徐楠
- 作品数：7 被引量：4H指数：2
- 供职机构：江苏大学能源与动力工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省普通高校研究生科研创新计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 自由基对气相化学反应生长GaN的影响研究被引量：3
- 2012年
- 结合化学反应动力学模型,对MOCVD反应器中自由基对GaN生长的化学反应路径的影响进行数值模拟研究。通过对比加入自由基前后RDR反应器中Ga浓度变化,来分析自由基对化学反应热解路径的影响。同时改变压强,分析操作参数的变化对自由基活性的影响。研究发现:在不考虑自由基的反应路径,薄膜生长的主要前体为DMG;而考虑自由基的反应路径,主要的生长前体为MMG。自由基的存在加速了DMG向MMG的热解,使得DMG分解为MMG速度远大于TMG分解为DMG的速度,导致衬底上方的MMG浓度高于DMG。而操作压强的变化仅仅对流动边界层产生了影响,对热解路径影响不大。
- 徐楠左然何晓崐于海群
- 关键词：MOCVDGAN化学反应数值模拟
- MOCVD生长GaN及AlN的化学反应路径分析及数值模拟
- 对于紫外光电探测器、激光二极管等GaN基光电子器件,A1组分的生长至关重要。但是由于Al原子的化学活性大大于Ga原子,造成AlN的生长机理和GaN相比存在很大的差异。而利用MOCVD方法生长A1N时,存在寄生反应强烈、生...
- 于海群左然何晓岷徐楠
- 关键词：MOCVDGANALN数值模拟
- 垂直式MOCVD反应器中热泳力对浓度分布的影响分析被引量：2
- 2012年
- 从分子动力学理论出发,推导出垂直式MOCVD反应器中热泳力和热泳速度与温度、温度梯度、压强、粒子直径的关系式,以及热泳速度与扩散速度、动量速度平衡时的关系式。在典型的生长条件下,计算得到在温度T=605K时,热泳速度与扩散速度、动量速度动量平衡,TMGa浓度达到最大。然后在不考虑化学反应和考虑化学反应两种情况下,针对垂直式MOCVD反应器内的热泳力对粒子浓度分布和沉积的影响进行数值模拟,模拟给出反应粒子在反应器不同进口温度、衬底温度时的温度分布、浓度分布和反应速率。并与文献中的实验值进行对比,模拟结果与实验值有很好的吻合。
- 于海群左然徐楠何晓崐
- 关键词：MOCVDGAN数值模拟
- GaN的MOCVD生长气相反应路径分析及其数值模拟
- 在GaN的MOCVD生长中,关于气相反应路径仍存在较大争议。通过对已有的实验研究进行详细分析发现,尽管使用了类似的压力和温度条件(MOCVD的典型生长条件),但是研究人员采用的Ga(CH_3)_3/NH_3进气的混合方式...
- 左然于海群徐楠何晓岷
- 关键词：GANMOCVD化学反应数值模拟
- 垂直转盘式MOCVD反应器中GaN化学反应路径的影响研究被引量：2
- 2012年
- 对垂直转盘式MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行研究。结合反应动力学模型,分别采用预混合进口但改变反应腔高度,以及采用环形分隔进口,对反应器的温场、流场和浓度场进行CFD数值模拟,由此确定反应器结构参数对化学反应路径的影响。通过观察主要含Ga粒子的浓度分布以及不同反应路径对生长速率的贡献,判断该反应器可能采取何种反应路径。研究发现,RDR反应器的主要反应路径是TMG热解为DMG,DMG为薄膜沉积的主要前体。反应腔高度变化对反应路径影响较小,但生长速率略有增大;当从预混合进口改为环形分隔进口时,生长更倾向于TMG热解路径,同时生长速率增大,但均匀性变差。
- 徐楠左然何晓焜于海群
- 关键词：生长速率MOCVDGAN
- 原子层外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜机理的研究进展
- 2012年
- 介绍了用于外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜的原子层外延(ALE)的国内外进展。以GaAs为例,讨论了ALE生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种:一种是吸附质阻挡机理,即Ga-(CH3)3在表面发生热解,最终Ga(CH3)x(x=1或2)在表面吸附,依靠Ga(CH3)x中CH3的空间位阻效应,表面反应自动停止;另一种是选择性吸附机理,即Ga(CH3)3在表面热解后形成的吸附物质是Ga原子,当表面完全覆盖一层Ga原子,即表面Ga原子饱和,表面反应自动停止。还介绍了ALE生长中的气相反应以及H原子对ALE生长过程的影响。
- 何晓崐左然徐楠于海群
- 关键词：原子层外延GAAS
- 自由基对GaN生长气相化学反应的影响研究
- 在MOCVD反应器中,GaN生长的气相热解反应是由TMG和DMG分解产生的自由基CH_3和H引起的链反应决定的。例如,Davide等通过量子化学理论研究发现,H自由基的引入会增强气相反应的活性。Yoshida等用质谱仪测...
- 徐楠左然
