内部存在的铝原子浓度和阳极氧化反应速度涨落，这种涨落将通过干扰孔底 电场的分布，对自组织过程产生微扰，由于微扰具有实时和随机性质，将使铝膜阳极氧化不再象体 材铝那样，可以通过单一延长时间来最终改善孔排布的有序度．
- 吴俊辉邹建平濮林朱青鲍希茂
- 关键词：铝结晶度
- 硅衬底阳极氧化铝膜的荧光发射研究被引量：24
- 2000年
- 报道了用电子束蒸发技术在硅衬底上沉积 ,并于 1 5wt% H2 SO4 ,温度 2 5℃和 4 0 V直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备 (膜厚约 4 0 0 nm)。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱 ( FTIR)、光致荧光光谱 ( PL)和荧光激发光谱 ( PLE)。发现其荧光光谱在 2 80～ 50 0 nm范围内由三个主发射带组成 ,其峰值分别位于 3 1 2 nm,3 67nm和 4 49nm。所有这三个 PL带 ,经分析都与阳极氧化铝膜中的氧空位缺陷有关。 3 1 2 nm和 3 67nm的发射带分别来源于与氧空位相关的 F+ ( 1 B→ 1 A)和 F( 3 P→ 1S)中心 ,而 4
- 吴俊辉邹建平朱青鲍希茂
- 关键词：阳极氧化铝光致发光荧光发射硅衬底
- 硫酸溶液中形成多孔质阳极氧化铝膜的结构模型被引量：16
- 1999年
- 目前，有关阳极氧化法生长氧化铝多孔结构的机制，比较流行的看法是电场支持下的溶解模型[1]。根据这种模型的观点，阳极氧化铝首先生成一层致密的非晶氧化铝阻挡层，当阻挡层达到某一临界值后，电解液开始在阻挡层的表面规则排列的点处，溶解出最初的孔核，孔核的形成将...
- 吴俊辉邹建平朱青鲍希茂
- 关键词：阳极氧化氧化铝
- 硅基多孔氧化铝薄膜的解理断裂特性
- 2000年
- 濮林朱健民吴俊辉邹建平周舜华鲍希茂李齐冯端
- 关键词：硅基多孔氧化铝薄膜
- 硅基多孔氧化铝薄膜微结构的TEM研究
- 2000年
- 赵小宁吴俊辉邹建平朱健民鲍希茂冯端
- 关键词：硅基多孔氧化铝薄膜微结构TEM
- 硅基多孔氧化铝膜的AES多层结构分析和生长过程研究被引量：4
- 1999年
- 将电子束蒸发在硅衬底（Ｐ型，〈１００〉晶向，０－５ Ω·ｃｍ） 上厚度４００ ｎｍ 、纯度９９－９９ ％的铝膜，浸入具有中等溶解能力的１５ ｗｔ％ Ｈ２ＳＯ４ 中，ＤＣ恒压６０ Ｖ、恒温０ ℃条件下，进行多孔型过度阳极氧化处理，从而在Ｓｉ 基上得到包含空隙层的多孔氧化铝膜．通过对样品ＴＥＭ 平面形貌、ＳＥＭ 横断面形貌观察以及ＡＥＳ深度剖析，研究了样品的多层结构。
- 吴俊辉邹建平朱青鲍希茂
- 关键词：阳极氧化硅基多层结构多孔氧化铝膜氧化铝膜
- 硅基多孔氧化铝薄膜中的裂纹
- 2000年
- 我们利用硫酸阳极氧化硅基铝膜成功地制备了多孔型硅基氧化铝模板。通过HRTEM观察 ,我们发现氧化铝薄膜中主要存在 3种类型的裂纹 :界面裂纹、孔底裂纹和孔壁裂纹。其中界面裂纹呈波浪型 ,其走向平行于硅铝界面 ;而孔底裂纹则基本垂直于硅基表面。由于铝膜中缺陷 (如晶界、位错、空位等 )的影响 ,铝膜腐蚀氧化中体积膨胀具有不均匀性 ,所以局部应力集中并释放是造成这两种裂纹的根本原因。另外 ,裂纹产生使得局域腐蚀面积增大 ,从而造成局域溶液浓度迅速下降 ,这使得局域孔的生长速率变慢。这一效应和应力的共同作用将影响孔的形状并使得有些孔停止生长。我们认为这是孔自组织排列的一个可能机制。值得注意的是孔底裂纹作为原子扩散的通道 ,使得孔底物质和下金属电极层可以穿过氧化铝绝缘层经由扩散而形成的这一金属原子富集区而导通 ,这一结构特征为利用硅基多孔氧化铝模板原位合成高有序度低维纳米量子器件提供了重要保证。
- 濮林朱健民吴俊辉邹建平周舜华鲍希茂李齐冯端
- 关键词：自组织机制
- 硅基多孔氧化铝薄膜微结构的TEM研究
- 赵小宁吴俊辉邹建平朱健民鲍希茂冯端
- 文献传递
- 硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性被引量：8
- 2000年
- 研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜 ,在 H2 SO4 水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程 .硅衬底电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长向氧化硅生长的过渡和氧化硅生长三个阶段构成 .硅衬底多孔氧化铝复合结构的透射电子显微镜观察表明 ,在硅衬底上形成了垂直于硅表面的氧化铝纳米孔 ,而孔底可形成 Si O2 层 .有序结构多孔氧化铝的形成不依赖于铝膜的结晶状态 ,而是由阳极氧化过程的自组织作用所决定的 .实验表明将多孔氧化铝制备工艺移植到硅基衬底上直接形成硅基衬底多孔氧化铝复合结构是可行的 。
- 邹建平吴俊辉朱青濮林朱健民鲍希茂
- 关键词：多孔氧化铝阳极氧化电子束蒸发铝膜硅基底
- 硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备被引量：24
- 1999年
- 本文报道用自组织法在硅片上制备纳米多孔氧化铝列阵的技术．在Ｐ型〈１００〉晶向，电阻率为０．５Ω·ｃｍ的清洁硅片上，用电子束蒸发一层４００ｎｍ厚的９９．９９％高纯铝膜，然后将其作为阳极，浸入１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４溶液中，在直流恒压４０Ｖ、恒温０℃条件下进行电化学氧化处理．处理结束后，分别用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对样品实施了平面形貌和横断面形貌观察，结果表明，在硅片上形成了一层厚约７００ｎｍ，孔间距５０ｎｍ，孔径１７ｎｍ，局域呈六度对称的氧化铝纳米有序孔列阵．这种纳米多孔列阵可用作制备硅基纳米材料的模板．
- 吴俊辉邹建平朱青鲍希茂
- 关键词：纳米材料
