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离子注入Al_xGa_（1－x）As／GaAs和GaAs中的晶格损伤与相对化学: 1995年; 用卢瑟福背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋注入超晶格Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ和晶体ＧａＡｓ中引起的晶格损伤．结果表明，在５×１０１４－５×１０１６离子／ｃｍ２注入剂量范围内，Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ中的损伤程度总小于ＧａＡｓ中对应条件下的结果，但这种差异随注入剂量和衬底温度的提高而减小．室温注入造成的晶格损伤程度均较衬底加温３５０℃注入造成的结果更为严重．基于对模拟ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ和ＧａＡｓ的一组原子簇的分子轨道计算，用相对化学键强度为ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ和ＧａＡｓ中这种辐照损伤的程度和空间分布，提供了一种新的理解．; 官宝安李代青任廷琦万亚刘明; 关键词：镓原子簇分子轨道离子注入

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李代青