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ZnO缓冲层厚度对GaN纳米薄膜的场发射性能影响: 为了获取具有质量良好的场发射GaN纳米薄膜,我们利用激光脉冲沉积系统(PLD)在衬底温度为300℃的Si衬底上分别沉积了38nm,50nm,64nm和130nm的ZnO缓冲层,随后在缓冲层之上(衬底温度850℃)生长了厚...; 宋志伟沈震王如志严辉; 关键词：场发射 GAN ZNO 脉冲激光沉积; 文献传递

ZnO缓冲层厚度对GaN纳米薄膜的场发射性能影响: 为了获取具有质量良好的场发射GaN纳米薄膜,我们利用激光脉冲沉积系统(PLD)在衬底温度为300℃的Si衬底上分别沉积了38nm,50nm,64nm和130nm的ZnO缓冲层,随后在缓冲层之上(衬底温度850℃)生长了厚...; 宋志伟沈震王如志严辉; 关键词：场发射 GAN ZNO 脉冲激光沉积

多层纳米AlGaN薄膜制备及其场发射性能被引量：1: 2016年; 本文采用激光脉冲沉积系统在SiC基底上制备了GaN/AlN/GaN多层纳米结构薄膜,探索了多层纳米薄膜量子结构增强场发射性能.X射线衍射和扫描电子显微镜结果表明,已成功制备出了界面清晰、结晶良好的GaN/AlN/GaN多层纳米薄膜.场发射测试结果表明:多层纳米薄膜结构相对于GaN和AlN单层纳米薄膜,其场发射性能得到显著提升.其开启电场低至0.93V/μm,电流密度在5.5V/μm时已经能够达到30mA/cm^2.随后进一步分析了纳米结构增强场发射机理,电子在GaN/AlN/GaN多层纳米薄膜结构中的量子阱中积累使其表面势垒高度显著下降,并通过共振隧穿效应进一步提高电子的透过概率,从而使场发射性能极大提高.研究结果将为应用于高性能场发射器件的纳米薄膜材料的制备提供一种好的技术方案.; 沈震陈程程王如志王波严辉

不同厚度ZnO缓冲层下Al0.1Ga0.9N纳米薄膜制备及其场发射性能: 本文利用脉冲激光沉积,分别制备了一系列不同厚度ZnO缓冲层的AlGaN纳米薄膜,对此薄膜进行场致电子发射测试表明,开启电场随着缓冲层厚度的变化而变化,且ZnO缓冲层厚度为38 nm的AlGaN薄膜开启电场最小,只有27....; 沈震宋志伟王如志严辉; 关键词：铝镓氮场发射; 文献传递

PECVD制备BN纳米薄膜及其场发射增强研究: 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在Si 基底上制备BN 纳米薄膜，研究了不同生长参数对BN 纳米薄膜形貌及性能的影响。并对BN 纳米薄膜退火前后进行了红外、拉曼及HRTEM 微结构表征及场发射性能测试分析。; 李亚楠王如志苏超华沈震; 关键词：BN PECVD 场发射

PECVD制备高质量、大电流密度GaN纳米线及其场发射性能研究: 利用自主组装设计的等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),用N2、H2 替代常用的NH3,在Si 衬底上制备大面积高质量的GaN 纳米线,考察了不同生长参数对纳米线形貌的影响,并系统研究了衬底种类和处理条件、不同生长温...; 沈震王如志; 关键词：宽禁带半导体 GAN纳米线 PECVD 场发射

无氨法制备InN纳米线的研究: 随着发光二极管(LEDs)、激光二极管(LDs)、高频晶体管等半导体器件的迅速发展,InN已经被证实是一种非常重要的Ⅲ族氮化物半导体材料.InN 的带隙为0.7eV,具有立方(c-InN)和六方(h-InN)结构.本文采...; 姬宇航沈震王如志

Yb^(3+)、Ho^(3+)共掺杂NaYF_4上转换发光材料制备及其发光性能被引量：2: 2016年; 为了提高单结非晶硅太阳能电池的光电转换效率,缓解日益严重的能源和环境问题,采用高温固相法制备了稀土离子Yb^(3+)和Ho^(3+)共掺的NaYF_4上转换粉体,并对其进行了X射线衍射测试、扫描电镜以及光致发光测试.对Yb^(3+)和Ho^(3+)共掺的NaYF_4上转换发光材料在热处理工艺下的变化进行了研究,分析了表面形貌和相结构对上转换发光性能的影响.发现在980 nm近红外光的激发下,共产生3个发射峰,中心波长分别位于541、649、750 nm,为非晶硅太阳能电池的最佳响应波段,表明该材料可应用于非晶硅太阳能电池提升其电池效率.进一步研究表明:可通过改变退火温度来改变样品的表面形貌和相结构,进而大幅度提高样品的上转换发光性能.在退火温度为700℃时,样品呈标准六方相结构、表面致密、粒径均匀、上转换性能提高近40倍.; 严辉盖红王如志林捷沈震; 关键词：NAYF4 上转换发光相结构稀土离子

不同厚度ZnO缓冲层下Al0.1Ga0.9N纳米薄膜制备及其场发射性能: 本文利用脉冲激光沉积,分别制备了一系列不同厚度ZnO缓冲层的AlGaN纳米薄膜,对此薄膜进行场致电子发射测试表明,开启电场随着缓冲层厚度的变化而变化,且ZnO缓冲层厚度为38 nm的AlGaN薄膜开启电场最小,只有27....; 沈震宋志伟王如志严辉; 关键词：铝镓氮场发射

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沈震