乔皓
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
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- 形变的SiGe合金中的深能级
- 1996年
- 该文对生长在Ｓｉ、Ｇｅ及其合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究．其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算，缺陷能级采用格林函数法进行计算．结果表明，晶格中的形变使原来类ｐ的Ｔ２能级发生分裂．形变还造成合金的价带顶有较大的上升，从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级．
- 乔皓徐至中张开明
- 关键词：深能级
- Ｓｉ／Ｇｅ超晶格中的深能级
- 乔皓徐至中
- 关键词：硅锗超晶格半导体能级
- 形变Si,Ge中的深能级被引量：2
- 1993年
- 对生长在合金衬底上的形变Si或Ge中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究。其中形变体材料的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算,缺陷能级采用格林函数法进行计算出。结果表明,晶格中的形变使原来类p的T_2能级发生分裂,其数值随形变的增加而增大。形变还造成Si和Ge的价带顶有较大的上升,从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级。
- 乔皓徐至中张开明
- 关键词：硅锗能级
- 形变超晶格Si/Ge的能带结构被引量：1
- 1993年
- 用经验的紧束缚方法对短周期的(Si)_n/(Ge)_m形变超晶格的电子态进行了计算。结果表明,由于布里渊区折迭的要求,只有当n+m=10时超晶格才可能产生直接能隙。对周期为n+m=10的超晶格,Γ,N,△处的导带谷间的相对位置对直接能隙的形成具有决定作用,而n的大小与衬底的组分对此有极大影响。(Si)_6/(Ge)_4和(Si)_8/(Ge)_2超晶格在Si_(1-x)Ge_x衬底上生长时,当0.4≤x≤1.0时形成直接或近直接能隙,而(Si)_4/(Ge)_6超晶格当0.3≤x≤0.6时成为直接能隙,对(Si)_2/(Ge)_8超晶格则不存在直接能隙。
- 乔皓资剑徐至中张开明
- 关键词：超晶格半导体能隙
- 形变Si、Ge、Si/Ge超晶格的电子结构和杂质态及GaAs中Si-δ掺杂的电子态
- 乔皓
- 关键词：超晶格电子结构杂质态电子态
- 碱金属在GaAs(110)表面上的吸附被引量：1
- 1991年
- 本文讨论Li,Na,K,Cs在GaAs(110)表面上的吸附,考虑理想表面和弛豫表面两种情况。计算采用集团模型,用电荷自洽的Extended Huchel theory(缩写为 EHT)方法进行。结果表明,吸附后表面原子趋向于理想位置,碱金属原子位于垂直于表面沿[001]方向横跨表面Ga原子的对称平面上。碱金属吸附后的费密能级在价带顶以上约0.7eV处,是由表面Ga原子与碱金属原子间的相互作用决定的。而在价带中碱金属原子主要与表面As原子成键。
- 乔皓张开明
- 关键词：碱金属GAAS半导体
