方园
- 作品数：36 被引量：37H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 基于非硅半导体的固态毫米波及亚毫米波单片集成电路技术进展
- 从1974年第一块GaAs单片集成电路、1993年第一个GaN器件问世以来,经过近50年的快速发展,GaAs、InP、GaN等化合物单片集成电路已大批量进入工程应用。在卫星互联网、移动通信等新一代应用的牵引下,化合物固态...
- 方园
- 文献传递
- 超低功耗Q波段低噪声放大器芯片的设计和实现
- 2018年
- 采用GaAs赝配HEMT单片微波集成电路（MMIC）工艺和堆栈偏置技术设计实现了一款Q波段低噪声放大器（LNA）芯片。该放大器采用4级级联的堆栈偏置拓扑结构,前两级电路在确保较低输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声系数,后两级电路则采用最大增益的匹配方式,确保放大器具有良好的增益平坦度和较小的输出回波损耗。该LNA芯片最终尺寸为3250μm×1500μm,实测结果表明在40～46 GHz工作频率内放大器工作稳定,小信号增益大于23 dB,噪声系数小于3.0 dB,在4.5 V工作电压下消耗电流约6 mA。此外,在片实测结果和设计结果符合良好。
- 方园叶显武吴洪江刘永强
- 关键词：超低功耗Q波段
- 一种微带探针转换器
- 本发明公开了一种微带探针转换器，包括盒体；第一波导腔；第二波导腔，第二波导腔和第一波导腔相对设置在盒体内；基底，基底的第一端伸入到第一波导腔内，基底的第二端伸入到第二波导腔内；芯片电路，芯片电路设置在基底上，芯片电路包括...
- 郑俊平方园吴洪江林勇孟范忠张贞鹏卢军廷王雨桐薛昊东
- 文献传递
- 一种相控阵天线封装结构
- 本发明提供了一种相控阵天线封装结构，属于通讯雷达技术领域，包括PCB母板、多个双层TR器件以及天线板，多个双层TR器件呈矩阵间隔排布，天线板通过多个螺钉连接在多个双层TR器件的上方，多个双层TR器件焊接在PCB母板的上端...
- 邢增程许春良厉志强赵永志冀乃一张理想方园
- 一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器
- 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...
- 谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东
- 一种收发一体多功能电路
- 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，接收通道低噪声放大器电路和发射通道...
- 方园吴洪江韩芹高学邦刘永强刘如青李富强曾志王向玮崔玉兴魏洪涛
- 文献传递
- 基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计被引量：2
- 2022年
- 基于90 nm InP HEMT工艺,设计了一款220 GHz功率放大器太赫兹单片集成电路,该放大器采用片上威尔金森功分器结构实现了两路五级共源放大器的功率合成。在片测试结果表明,200~230 GHz频率范围内,功率放大器小信号增益平均值18 dB。频率为210~230 GHz范围内该MMIC放大器饱和输出功率优于15.8 mW,在223 GHz时最高输出功率达到20.9 mW,放大器芯片尺寸为2.18 mm×2.40 mm。
- 陈艳孟范忠方园张傲高建军
- 一种收发一体多功能电路
- 本发明公开了一种收发一体多功能电路，涉及收发两用微波单片集成电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路，所述天线端通道选择开关...
- 刘永强方园高学邦吴洪江韩芹曾志刘如青李富强杨中月姜鹏魏洪涛
- 文献传递
- W波段四通道接收前端MMIC的设计与实现被引量：1
- 2019年
- 研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC)。该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路。低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通道之间采用电阻隔离,以抑制信号泄露。对低噪声放大器和谐波混频器两个关键电路进行了设计和仿真,接收前端芯片面积为5.50 mm×4.50 mm,采用标准GaAs PHEMT工艺进行了流片并对其性能进行了测试。在片测试结果表明,在88~104 GHz频段内,通道增益为5.0~7.5 dB,噪声系数小于5.2 dB,射频端口电压驻波比约为2.0;功耗约为0.48 W。该接收前端芯片可广泛应用于W波段阵列电路中。
- 张贞鹏方园孟范忠
- 关键词：PHEMT
- K波段平衡式矢量调制器MMIC被引量：2
- 2019年
- 基于0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs PHEMT)工艺,设计并实现了一款K波段的平衡式矢量调制器微波单片集成电路(MMIC)芯片。该矢量调制器集成了Lange耦合器、双相幅度调制器和威尔金森功率合成器,其中双相幅度调制器采用平衡式结构对幅度和相位失真进行了补偿。当工作电压以10 mV为步进,从-0.9~0 V扫描时,矢量调制器MMIC实现了连续幅度调制和0°~360°的相位调制。测试结果表明,在18~26 GHz频率内,最大调幅深度大于27 dB,插入损耗小于8.1 dB,输入电压驻波比小于1.3∶1,输出电压驻波比小于1.5∶1。平衡式矢量调制器MMIC尺寸为2.4 mm×2.5 mm,该电路具有插入损耗小、芯片尺寸小、功耗低等特点,可广泛应用于数字通信系统中。
- 李富强许刚方园
- 关键词：矢量调制器
