孙国胜
- 作品数：168 被引量：53H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 提高碳化硅少子寿命的方法
- 一种提高碳化硅少子寿命的方法，该方法包括将碳化硅外延层在氧气中升温氧化；保持温度不变，将得到的碳化硅通入NO气体进行氮氧氧化；将得到的碳化硅在缓冲液中浸泡去除氧化过程中在碳化硅外延层表面形成的氧化层；将得到的碳化硅在惰性...
- 闫果果刘兴昉申占伟赵万顺王雷孙国胜曾一平
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- 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置
- 一种连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置，包括：一主腔室，为一圆柱形的中空体，用于提供晶体生长的真空环境，该主腔室的径向穿过一尾气管路，在尾气管路的下方通入一源气体管路；一可动托盘位于主腔室内，在源气体管路的上方；一固定...
- 刘兴昉郑柳董林闫果果王雷赵万顺孙国胜曾一平李晋闽
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- 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
- 本发明公开了一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法，包括以下步骤：步骤1、在碳化硅晶体表面生长氮化铝掩膜层；步骤2、在氮化铝掩膜层上刻蚀形成刻蚀碳化硅晶体所需图形；步骤3、利用所述氮化铝掩膜层上的所述图形对所述...
- 刘胜北何志刘斌刘兴昉杨香樊中朝王晓峰王晓东赵永梅杨富华孙国胜曾一平
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- 在SiC材料中获取二维电子气的方法
- 本发明提供一种在SiC材料中获取二维电子气的方法，包括如下步骤：步骤1：取一晶面为(0001)的SiC衬底；步骤2：在晶面为(0001)的SiC衬底上制作晶面为(0001)的AlN层。本发明可以用在SiC基开关器件的制造...
- 申占伟张峰赵万顺王雷闫果果刘兴昉孙国胜曾一平
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- 碳化硅外延层区域掺杂的方法
- 一种碳化硅外延层区域掺杂的方法，包括：取一碳化硅衬底，并清洗干净；在衬底的表面外延一第一本征硅层；刻蚀，在第一本征硅层上形成第一图形化硅层，刻蚀深度到达衬底的表面；升高温度使第一本征硅层熔化，通入碳源，同时通入第一类型掺...
- 刘兴昉刘斌闫果果刘胜北王雷赵万顺张峰孙国胜曾一平
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- 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置
- 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置，包含：一密封操作箱为一矩形箱体，在密封操作箱的一背面开有两个圆孔，顶部有一个出气口，底部有一个进气口，正面有两个用于密封安装橡胶手套的操作口；两个三通过渡连接件的端口为法兰端口，该两...
- 孙国胜王雷赵万顺曾一平叶志仙刘兴昉
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- 基于氮化铝缓冲层的硅基3C－碳化硅异质外延生长方法
- 一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C－碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将硅衬底进行氢气刻蚀处理；步骤2：通入三甲基铝，进行硅衬底表面铺铝；步骤3：不关断三甲基铝源，通入氨气，进行氮化铝缓冲层生长；步骤...
- 赵永梅孙国胜刘兴昉李家业王雷赵万顺李晋闽曾一平
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- 电学测试的汞探针装置
- 一种电学测试的汞探针装置，其特征在于，包括：一基座，该基座为扁平状的圆柱体，在基座的中心处纵向开有一细水银槽，在基座的中心处细水银槽的周围开有圆环形的水银槽；在基座的左侧圆柱体侧壁上开有一左水银槽，该左水银槽与圆环形的水...
- 纪刚孙国胜宁瑾刘兴昉赵永梅王雷赵万顺曾一平李晋闽
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- Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究(英文)被引量：4
- 2003年
- 单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数失配度 ,在 3C SiC中会产生很大的内应力 ,直接影响 3C SiC的电学特性。Raman散射测试是一个功能很强的测试方法 ,其强度、宽度、Raman位移等有关Raman参数可以给出有关SiC晶体质量的信息 ,其中包括内应力。利用背散射几何构置的Raman方法研究了Si(10 0 )和蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上LPCVD方法生长的SiC外延薄膜 ,在生长的所有样品中均观察到了典型的 3C SiC的TO和LO声子峰 ,在3C SiC/Si材料中 ,这两个声子峰分别位于 970 3cm-1和 796 0cm-1,在 3C SiC/蓝宝石材料中 ,分别位于96 5 1cm-1和 80 1 2cm-1,这一结果表明这两种外延材料均为 3C SiC晶型。利用一个 3C SiC自由膜作为无应力标准样品 ,并根据 3C SiC/Si和 3C SiC/蓝宝石的TO和LO声子峰Raman位移相对于自由膜的移动量 ,得到 3C SiC中的内应力约分别为 1GPa和 4GPa。实验发现在这两种材料的TO声子峰的Raman位移移动方向相反 ,通过比较 3C SiC、Si和蓝宝石的热膨胀系数 ,预期Si衬底上的 3C SiC外延膜受到的应力为张应力 ,而蓝宝石衬底上 3C SiC受到的应力则为压应力。
- 孙国胜罗木昌王雷赵万顺孙艳玲曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：3C-SIC拉曼光谱RAMAN光谱背散射
- 湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺
- 本发明涉及的是半导体技术，是一种湿法腐蚀两步法制备超薄硅的腐蚀工艺，可用于减薄具有氧化埋层的硅柔性衬底(SOI)，为大失配外延生长提供了一种可协调失配应变的衬底材料。该腐蚀工艺，(a)对柔性硅衬底片子进行去油处理，去离子...
- 王晓峰曾一平孙国胜黄风义王雷赵万顺
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