富小妹
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制
- 1989年
- 本文报告了一种OEIC器件:单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制结果.为解决光电器件与电子器件在集成上的兼容性,采用了在结构衬底上进行平面化外延的新工艺,达到了器件的准平面结构,并对器件的主要参数进行了计算,选取了较佳的载流子浓度.制成的单片集成器件中,PIN光探测器的量子效率在1.3μm处为57％,暗电流在-5V下小于100nA,JFET的跨导为34ms/mm,与计算植相符.对器件进行光接收功能测试获得了预期的结果.
- 张永刚富小妹潘慧珍
- 关键词：OEICINGAASJFET光探测器
- InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成被引量：1
- 1989年
- 本文采用计算机辅助分析等方法,讨论了InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)结构参数与其性能的关系.在此基础上,提出了一种准平面、双集电区HBT,及其相应的制作工艺.初步测试了器件的性能,就其与材料质量的关系作了讨论.文章还提出和制作了一种采用这种HBT为电子器件的光电子集成电路(OEIC).
- 李维旦富小妹潘慧珍
- 关键词：INGAASP/INP异质结晶体管
- InGaAsP隐埋脊形激光器与HBT的平面化集成研究
- 秦宏富小妹周平
- 关键词：双极晶体管液相外延
- InP中的Be、P共注入及其退火特性研究
- 1989年
- 本文对InP中的Be单注入和Be、p共注入及其退火特性进行了比较.SIMS和电化学C-V测试结果表明:采用Be、P共注入可以抑制退火过程中的Be扩散再分布,提高载流子的激活率,改善Pn结的电特性.与单注入相比,共注入样品Be的激活率提高了近一倍.pn结的击穿电压提高,漏电流明显减小.文中对共注入改善退火特性的机理进行了讨论.
- 张永刚富小妹潘慧珍
- 关键词：离子注入热退火铍磷
