张希清
- 作品数：24 被引量：188H指数：7
- 供职机构：北方交通大学理学院光电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高等学校骨干教师资助计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- CdSe/CdZnSe超晶格的激子光学性质的研究被引量：3
- 2002年
- 用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe Cd0 .65Zn0 .3 5Se超晶格结构。利用X射线衍射 (XRD)、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe CdZnSe超晶格结构和激光复合特性 ,在该材料中观测到激子激子散射发射峰 ,变密度激发光致发光光谱和变温度光致发光光谱证实了这一现象。激子发射峰的线宽随着温度的升高而展宽 ,低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的 ,高温时激子线宽展宽是由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的 ,光致发光的强度随着温度的升高而降低 ,这主要是由激子的热离化造成的 ,也就是说 。
- 张希清梅增霞段宁徐征王永生徐叙瑢Tang Z K
- 关键词：光学性质激子超晶格半导体
- 可溶性PPV衍生物电致发光器件被引量：2
- 2000年
- 研究了MN -PPV薄膜的光致发光和电致发光特性。结果表明 ,单层器件中的电致发光峰值位置与所加电压无关 ;在双层器件结构 (ITO/MN -PPV/Alq3/Al)中 ,当Alq3层很薄(小于或等于 10nm)时 ,仅看到MN -PPV的发光 ;当Alq3的厚度为 2 0nm时 ,可看到Alq3的特征发光 ,但Alq3的发光峰值强度与MN -PPV的发光峰值强度之比随电压增大而下降 ;当Alq3的厚度为 30nm时 ,Alq3的发光峰值强度与MN -PPV的发光峰值强度之比随电压增大而增大 ,并最终达到某一数值。根据能带理论和电荷对势垒界面的隧穿特性 ,指出这是由于器件中电场的重新分布和电场作用下电荷遂穿势垒界面综合作用的结果。
- 杨盛谊王振家陈晓红徐征董金凤侯延冰张希清
- 关键词：电致发光器件
- ZnS:Mn摩擦发光特性的研究被引量：8
- 2001年
- 本文报道了ZnS :Mn具有良好摩擦发光性能。研究了ZnS :Mn发光中心Mn2 + 及其含量以及样品的灼烧温度、灼烧时间等条件对样品发光特性的影响。优化浓度配比和制备条件制备出了较高摩擦发光效率的ZnS :Mn摩擦发光材料。摩擦发光机理可能是由于机械能使ZnS :Mn的电子从基态激发到激发态所致 ,而具有较高的摩擦发光效率可能来源于ZnS
- 梅增霞张希清姚志刚韩建民李家泽
- 关键词：摩擦发光ZNSMN硫化锌
- ZnO薄膜的制备和激子特性的研究
- 近些年来,短波激光二极管已成为半导体激光器件研究的一个热点。1997年香港科技大学的Tang首次报道了ZnO薄膜的光泵浦激光发射,其阈值低、增益高,对ZnO的研究在国内外倍受关注,这是因为ZnO薄膜具有大的激子结合能和强...
- 梅增霞张希清衣立新赵谡玲王晶李庆福韩建民
- 文献传递
- ZnO:Eu^(3+)纳米晶的制备及其光谱分析被引量：21
- 2003年
- 制备了ZnO:Eu^(3+)的纳米颗粒,得到粒径在5nm左右的纳米晶。通过光谱分析研究了不同浓度的掺杂对ZnO发光性质的影响,Eu掺杂可以提高纳米ZnO的发光亮度及影响其粒径大小,并观察到了ZnO与Eu之间的能量传递。
- 李庆福黄世华刘舒曼张希清
- 关键词：纳米晶光致发光铕
- ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长和激子光学性质的研究
- 2001年
- 用分子束外延在 Ga As衬底上生长了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构 .利用 X射线衍射 ( XRD)、变温度 PL光谱和 ps发光衰减等研究了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构和激子复合特性 .由变温 PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理 .
- 张希清梅增霞段宁Tang ZK
- 关键词：激子分子束外延X射线衍射XRD
- 可调光子晶体研究进展被引量：18
- 2003年
- 可调光子晶体是光子晶体研究中的一个新领域 .文章简单介绍了当前可调光子晶体的发展状况 ,阐述了其调制机理及存在的问题 ,同时论述了可调光子晶体的发展趋势 .
- 王东栋王永生张希清何志群
- 关键词：光子禁带介电系数
- 高场作用下有机单层器件的复合发光被引量：6
- 2002年
- 考虑载流子经过体材料内部所受限制对Fowler-Nordheim隧穿电流密度的影响,建立了高电场下有机单层器件的复合发光模型,并求出了复合电流密度和复合效率以及电导率的数学表达式,很好地解释了电场强度对迁移率和复合区域的调制作用.载流子的平衡注入以及复合区域的尽可能靠近器件中部以减少漏电流,都是提高器件发光效率的重要条件.只有当电压增大到某一数值时,由于注入的载流子多于器件实际输运载流子的能力,才会出现空间电荷限制电流.
- 杨盛谊徐征王振家侯延冰徐叙瑢张希清
- 关键词：复合发光有机电致发光电场强度电导率
- CdSe/CdZnSe多量子阱的激子复合性质的研究
- 1999年
- 采用ＭＢＥ制备了ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ 多量子阱结构．Ｘ射线衍射谱的最高阶次是７，在７７Ｋ下ＰＬ光谱的线宽是４．２ｎｍ ，表明我们的样品具有较高的质量．在变密度激发的ｐｓ 时间分辨光谱中，随着激发密度的减小发光衰减时间减小，认为是由无辐射复合引起的．
- 张希清徐征侯延冰王振家王永生徐叙溶Z.K.Tang汪河州李伟良赵福利蔡志刚周建英
- 关键词：多量子阱半导体异质结
- CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究被引量：1
- 2001年
- 用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe CdMnSe多量子阱结构 .利用X射线衍射 (XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性 .讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理 .发现不同激发密度下发光衰减时间不同 ,认为它的机理可能是无辐射复合引起的 .在该材料中观测到激子 激子散射发射峰 ,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实 .
- 张希清梅增霞段宁徐征王永生徐叙瑢Z.K.Tang
- 关键词：多量子阱光学性质激子分子束外延生长X射线衍射
