谢媛媛
- 作品数：14 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器被引量：5
- 2016年
- 微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。
- 谢媛媛陈凤霞高学邦
- 关键词：超小型数字衰减器PHEMT
- 基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器
- 本发明适用微波单片集成电路技术领域，提供了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器，该宽带数字移相器包括顺序级联的180°移相单元、90°移相单元、22.5°移相单元、5.625°移相单元、11.25°移相单元和45...
- 谢媛媛吴洪江赵子润刘文杰王向玮刘如青魏洪涛李远鹏
- 基于QFN封装的X波段GaAs T/R套片设计被引量：1
- 2017年
- 基于陶瓷方形扁平无引脚(QFN)封装研制出4款X波段GaAs微波单片集成电路(MMIC),包括GaAs幅相控制多功能芯片(MFC)、功率放大器、低噪声放大器、开关限幅多功能芯片。利用QFN技术将这套芯片封装在一起,组成2GHz带宽的QFN封装收/发(T/R)组件,输出功率大于1 W,封装尺寸为9mm×9mm×1mm。通过提高GaAs MMIC的集成度、放大器单边加电、内部端口匹配,创新性地实现了微波T/R组件的小型化。这几款芯片中最复杂的X波段幅相控制多功能芯片集成了T/R开关、六位数字移相器、五位数字衰减器、增益放大器及串转并驱动器。在工作频段内,收发状态下,增益大于5dB,1dB压缩输出功率(P-1)大于7dBm,移相均方根(RMS)误差小于2.5°,衰减均方根误差小于0.3dB,回波损耗小于-12dB,裸片尺寸为4.5mm×3.0mm×0.07mm。
- 谢媛媛贾玉伟方家兴曾志周鑫赵子润
- 关键词：T/RX波段GAAS微波单片集成电路多功能芯片
- 一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器
- 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...
- 谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东
- 一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器
- 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元...
- 谢媛媛吴洪江赵子润方园陈月盈李富强刘会东
- 文献传递
- GaN MMIC六位数字衰减器的设计被引量：1
- 2021年
- 基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0~31.5 dB。通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸。测试结果表明,在2~18 GHz频带内,该衰减器的插入损耗小于4.8 dB,64态衰减精度均方根误差小于0.6 dB,输入回波损耗小于-13 dB,输出回波损耗小于-12.5 dB,附加相移为-14°~4°。在10 GHz下,其1 dB压缩点输入功率达到34.5 dBm。裸片尺寸为2.30 mm×1.10 mm。
- 齐志华谢媛媛
- 关键词：GAN数字衰减器
- 数控单片移相器的CAD被引量：1
- 2006年
- 数控单片移相器的设计技术具有较大的特殊性与复杂性,必须依靠计算机辅助设计提高设计的准确性。对数控单片移相器的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了电路设计效率的提高及电磁场验证等问题,为数控单片移相器的研制提供了实用的解决方案。应用这一研究成果,成功开发出高性能X波段单片五位数字移相器。
- 谢媛媛高学邦方园刘文杰任怀龙
- 关键词：数字移相器微波单片集成电路计算机辅助设计
- GaAs PHEMT开关模型的研究被引量：6
- 2006年
- 论述了GaAs PHEMT开关器件的建模,介绍了利用微波电路设计软件ADS建立GaAs PHEMT 开关模型的方法,给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数。提取开关模型是研制控制电路的关键, 特别是对于MMIC电路。一种0．5 μm GaAs PHEMT开关器件模型已丌发成功,并集成在ADS环境中, 可为各类开关、衰减器和移相器等微波控制电路提供可靠的器件模型,提高电路设计精度。
- 谢媛媛高学邦魏洪涛王绍东刘志军
- 关键词：GAAS等效电路模型
- 基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器
- 本发明适用微波单片集成电路技术领域，提供了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器，该宽带数字移相器包括顺序级联的180°移相单元、90°移相单元、22.5°移相单元、5.625°移相单元、11.25°移相单元和45...
- 谢媛媛吴洪江赵子润刘文杰王向玮刘如青魏洪涛李远鹏
- 文献传递
- 基于GaN HEMT工艺的高功率宽带6 bit数字移相器
- 2021年
- 基于GaN HEMT工艺研制了一款8~12.5 GHz宽带6 bit数字移相器。通过采用优化的宽带拓扑和集总元件,以及在片上集成GaN并行驱动器,提高了移相精度,缩小了芯片的尺寸,减少了控制端数量。测试结果表明,在8~12.5 GHz频带内,全部64个移相状态下,插入损耗小于11 dB,输入回波损耗小于-14 dB,输出回波损耗小于-16 dB,移相均方根误差小于1.8°,幅度变化均方根误差小于0.5 dB。在8 GHz频率下,1 dB压缩点输入功率高达33 dBm。芯片尺寸为5.05 mm×2.00 mm×0.08 mm。
- 谢媛媛吴洪江赵子润
- 关键词：数字移相器宽带高功率
