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李代青
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1
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烟台大学
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相关领域:
核科学技术
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合作作者
刘明
烟台大学
任廷琦
烟台大学
万亚
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1995
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离子注入Al_xGa_(1-x)As/GaAs和GaAs中的晶格损伤与相对化学
1995年
用卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)技术研究了1MeVSi+注入超晶格Al0.3Ga0.7As/GaAs和晶体GaAs中引起的晶格损伤.结果表明,在5×1014-5×1016离子/cm2注入剂量范围内,Al0.3Ga0.7As/GaAs中的损伤程度总小于GaAs中对应条件下的结果,但这种差异随注入剂量和衬底温度的提高而减小.室温注入造成的晶格损伤程度均较衬底加温350℃注入造成的结果更为严重.基于对模拟AlxGa(1-x)As/GaAs和GaAs的一组原子簇的分子轨道计算,用相对化学键强度为AlxGa(1-x)As/GaAs和GaAs中这种辐照损伤的程度和空间分布,提供了一种新的理解.
官宝安
李代青
任廷琦
万亚
刘明
关键词:
镓
原子簇
分子轨道
离子注入
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