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张建国

作品数：21 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 16篇发光
  • 10篇硅基
  • 8篇光材料
  • 8篇掺杂
  • 7篇稀土
  • 7篇发光材料
  • 7篇发光器件
  • 4篇杂质离子
  • 4篇稀土掺杂
  • 4篇隔离层
  • 4篇硅基材料
  • 4篇硅基二氧化硅
  • 3篇电致发光
  • 3篇电致发光器件
  • 3篇纳米
  • 3篇半导体
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇等离子增强化...

机构

  • 21篇中国科学院

作者

  • 21篇张建国
  • 18篇王启明
  • 18篇成步文
  • 14篇余金中
  • 11篇王晓欣
  • 5篇左玉华
  • 4篇李传波
  • 4篇毛容伟
  • 4篇姚飞
  • 4篇薛春来
  • 3篇罗丽萍
  • 2篇王启明
  • 1篇黄昌俊
  • 1篇高俊华
  • 1篇丁武昌

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 9篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2002
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
包含硅基高效发光材料的电致发光器件及制备方法
一种包含硅基高效发光材料的电致发光器件，采用杂质离子注入在硅基二氧化硅薄膜里实现硅基材料的高效室温发光，包括：一p－型或n－型硅衬底；一掺杂层，该掺杂层制作在硅衬底上，该掺杂层是在硅衬底上生长的二氧化硅上用离子注入的方法...
张建国成步文余金中王启明
文献传递
稀土复合离子注入发光材料制备方法
本发明一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上注入稀土离子的复合离子；步骤3：退火，完成发光材料的制备。其核心是在离子注入进行稀土离子掺杂时利用稀土复合离...
张建国王晓欣成步文余金中王启明
文献传递
硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法
一种硅基高效等电子掺杂发光器件，其中包括：一n－型或p－型硅基衬底；一硅基掺杂层，该硅基掺杂层制作在n－型或p－型硅基衬底上面，该硅基掺杂层是发光器件的有源区；一p－型或n－型重掺硅层，该p－型或n－型重掺硅层制作在硅基...
张建国王晓欣成步文余金中王启明
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硅基稀土掺杂发光材料掺杂方法
一种硅基稀土掺杂发光材料制备方法，其特征在于，其中包括如下步骤：步骤1：取一硅基衬底体材料，或硅基衬底体材料上的薄膜；步骤2：通过离子注入或淀积的方法在衬底材料或硅基衬底体材料上的薄膜表面生长一层含有杂质的硅基薄膜；步骤...
张建国王晓欣成步文余金中王启明
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包含硅基发光材料的电致发光器件及制备方法
一种包含硅基高效发光材料的电致发光器件，采用杂质离子注入在硅基二氧化硅薄膜里实现硅基材料的高效室温发光，包括：一p-型或n-型硅衬底；一掺杂层，该掺杂层制作在硅衬底上，该掺杂层是在硅衬底上生长的二氧化硅上用离子注入的方法...
张建国成步文余金中王启明
文献传递
稀土复合离子注入发光材料制备方法
本发明一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上注入稀土离子的复合离子；步骤3：退火，完成发光材料的制备。其核心是在离子注入进行稀土离子掺杂时利用稀土复合离...
张建国王晓欣成步文余金中王启明
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硅基稀土掺杂电致发光器件
本发明一种硅基稀土掺杂电致发光器件，其中包括：一p－型或n－型硅衬底；一稀土掺杂硅基发光材料，该稀土掺杂硅基发光材料制作在p－型或n－型硅衬底上，该稀土掺杂硅基发光材料是器件的有源区；一纳米尺寸厚度的介质层作为加速层，此...
张建国王晓欣成步文余金中王启明
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SiGe/Si HBT的材料生长和器件研制
介绍了SiGe/Si HBT材料的UHV/CVD生长工艺,并用电化学C-V和二次离子质谱分别研究了SiGe/Si HBT材料的载流子分布和组分分布,测试结果表明实现了对掺杂的严格控制,有效抑制了杂质的扩散,所生长的材料达...
成步文左玉华毛容伟李传波黄昌俊张建国高俊华余金中王启明
关键词：SIGE/SI
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包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件及制备方法
一种包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件，在稀土离子注入的基础上，利用大剂量的杂质离子注入的办法在硅基二氧化硅薄膜里引入大量的非桥键氧原子，这种非桥键氧原子和稀土离子结合形成有效的稀土发光中心，其中包括：一p-型或n-...
张建国成步文余金中王启明
文献传递
B在SiGe中的应变补偿作用被引量：1
2005年
用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.23×10-24cm3/atom.
成步文姚飞薛春来张建国李传波毛容伟左玉华罗丽萍王启明
关键词：SIGE掺杂
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共3页<123>
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