潘慧珍
- 作品数：11 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制
- 1989年
- 本文报告了一种OEIC器件:单片集成InGaAs PIN-JFET光接收器的设计与研制结果.为解决光电器件与电子器件在集成上的兼容性,采用了在结构衬底上进行平面化外延的新工艺,达到了器件的准平面结构,并对器件的主要参数进行了计算,选取了较佳的载流子浓度.制成的单片集成器件中,PIN光探测器的量子效率在1.3μm处为57％,暗电流在-5V下小于100nA,JFET的跨导为34ms/mm,与计算植相符.对器件进行光接收功能测试获得了预期的结果.
- 张永刚富小妹潘慧珍
- 关键词：OEICINGAASJFET光探测器
- InP/InGaAs（P）材料中的低温开管扩散
- 李维卫潘慧珍
- 关键词：光电器件半导体工艺光通信半导体材料
- InAs衬底上液相外延生长InAsPSb的溶体组份、晶格失配及表面形貌
- 1991年
- 对InAs衬底上液相外延生长四元系InAs_(1-x-y)P_xSb_y(x=0.2,y=0.09)材料进行了研究,此材料适合于2.5μm中红外波段的光源及光探测器应用。实验发现InAsPSb/InAs外延片的表面形貌与晶体失配之间有确定的关系,据此可以方便地调节溶体组份以生长高质量的异质结构。对其机理进行了探讨,已生长了InAsPSb pn结并获得满意的载流子剖面分布。
- 张永刚周平陈慧英潘慧珍
- 关键词：INASINASPSB
- InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成被引量：1
- 1989年
- 本文采用计算机辅助分析等方法,讨论了InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)结构参数与其性能的关系.在此基础上,提出了一种准平面、双集电区HBT,及其相应的制作工艺.初步测试了器件的性能,就其与材料质量的关系作了讨论.文章还提出和制作了一种采用这种HBT为电子器件的光电子集成电路(OEIC).
- 李维旦富小妹潘慧珍
- 关键词：INGAASP/INP异质结晶体管
- 半导体激光器驱动电路的研制
- 林瑜潘慧珍
- 关键词：半导体激光器驱动线路单片电路
- 异质结材料及其表面金属膜的俄歇能谱研究
- 1991年
- 本文阐述主要使用AES研究单层或多层InP/InGaAsP异质结材料的界面,发现晶格失配会引起组分缓变。另外也分析了各种不同温度下的欧姆接触,观察到各金属之间及金属/半导体界面上的相互扩散情况。
- 严申生李唯旦潘慧珍
- 关键词：金属膜AES
- LP-MOVPE设备分析
- 1993年
- 本文以三种国外的LP—MOVPE(低压—金属有机物气相外延)设备为例,介绍了LP—MOVPE设备的工作原理,并对设备各个部分的构成及其功能作了详细的分析,在此基础上对三种设备的性能及其特点进行了讨论与比较。
- 张永刚林瑜潘慧珍
- 关键词：半导体材料
- InAsPSb/InAs中红外光电探测器被引量：1
- 1992年
- 本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外(1—3.2μm)光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4×10~9cmHz^(1/2)/W,瞬态响应时间为1.2ns(FWHM).
- 张永刚周平单宏坤潘慧珍
- 关键词：光电探测器
- 单片集成光发射器频率特性分析被引量：4
- 1989年
- 本文对Tucker等的激光二极管小信号模型作了改进,进而用SPICE程序分析了由异质结晶体管(HBT)电路和激光二极管组成的单片集成光发射器的频率特性。通过分析,提取了适合于目前常规工艺的优化参数,并就此计算了优化后的OEIC频率特性。电路参数优化后的单片集成光发射器的频响接近单个LD的频响。
- 李维旦严志新王晨潘慧珍
- 关键词：单片集成光发射器频率特性HBT
- InP中的Be、P共注入及其退火特性研究
- 1989年
- 本文对InP中的Be单注入和Be、p共注入及其退火特性进行了比较.SIMS和电化学C-V测试结果表明:采用Be、P共注入可以抑制退火过程中的Be扩散再分布,提高载流子的激活率,改善Pn结的电特性.与单注入相比,共注入样品Be的激活率提高了近一倍.pn结的击穿电压提高,漏电流明显减小.文中对共注入改善退火特性的机理进行了讨论.
- 张永刚富小妹潘慧珍
- 关键词：离子注入热退火铍磷
