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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇数据丢失
  • 2篇微电子
  • 2篇温度
  • 2篇相变存储
  • 2篇相变存储器
  • 2篇结晶温度
  • 2篇晶粒
  • 2篇晶粒尺寸
  • 2篇TE
  • 2篇尺寸
  • 2篇存储器

机构

  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇王珂
  • 2篇张泽
  • 2篇刘波
  • 2篇张挺
  • 2篇宋志棠
  • 2篇封松林
  • 2篇韩晓东
  • 2篇成岩

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料
用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料属于微电子技术领域。目前Ge<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>Sb<Sub>2</Sub>材料的结晶温度较低(约为165度)面临着数据丢失的危险。本发明提...
韩晓东成岩王珂张泽宋志棠刘波张挺封松林
文献传递
用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料
用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料属于微电子技术领域。目前Ge<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>Sb<Sub>2</Sub>材料的结晶温度较低(约为165度)面临着数据丢失的危险。本发明提...
韩晓东成岩王珂张泽宋志棠刘波张挺封松林
文献传递
共1页<1>
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