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徐至中

作品数：37 被引量：15H指数：2
供职机构：复旦大学物理学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 26篇理学
  • 14篇电子电信

主题

  • 15篇电子能带
  • 15篇X
  • 14篇电子能
  • 14篇电子能带结构
  • 12篇晶格
  • 12篇超晶格
  • 11篇XSI
  • 8篇SI
  • 7篇砷化镓
  • 6篇光学
  • 6篇半导体
  • 6篇M
  • 6篇GAAS
  • 5篇光学性
  • 5篇光学性质
  • 4篇势垒
  • 4篇合金
  • 4篇XGA
  • 3篇电子态
  • 3篇深能级

机构

  • 37篇复旦大学

作者

  • 37篇徐至中
  • 4篇乔皓
  • 4篇张开明
  • 2篇杨中芹
  • 1篇邓闯
  • 1篇张勃
  • 1篇袁震宇
  • 1篇叶令
  • 1篇王迅
  • 1篇翁渝民
  • 1篇蒋平
  • 1篇徐光照
  • 1篇费伦
  • 1篇资剑

传媒

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  • 1篇物理
  • 1篇应用科学学报
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  • 1篇第七届全国凝...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 8篇1996
  • 5篇1995
  • 4篇1994
  • 5篇1993
  • 3篇1992
  • 2篇1991
  • 3篇1990
  • 2篇1989
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
温度对势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构的影响
1996年
采用有效质量近似下的包络函数方法，对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布进行了自洽计算．详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响．
徐至中
关键词：Δ掺杂GESISI电子能带结构温度
半导体合金介电常数的紧束缚计算
1990年
采用经验的紧束缚方法,在虚晶近似下,计算了与InP晶格相匹配的半导体合金Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)的介电常数虚部.计算时同时考虑了动量矩阵元的效应.
徐至中
关键词：介电常数
Ge_xSi_（1－x）／Si（001）量子阱的电子结构及光跃迁被引量：2
1994年
采用包络函数方法及Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｙ模型计算了量子阱ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ（００１）的电子结构．对量子阱的光跃迁几率进行了估算，并讨论了量子阱参数的最佳选择．
徐至中
关键词：电子结构光跃迁硅化锗
生长在Ge_xSi_（1－x）（001）衬底上应变GaAs层的光学性质
1995年
采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率，讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分ｘ的变化关系。计算结果表明：对所有ｘ值，及随ｘ的变小而变小；及随ｘ的变小而变大。对ｎ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使和变小；对ｐ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使变大，但使变小。
徐至中
关键词：振子强度砷化镓
Ge＿xSi＿（1－x）合金中的键长及其对电子能带结构的影响
1994年
采用经验紧束缚理论，以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金，根据总能最小原则计算了Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金中的键长及点阵常数．同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构，并与虚晶近似下的计算结果进行了比较．计算结果表明，Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金中的键长基本上与合金组分无关，各自接近于Ｇｅ，Ｓｉ晶体中的键长，与广延ｘ射线吸收精细结构（ＥＸＡＦＳ）测量结果符合得很好．原子位置的弛豫对合金的电子能带结构影响很小，对合金的电子能带结构起主要作用的是合金的化学组分无序．
徐至中
关键词：键长
生长在Si（001）衬底上的Ge_xSi_（1－x）合金的电子能带结构
1994年
采用紧束缚方法对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金形变层的电子能带结构进行了计算，并与ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的能带结构进行了比较．计算结果表明，对大部分合金组分ｘ（０≤ｘ≤０．９），形变层的导带底处在△轴上；当ｘ≥０．９后，导带底处在Ｌ点．形变层的直接能隙Ｅｇ（）及间接能隙Ｅｇ（△）和Ｅｇ（Ｌ）都比同组分ｘ的合金小，其下降量随组分ｘ的增大而增大．形变层的价带顶自旋－轨道分裂值△ｓ。也比相同组分的合金大，其增大值也随合金组分的增加而增加．
徐至中
关键词：硅衬底电子能带结构锗硅合金
表面势垒层厚度对量子阱束缚电子态的影响被引量：1
1991年
采用包络函数方法在四带k·p模型基础上计算了晶格匹配的量子阱 InP/Ca_(0.47)In_(0.53)As/InP中束缚电子能级及波函数,讨论了表面势垒层厚度对量子阱中束缚电子能级、波函数以及相应于电子基态能级与重空穴基态能级间的荧光谱峰位置的影响.文中也讨论了在势阱与势垒边界处的不同衔接条件对量子阱中束缚电子能级计算结果的影响.
徐至中
关键词：厚度电子态
量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)在阱平面方向上的电子能带色散关系
1997年
采用经验赝势方法及界面边界条件，计算了生长在Ge0．3Si0．7（001）衬底上的导带电子量子阱Ge0．3Si0．7／Si／Ge0．3Si0．7的电子束缚能级，对它们在阶平面方向上的色散关系进行了讨论。
徐至中
分子设计与能带工程
1991年
本文先以晶体三极管为例，说明了能带工程的目的、任务及其产生的原因，然后分别介绍了当前能带工程中所采用的几种常用材料：半导体多元合金材料、异质结量子阱及超晶格材料，最后对近年来新发展起来的量子线、量子点以及介观结构系统的电子能带结构及其对今后在电子器件中的应用前景作了简要的论述．
徐至中
关键词：分子设计固体物理
形变的SiGe合金中的深能级
1996年
该文对生长在Ｓｉ、Ｇｅ及其合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究．其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算，缺陷能级采用格林函数法进行计算．结果表明，晶格中的形变使原来类ｐ的Ｔ２能级发生分裂．形变还造成合金的价带顶有较大的上升，从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级．
乔皓徐至中张开明
关键词：深能级
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