方园
- 作品数：35 被引量：32H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 一种相控阵天线封装结构
- 本发明提供了一种相控阵天线封装结构，属于通讯雷达技术领域，包括PCB母板、多个双层TR器件以及天线板，多个双层TR器件呈矩阵间隔排布，天线板通过多个螺钉连接在多个双层TR器件的上方，多个双层TR器件焊接在PCB母板的上端...
- 邢增程许春良厉志强赵永志冀乃一张理想方园
- 一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器
- 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...
- 谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东
- 一种收发一体多功能电路
- 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，接收通道低噪声放大器电路和发射通道...
- 方园吴洪江韩芹高学邦刘永强刘如青李富强曾志王向玮崔玉兴魏洪涛
- 文献传递
- 基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计被引量：1
- 2022年
- 基于90 nm InP HEMT工艺,设计了一款220 GHz功率放大器太赫兹单片集成电路,该放大器采用片上威尔金森功分器结构实现了两路五级共源放大器的功率合成。在片测试结果表明,200~230 GHz频率范围内,功率放大器小信号增益平均值18 dB。频率为210~230 GHz范围内该MMIC放大器饱和输出功率优于15.8 mW,在223 GHz时最高输出功率达到20.9 mW,放大器芯片尺寸为2.18 mm×2.40 mm。
- 陈艳孟范忠方园张傲高建军
- 一种收发一体多功能电路
- 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用微波单片集成电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，所述天线端通道选择开关...
- 刘永强方园高学邦吴洪江韩芹曾志刘如青李富强杨中月姜鹏魏洪涛
- 文献传递
- W波段四通道接收前端MMIC的设计与实现被引量：1
- 2019年
- 研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC)。该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路。低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通道之间采用电阻隔离,以抑制信号泄露。对低噪声放大器和谐波混频器两个关键电路进行了设计和仿真,接收前端芯片面积为5.50 mm×4.50 mm,采用标准GaAs PHEMT工艺进行了流片并对其性能进行了测试。在片测试结果表明,在88~104 GHz频段内,通道增益为5.0~7.5 dB,噪声系数小于5.2 dB,射频端口电压驻波比约为2.0;功耗约为0.48 W。该接收前端芯片可广泛应用于W波段阵列电路中。
- 张贞鹏方园孟范忠
- 关键词：PHEMT
- K波段平衡式矢量调制器MMIC被引量：1
- 2019年
- 基于0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs PHEMT)工艺,设计并实现了一款K波段的平衡式矢量调制器微波单片集成电路(MMIC)芯片。该矢量调制器集成了Lange耦合器、双相幅度调制器和威尔金森功率合成器,其中双相幅度调制器采用平衡式结构对幅度和相位失真进行了补偿。当工作电压以10 mV为步进,从-0.9~0 V扫描时,矢量调制器MMIC实现了连续幅度调制和0°~360°的相位调制。测试结果表明,在18~26 GHz频率内,最大调幅深度大于27 dB,插入损耗小于8.1 dB,输入电压驻波比小于1.3∶1,输出电压驻波比小于1.5∶1。平衡式矢量调制器MMIC尺寸为2.4 mm×2.5 mm,该电路具有插入损耗小、芯片尺寸小、功耗低等特点,可广泛应用于数字通信系统中。
- 李富强许刚方园
- 关键词：矢量调制器
- DC～40GHz反射型GaAs MMIC SPST开关被引量：3
- 2008年
- 介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术,基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计。工作频率范围为DC^40 GHz,插入损耗≤0.8 dB,隔离度≥25 dB,驻波比≤1.4∶1。同时,对电路的通孔特性进行了分析,对电路设计流程进行了阐述。要获得期望带宽的开关,如何选择控制器件的通孔连接方式,以及通孔数量对插入损耗等性能的影响。最终,具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成单刀单掷开关电路成功开发。
- 方园李富强高学邦吴洪江魏洪涛刘文杰
- 关键词：GAAS微波单片集成电路单刀单掷开关
- V波段双平衡混频器芯片的设计
- 本文设计了一种V波段的双平衡混频器芯片。电路采用肖特基二极管作为混频元件,本振、射频端口采用三节Marchand巴伦结构,通过级间匹配技术改善电路特性和端口驻波,电磁仿真优化参数后,在Ga As p HEMT工艺平台上完...
- 李珂方园赵宇
- 关键词：V波段混频器MMIC
- 文献传递
- DC～20GHz宽带单片数控衰减器被引量：4
- 2009年
- 介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAsPHEMT工艺技术实现。利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标。工作频率为DC～20GHz,全态衰减附加相移小于等于±3°,驻波比≤1.5∶1。通过设计结果和测试结果对比,表明本单片的设计方法可行。最终,单片电路流片一次成功,实现了设计目标。电路尺寸为2.7mm×1.4mm×0.1mm,控制电压为0V和-5V,无直流功耗。
- 刘志军方园高学邦吴洪江
- 关键词：宽带微波单片集成电路数控衰减器电磁仿真
