曾明刚
- 作品数：4 被引量：25H指数：2
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制被引量：6
- 2003年
- 用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异,掺入的稀土元素铒呈三价,电致发光谱为Er3+的发光谱线,硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容.
- 陈松岩曾明刚王水菊陈谋智蔡加法林爱清邓彩玲
- 关键词：硅衬底硫化锌薄膜发光器件电致发光谱半导体发光材料
- 用XPS法研究硅基硫化锌薄膜
- 2005年
- 应用X射线光电子能谱(XPS)研究Si基ZnS:Cu,Er薄膜的化学元素组成、分布和价态, 认为Cu元素只有少数部分进入晶格中替代Zn2+起激活剂的作用,Er元素在ZnS基质中分布不均匀,且会与氧结合。PL测试发现样品发绿光,主要发光峰出现劈裂,对研究薄膜中的杂质中心、实现Si基发光有参考意义。
- 曾明刚陈松岩林爱清邓彩玲蔡贝妮
- 关键词：X射线光电子能谱
- 新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响被引量：2
- 2004年
- 在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径。首次采用含CH3CSNH2的HF酸水溶液作为氧化剂对初始多孔硅进行了湿法阳极氧化,大大改善了多孔硅的发光强度,并研究了氧化电流密度、氧化温度、氧化时间等一系列因素对氧化多孔硅光致发光强度的影响。实验发现,在电流密度1mA/cm2,氧化液温度60℃,氧化时间为10min的条件下,可以获得最强光致发光;在此最优条件下得到的氧化样品较初始样品发光增强了18倍。
- 蔡贝妮陈松岩曾明刚蔡加法
- 关键词：氧化多孔硅发光强度光致发光HF
- ITO薄膜微结构对其光电性质的影响被引量：17
- 2004年
- 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3+的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考.
- 曾明刚陈松岩陈谋智王水菊林爱清邓彩玲
- 关键词：ITO薄膜微结构光电性质磁控溅射透射率
