宋志伟
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金北京市科技新星计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 不同厚度ZnO缓冲层下Al0.1Ga0.9N纳米薄膜制备及其场发射性能
- 本文利用脉冲激光沉积,分别制备了一系列不同厚度ZnO缓冲层的AlGaN纳米薄膜,对此薄膜进行场致电子发射测试表明,开启电场随着缓冲层厚度的变化而变化,且ZnO缓冲层厚度为38 nm的AlGaN薄膜开启电场最小,只有27....
- 沈震宋志伟王如志严辉
- 关键词：铝镓氮场发射
- 文献传递
- ZnO缓冲层厚度对GaN纳米薄膜的场发射性能影响
- 为了获取具有质量良好的场发射GaN纳米薄膜,我们利用激光脉冲沉积系统(PLD)在衬底温度为300℃的Si衬底上分别沉积了38nm,50nm,64nm和130nm的ZnO缓冲层,随后在缓冲层之上(衬底温度850℃)生长了厚...
- 宋志伟沈震王如志严辉
- 关键词：场发射GANZNO脉冲激光沉积
- 文献传递
- 铝镓氮纳米取向薄膜制备及场发射性能研究
- 铝镓氮(AlGaN)是一种重要的宽带隙半导体氮化物材料，具有低的甚至负的电子亲和势和良好的化学稳定性，被认为是极具发展潜力的场发射冷阴极材料。近年来，纳米薄膜场发射材料制备及性能完善成为人们的研究热点。本文首先对AlGa...
- 宋志伟
- 关键词：铝镓氮场发射性能等离子体电子输运
- 低维AlGaN材料制备及其场发射性能研究
- Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AlGaN具有较宽的直接带隙，且能以带间跃迁的方式获得高效的辐射复合，具有电击穿强度高、漏电流小、高电子漂移饱和速度、导热性能好、化学稳定性和抗辐射强度高等优点，在场发射平板显示器，场效应晶体管及紫外光...
- 王如志王宇清宋志伟严辉
- 具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法
- 具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极技术领域，该阴极材料为GaN和AlN的混合物，同时具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构；组分为：Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x<...
- 王如志宋志伟赵维严辉王波张铭宋雪梅朱满康侯育冬刘晶冰汪浩
- 文献传递
- 低维AlGaN材料制备及其场发射性能研究
- Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AlGaN具有较宽的直接带隙,且能以带间跃迁的方式获得高效的辐射复合,具有电击穿强度高、漏电流小、高电子漂移饱和速度、导热性能好、化学稳定性和抗辐射强度高等优点,在场发射平板显示器,场效应晶体管及紫外光...
- 王如志王宇清宋志伟严辉
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- 脉冲激光沉积氮化铝薄膜及沉积参数对其场发射性能的影响
- 采用脉冲激光沉积(PLD)在不同靶基距或衬底温度下制备了两个系列氮化铝(AlN)薄膜。其场发射性能测试显示,两个系列的AlN薄膜场发射性能随着靶基距的增大或衬底温度的升高都是先提高后降低。靶基距为5.5cm和衬底温度为8...
- 李松玲王如志赵维宋志伟王波严辉
- 关键词：氮化铝薄膜脉冲激光沉积场发射衬底温度
- 文献传递
- ZnO缓冲层厚度对GaN纳米薄膜的场发射性能影响
- 为了获取具有质量良好的场发射GaN纳米薄膜,我们利用激光脉冲沉积系统(PLD)在衬底温度为300℃的Si衬底上分别沉积了38nm,50nm,64nm和130nm的ZnO缓冲层,随后在缓冲层之上(衬底温度850℃)生长了厚...
- 宋志伟沈震王如志严辉
- 关键词：场发射GANZNO脉冲激光沉积
- 沉积气压对脉冲激光沉积GaN薄膜的场发射性能影响
- 采用脉冲激光沉积系统在n型Si(100)基底上沉积了一系列不同工作气压的GaN薄膜。实验结果表明,GaN薄膜的开启电场随沉积气压的升高而增大,且F-N曲线均符合F-N理论,表明电子发射是场发射隧穿。沉积气压为0.1Pa时...
- 宋志伟王如志赵维李松玲王波严辉
- 关键词：氮化镓场发射脉冲激光沉积
- 文献传递
- 具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法
- 具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极技术领域，该阴极材料为GaN和AlN的混合物，同时具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构；组分为：Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x<...
- 王如志宋志伟赵维严辉王波张铭宋雪梅朱满康侯育冬刘晶冰汪浩
