孟范忠
- 作品数：17 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 共面波导-矩形波导转换器
- 本发明提供了一种共面波导‑矩形波导转换器，属于毫米波技术领域，包括包括依次叠设的第一金属接地板、第一介质基板、第二金属接地板、第二介质基板、第三金属接地板和矩形波导；其中，第一金属接地板、第一介质基板、第二金属接地板及对...
- 郑俊平林勇孟范忠赵宇许春良
- 文献传递
- 基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计被引量：1
- 2022年
- 基于90 nm InP HEMT工艺,设计了一款220 GHz功率放大器太赫兹单片集成电路,该放大器采用片上威尔金森功分器结构实现了两路五级共源放大器的功率合成。在片测试结果表明,200~230 GHz频率范围内,功率放大器小信号增益平均值18 dB。频率为210~230 GHz范围内该MMIC放大器饱和输出功率优于15.8 mW,在223 GHz时最高输出功率达到20.9 mW,放大器芯片尺寸为2.18 mm×2.40 mm。
- 陈艳孟范忠方园张傲高建军
- W波段四通道接收前端MMIC的设计与实现被引量：1
- 2019年
- 研发了一款W波段四通道接收前端微波单片集成电路(MMIC)。该接收前端包括低噪声放大器、混频器和本振功分电路。低噪声放大器采用五级共源放大拓扑,混频器采用场效应晶体管进行阻性三次谐波混频;通道之间采用电阻隔离,以抑制信号泄露。对低噪声放大器和谐波混频器两个关键电路进行了设计和仿真,接收前端芯片面积为5.50 mm×4.50 mm,采用标准GaAs PHEMT工艺进行了流片并对其性能进行了测试。在片测试结果表明,在88~104 GHz频段内,通道增益为5.0~7.5 dB,噪声系数小于5.2 dB,射频端口电压驻波比约为2.0;功耗约为0.48 W。该接收前端芯片可广泛应用于W波段阵列电路中。
- 张贞鹏方园孟范忠
- 关键词：PHEMT
- 一种三次谐波混频器电路
- 本发明公开了一种三次谐波混频器电路，其特征在于，包括：本振信号单元、偏压信号单元、混频单元、中频信号单元和射频信号单元；所述偏压信号单元的输入端用于接收偏压信号，所述偏压信号单元的输出端连接所述本振信号单元的第二输入端；...
- 孟范忠方园林勇张贞鹏吴洪江郑俊平卢军廷王子青王雨桐陈艳薛昊东
- 一种开关电路及开关芯片
- 本发明公开了一种开关电路及开关芯片，包括：至少一路开关通道模块；所述开关通道模块包括至少三个开关管单元和一条传输线；所述传输线的第一端为所述开关通道模块的输入端，所述传输线的第二端为所述开关通道模块的输出端；所述传输线上...
- 王雨桐孟范忠林勇薛昊东
- 文献传递
- 应用于太赫兹频段的电调衰减电路及电调衰减器
- 本发明适用于电调衰减器技术领域，提供了一种应用于太赫兹频段的电调衰减电路及电调衰减器，该电调衰减电路包括：多指FET器件和射频传输线；多指FET器件中的多指两侧的漏极与射频传输线连接。本发明通过多指FET器件与射频传输线...
- 王雨桐孟范忠张贞鹏陈艳薛昊东汪璐
- 一种微带探针转换器
- 本发明公开了一种微带探针转换器，包括盒体；第一波导腔；第二波导腔，第二波导腔和第一波导腔相对设置在盒体内；基底，基底的第一端伸入到第一波导腔内，基底的第二端伸入到第二波导腔内；芯片电路，芯片电路设置在基底上，芯片电路包括...
- 郑俊平方园吴洪江林勇孟范忠张贞鹏卢军廷王雨桐薛昊东
- 文献传递
- 一种自动电平控制电路的最坏情况分析被引量：1
- 2016年
- 针对一种应用于宇航设备的自动电平控制电路开展了最坏情况分析,建立了各电路模型并提取了分析参数,根据温度环境和辐射环境,采用极值分析法分析并计算了控制阈值及控制精度。结果表明,温度范围内器件参数的变化对系统输出功率影响较大,而辐照条件下运放参数的恶化对系统输出功率的影响则相对较小。
- 孟范忠
- 关键词：自动电平控制
- 应用于太赫兹频段的电调衰减电路及电调衰减器
- 本发明适用于电调衰减器技术领域，提供了一种应用于太赫兹频段的电调衰减电路及电调衰减器，该电调衰减电路包括：多指FET器件和射频传输线；多指FET器件中的多指两侧的漏极与射频传输线连接。本发明通过多指FET器件与射频传输线...
- 王雨桐孟范忠张贞鹏陈艳薛昊东汪璐
- 文献传递
- 基于平面肖特基二极管的平衡式亚毫米波倍频器芯片
- 2021年
- 基于标准的平面肖特基二极管单片工艺设计了一款平衡式亚毫米波倍频单片集成电路。依据二极管实际结构进行电磁建模,提取了器件寄生参数,并与实测的器件本征参数相结合获得了二极管非线性模型;依据该模型,采用平衡式拓扑结构以实现良好的基波抑制,设计了三线耦合巴伦电桥,并与肖特基二极管集成在同一芯片上,实现了单片集成,提高了设计准确度。芯片在片测试结果表明,在输入功率17 dBm下,输入频率75~105 GHz范围内,倍频器芯片峰值输出功率达到2.67 dBm。芯片整体尺寸为0.80 mm×0.50 mm。
- 孟范忠毕胜赢陈艳周国方园
- 关键词：单片集成电路
