崔帅
- 作品数：4 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响
- 2005年
- 对注F和未注FCC4 0 0 7器件在 10 0℃高温老化后的Co60 辐照特性进行了研究 .研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累 ,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照中界面态积累的同时却增加了氧化物电荷的积累 ,损害了器件的可靠性 .可见 。
- 崔帅余学峰任迪远张华林艾尔肯
- 关键词：辐照可靠性
- 不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响被引量：9
- 2004年
- 对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明显的衰降;各种剂量率辐照下,电流增益在发射结反向偏置时比浮空偏置时有更为显著的下降。文章对相关机理进行了探讨。
- 张华林陆妩任迪远崔帅
- 关键词：双极晶体管偏置剂量率电离辐照
- 不同剂量率下NPN管和NMOSFET管的电离辐照效应被引量：3
- 2005年
- 研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效应是时间相关效应 ,而非真正的剂量率效应。
- 张华林任迪远陆妩崔帅
- 关键词：剂量率效应阈电压
- 双极晶体管的低剂量率电离辐射效应被引量：19
- 2004年
- 通过对 npn管和 pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验 ,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应 .结果表明 ,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著 ,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度 ,致使低剂量率下过量基极电流明显增大 .而辐照后 npn管比 pnp管具有更大的有效表面复合面积 ,致使前者比后者有更大的表面复合电流 ,从而导致了在各种剂量率辐照下 ,npn管比 pnp管对电离辐射都更为敏感 .
- 张华林陆妩任迪远郭旗余学锋何承发艾尔肯崔帅
- 关键词：低剂量率电离辐射双极晶体管空间电荷
