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吴洪江: 作品数：114 被引量：185H指数：7; 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>

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C波段高增益低噪声放大器单片电路设计被引量：4: 2009年; 主要介绍了C波段高增益低噪声单片放大器的设计方法和电路研制结果。电路设计基于Agilent ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现。为了消除C波段低噪声放大器设计中在低频端产生的振荡,提出了在第三级PHEMT管的栅极和地之间放置RLC并联再串联电阻吸收网络的方法,降低了带外低频端的高增益,从而消除了多级级联低噪声放大器电路中由于低频端增益过高产生的振荡。通过电路设计与版图电磁验证相结合的方法,使本产品一次设计成功。本单片采用三级放大,工作频率为5～6GHz,噪声系数小于1.15dB,增益大于40dB,输入输出驻波比小于1.4∶1,增益平坦度ΔGp≤±0.2dB,1dB压缩点P-1≥10dBm,直流电流小于90mA。; 刘志军高学邦吴洪江; 关键词：C波段低噪声放大器微波单片集成电路电磁仿真

基于GaAsPHEMT的6～10GHz多功能芯片被引量：8: 2014年; 介绍了一种基于GaAsPHEMT工艺的多功能芯片（MFC）设计。该芯片主要用于双向放大，具有低噪声性能和中等功率能力。综合考虑噪声、功率、效率和有源器件的正常工艺波动，选取合适的器件及其工作点、电路拓扑结构，使电路性能达到最优。采用大信号模型、噪声模型和开关模型联合仿真完成该芯片设计，并对版图进行电磁场仿真。测试结果表明，在6～10GHz频带内：小信号增益大于18．5dB，增益平坦度小于±0．2dB，输入／输出电压驻波比小于1．4：1，噪声系数小于2．2dB，1dB压缩点输出功率大于14dBm。芯片尺寸为2．4mm×2．6mm。; 徐伟吴洪江魏洪涛周鑫; 关键词：砷化镓单片微波集成电路大信号模型

1.5GHz CMOS ECL输入接口的设计与测试被引量：1: 2005年; 对一种高速CMOS ECL输入接口进行了分析研究,该接口包含一种双镜补偿的CMOS差分放大电路,采用0.18μm CMOS工艺研制,实现了PECL电平兼容。经测试,该接口最高工作频率达1.5GHz。; 廖斌任怀龙吴洪江陈兴; 关键词：差分放大电路 CMOS工艺

硅基射频滤波电容排: 本实用新型公开了一种硅基射频滤波电容排，属于半导体器件领域。本实用新型自下而上包括下电极、低阻硅衬底、薄膜介质和上电极；所述上电极由一系列独立的电极条组成，所述电极条呈条状并列纵贯于薄膜介质上，下电极可通过金锡烧结或导电...; 王绍东蒋赞勤朴贞真吴洪江; 文献传递

常用封装材料的激光封焊工艺研究被引量：13: 2013年; 介绍了激光封焊工艺的优越性及其主要工艺参数对封焊效果产生的影响,对铝合金、铜和可伐等几种常用封装材料进行了封焊研究,比较了不同表面处理对封焊效果产生的影响。实验表明,表面镀镍金可以减少镜面反射,有利于对铜进行激光封焊,却会影响铝合金和可伐的激光封焊质量。通过设置合适的工艺参数、选择合适的表面状态并且控制封装外壳的加工精度,使上述几种封装材料封焊后都达到了漏率小于1×10-9kPa.cm3/s的密封要求。; 李娜吴洪江; 关键词：镀层铝合金铜

基于硅通孔结构的硅基微系统气密封装结构及制备方法: 本发明提供了一种基于硅通孔结构的硅基微系统气密封装结构及制备方法，包括顺次键合的第一层硅基载体层、第二层硅基外框层、第三层硅基引线保护层及密封键合于第三层硅基引线保护层之上的第四层硅基盖板层，第一层硅基载体层之上设置有钼...; 刘秀博王绍东王志强吴洪江; 文献传递

小型化三维发夹型LTCC宽带带通滤波器被引量：2: 2011年; 利用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺,通过通孔互联实现了三维结构的发夹型宽带带通滤波器。该结构将谐振单元的横向尺寸转移到z轴方向实现,有效减小了滤波器的尺寸并且谐振器间的耦合系数为传统结构的1.6倍。利用五个谐振器结构实现较宽的频带(>30%)和较好的选择特性。设计并实际制作了中心频率10 GHz的LTCC带通滤波器,3 dB带宽为8.8～12.1 GHz,实测指标与设计仿真结果较为吻合。; 赵永志王绍东吴洪江; 关键词：宽带带通滤波器系统级封装

A 12～18GHz Wide Band VCO Based on Quasi-MMIC: 2008年; Using an in-house MMIC and an off-chip,high-quality varactor, a novel wide band VCO covered Ku band is introduced. In contrast to HMIC technology, this method reduces the complexity of microchip assembly. More importantly,it overcomes the constraint that the standard commercial GaAs pHEMT MMIC process is usually not compatible with highquality varactors for VCO,and it significantly improves the phase noise and frequency tuning linearity performances compared to either MMIC or HMIC implementation. It is a novel and high-quality method to develop microwave and millimeter wave VCO.; 王绍东高学邦吴洪江王向玮默立冬; 关键词：MMIC WIDE-BAND VCO

AlGaN/GaNHFET逆压电效应抑制技术: 2014年; 基于非对称晶体的逆压电效应(IPPE),通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN HFET在外电场作用下沟道中2DEG浓度的变化,建立了电流崩塌效应的逆压电效应数值仿真模型。理论模拟显示:逆压电效应是引起电流崩塌效应的一个因素。根据GaN欧姆接触的机理,提出采用源漏凹槽的结构减小电场的垂直分量,抑制逆压电效应,减小饱和电流的变化。设计了不同结构的源漏凹槽结构器件,并进行工艺流片验证,得到优化的器件结构,器件的电流崩塌量从15.7%减小到8.9%,验证了理论仿真结果。; 戴伟王丽张志国高学邦吴洪江; 关键词：HFET 薛定谔方程电流崩塌

基于SiGe BiCMOS工艺的8 GS/s采样保持电路: 2024年; 为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提高了采样保持电路的线性度。输出缓冲电路采用级联结构实现高线性度,并提高了电路的驱动能力。测试结果发现,在采样模式下单端输入信号频率4 GHz、采样时钟频率8 GHz条件下,有效位数为5.4 bit,无杂散动态范围为37.6 dB,总谐波失真为37.5 dB,总功耗为450 mW,芯片尺寸为0.68 mm×0.68 mm。; 李飞吴洪江龚剑曹慧斌; 关键词：采样保持电路