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李富强

作品数:16 被引量:20H指数:3
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 8篇专利

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 12篇电路
  • 10篇集成电路
  • 9篇单片
  • 9篇单片集成
  • 9篇单片集成电路
  • 8篇微波单片
  • 8篇微波单片集成
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  • 5篇电子迁移率
  • 5篇迁移率
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  • 5篇高电子迁移率
  • 5篇高电子迁移率...
  • 5篇MMIC
  • 4篇衰减器
  • 3篇砷化镓
  • 3篇数字衰减器
  • 3篇宽带
  • 2篇单刀双掷

机构

  • 16篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 16篇李富强
  • 12篇方园
  • 9篇吴洪江
  • 8篇魏洪涛
  • 7篇高学邦
  • 5篇谢媛媛
  • 4篇刘如青
  • 4篇刘文杰
  • 4篇曾志
  • 4篇韩芹
  • 4篇刘永强
  • 4篇王向玮
  • 3篇陈月盈
  • 2篇姜鹏
  • 2篇杨中月
  • 2篇崔玉兴
  • 2篇张滨
  • 2篇杨柳
  • 2篇刘会东
  • 1篇刘志军

传媒

  • 7篇半导体技术
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2008
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计被引量:6
2019年
基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减附加相移。芯片在片测试结果表明,在-5 V电源电压下驱动器的静态电流为1.8 mA,响应速度为25 ns。在9~18 GHz频率范围内,衰减器芯片的插入损耗不大于3.6 dB,均方根衰减精度不大于0.7 dB,衰减附加相移为-2°~4°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.25∶1,输出VSWR不大于1.5∶1。芯片尺寸为1.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。该电路具有响应速度快、功耗低、面积小、衰减附加相移小等优点,可广泛应用于通信设备和微波测量系统中。
李富强赵子润魏洪涛
关键词:数字衰减器
一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器
本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器,属于微波单片集成电路及微电子技术领域,一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器,包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...
谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东
K波段平衡式矢量调制器MMIC被引量:1
2019年
基于0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAs PHEMT)工艺,设计并实现了一款K波段的平衡式矢量调制器微波单片集成电路(MMIC)芯片。该矢量调制器集成了Lange耦合器、双相幅度调制器和威尔金森功率合成器,其中双相幅度调制器采用平衡式结构对幅度和相位失真进行了补偿。当工作电压以10 mV为步进,从-0.9~0 V扫描时,矢量调制器MMIC实现了连续幅度调制和0°~360°的相位调制。测试结果表明,在18~26 GHz频率内,最大调幅深度大于27 dB,插入损耗小于8.1 dB,输入电压驻波比小于1.3∶1,输出电压驻波比小于1.5∶1。平衡式矢量调制器MMIC尺寸为2.4 mm×2.5 mm,该电路具有插入损耗小、芯片尺寸小、功耗低等特点,可广泛应用于数字通信系统中。
李富强许刚方园
关键词:矢量调制器
DC~40GHz反射型GaAs MMIC SPST开关被引量:3
2008年
介绍了基于GaAs PHEMT工艺设计的一款宽带反射型MMIC SPST开关的相关技术,基于成熟的微波单片集成电路设计平台开展了宽带SPST开关设计。工作频率范围为DC^40 GHz,插入损耗≤0.8 dB,隔离度≥25 dB,驻波比≤1.4∶1。同时,对电路的通孔特性进行了分析,对电路设计流程进行了阐述。要获得期望带宽的开关,如何选择控制器件的通孔连接方式,以及通孔数量对插入损耗等性能的影响。最终,具有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成单刀单掷开关电路成功开发。
方园李富强高学邦吴洪江魏洪涛刘文杰
关键词:GAAS微波单片集成电路单刀单掷开关
一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器
本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器,属于微波单片集成电路及微电子技术领域,一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器,包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...
谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东
文献传递
GaAs PHEMT超宽带六位数控延时器芯片
2018年
研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理,基于GaAs PHEMT工艺,设计了一款超宽带数控延时器芯片,该芯片具有超宽带、大延时量和小尺寸等优点,主要用于有源相控阵雷达中。微波在片测试系统对该6位延时器芯片实际测试结果显示,在3~17GHz范围内,延时调节范围为10~630 ps,64态延时均方根(RMS)误差小于8 ps,全态插入损耗小于22 dB,插损波动小于±1 dB,全频带输入输出电压驻波比(VSWR)小于1.7,整个芯片尺寸仅为4.0 mm×2.6 mm×0.07 mm。实测结果与理论仿真结果吻合良好。
陈月盈方圆李富强
关键词:延时器砷化镓超宽带微波单片集成电路
一种收发一体多功能电路
本发明公开了一种收发一体多功能电路,涉及收发两用电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路,接收通道低噪声放大器电路和发射通道...
方园吴洪江韩芹高学邦刘永强刘如青李富强曾志王向玮崔玉兴魏洪涛
文献传递
一种收发一体多功能电路
本发明公开了一种收发一体多功能电路,涉及收发两用微波单片集成电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路,所述天线端通道选择开关...
刘永强方园高学邦吴洪江韩芹曾志刘如青李富强杨中月姜鹏魏洪涛
文献传递
带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计被引量:5
2016年
采用GaAs增强/耗尽型(E/D)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)电路,6bit数控衰减器由6个衰减基本态级联组成。版图经过合理优化后,最终的MMIC芯片尺寸为2.4mm×1.3mm。测试结果表明,在12~18GHz,芯片可以实现最大衰减量为31.5dB,步进为0.5dB的衰减量控制。衰减64态均方根误差小于0.6dB,附加相移-2°~2.5°,插入损耗小于6.1dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。
张滨李富强杨柳魏洪涛方园
关键词:数控衰减器
一种收发一体多功能电路
本发明公开了一种收发一体多功能电路,涉及收发两用微波单片集成电路技术领域。包括天线端通道选择开关电路、接收通道低噪声放大器电路、驱动端通道选择开关电路、发射通道功率放大器电路和收发支路电源控制电路,所述天线端通道选择开关...
刘永强方园高学邦吴洪江韩芹曾志刘如青李富强杨中月姜鹏魏洪涛
文献传递
共2页<12>
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