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梅增霞

作品数:9 被引量:72H指数:4
供职机构:北方交通大学理学院光电子技术研究所更多>>
发文基金:高等学校骨干教师资助计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇激子
  • 3篇发光
  • 3篇发光特性
  • 3篇ZNO
  • 3篇ZNO薄膜
  • 2篇多量子阱
  • 2篇射线衍射
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇X射线衍射
  • 1篇动力学
  • 1篇氧化锌
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇受激

机构

  • 9篇北方交通大学
  • 2篇香港科技大学
  • 1篇北京理工大学

作者

  • 9篇张希清
  • 9篇梅增霞
  • 3篇李庆福
  • 3篇徐征
  • 3篇徐叙瑢
  • 3篇段宁
  • 2篇王永生
  • 2篇衣立新
  • 2篇赵谡玲
  • 2篇王晶
  • 1篇段宁
  • 1篇韩建民
  • 1篇姚志刚
  • 1篇李家泽
  • 1篇王志坚
  • 1篇黄世华

传媒

  • 2篇光谱学与光谱...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2003
  • 3篇2002
  • 5篇2001
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
ZnS:Mn摩擦发光特性的研究被引量:8
2001年
本文报道了ZnS :Mn具有良好摩擦发光性能。研究了ZnS :Mn发光中心Mn2 + 及其含量以及样品的灼烧温度、灼烧时间等条件对样品发光特性的影响。优化浓度配比和制备条件制备出了较高摩擦发光效率的ZnS :Mn摩擦发光材料。摩擦发光机理可能是由于机械能使ZnS :Mn的电子从基态激发到激发态所致 ,而具有较高的摩擦发光效率可能来源于ZnS
梅增霞张希清姚志刚韩建民李家泽
关键词:摩擦发光ZNSMN硫化锌
CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究被引量:1
2001年
用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe CdMnSe多量子阱结构 .利用X射线衍射 (XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性 .讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理 .发现不同激发密度下发光衰减时间不同 ,认为它的机理可能是无辐射复合引起的 .在该材料中观测到激子 激子散射发射峰 ,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实 .
张希清梅增霞段宁徐征王永生徐叙瑢Z.K.Tang
关键词:多量子阱光学性质激子分子束外延生长X射线衍射
ZnO薄膜的制备和激子特性的研究
近些年来,短波激光二极管已成为半导体激光器件研究的一个热点。1997年香港科技大学的Tang首次报道了ZnO薄膜的光泵浦激光发射,其阈值低、增益高,对ZnO的研究在国内外倍受关注,这是因为ZnO薄膜具有大的激子结合能和强...
梅增霞张希清衣立新赵谡玲王晶李庆福韩建民
文献传递
CdSe/CdZnSe超晶格的激子光学性质的研究被引量:3
2002年
用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe Cd0 .65Zn0 .3 5Se超晶格结构。利用X射线衍射 (XRD)、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe CdZnSe超晶格结构和激光复合特性 ,在该材料中观测到激子激子散射发射峰 ,变密度激发光致发光光谱和变温度光致发光光谱证实了这一现象。激子发射峰的线宽随着温度的升高而展宽 ,低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的 ,高温时激子线宽展宽是由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的 ,光致发光的强度随着温度的升高而降低 ,这主要是由激子的热离化造成的 ,也就是说 。
张希清梅增霞段宁徐征王永生徐叙瑢Tang Z K
关键词:光学性质激子超晶格半导体
ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长和激子光学性质的研究
2001年
用分子束外延在 Ga As衬底上生长了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构 .利用 X射线衍射 ( XRD)、变温度 PL光谱和 ps发光衰减等研究了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构和激子复合特性 .由变温 PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理 .
张希清梅增霞段宁Tang ZK
关键词:激子分子束外延X射线衍射XRD
ZnO薄膜制备及其发光特性研究被引量:9
2002年
用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响。通过对样品的X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度为230℃、退火温度为400℃时样品结晶性能最佳,并具有最强的紫外光发射(380nm)。
王晶张希清梅增霞黄世华徐征
关键词:ZNO薄膜发光特性光致发光半导体化合物
CdTe/CdMnTe多量子阱的生长和激子复合动力学性质的研究
2001年
用分子束外延在GeAs衬底上生长了 CdTe/Cd0.8Mn0.2多量子阱结构。利用X射线衍射(XRD)、低激发密度下的PL光谱和变密度激发的 ps时间分辨光谱研究了 CdTe/CdMnTe多量子阱的结构和激子复合特性。在变密度激发的ps时间分辨光谱中,发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的。
张希清梅增霞段宁ZK Tang
关键词:动力学半导体
ZnO薄膜的制备和发光特性的研究被引量:40
2002年
用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜。在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响。从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位。以上结果说明:用溅射方法制备的ZnO薄膜结晶质量较好,富锌状态有所改善。
梅增霞张希清衣立新衣立新赵谡玲王晶赵谡玲
关键词:ZNO薄膜光致发光氧化锌薄膜半导体材料
ZnO薄膜受激发射特性的研究被引量:11
2003年
氧化锌薄膜因其大的激子结合能和强的光发射、激光阈值低和能在高温下工作等优点而成为制备短波长激光、发光二极管等光电子器件的有希望材料。采用激光分子束外延 (L MBE)方法制备了ZnO薄膜。在室温下 ,测量了样品的吸收光谱 ,以及不同光泵浦强度下的发射光谱。从光谱图中可以看出该材料有很好的质量。研究了ZnO薄膜的受激发射特性及机理 ;测量了发射光强与泵浦光强之间的关系 ;比较了较高激发密度下的受激发射、自发发射和激光脉冲的时间特性 ,这些都证实了该发射是受激发射。
梅增霞张希清王志坚王晶李庆福徐叙瑢
关键词:ZNO薄膜受激发射氧化锌激光脉冲
共1页<1>
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