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李俊伍
作品数:
3
被引量:2
H指数:1
供职机构:
东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
江苏省“青蓝工程”资助基金
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
秦明
东南大学电子科学与工程学院微电...
孙萍
东南大学电子科学与工程学院微电...
陈明园
东南大学电子科学与工程学院微电...
顾慧
东南大学电子科学与工程学院微电...
黄见秋
东南大学电子科学与工程学院微电...
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孙萍
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2篇
电子器件
年份
3篇
2010
共
3
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一种用于MEMS器件的Au-In倒装焊技术
被引量:2
2010年
介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵列。在150~300℃下成功的进行了Au-In倒装键合实验。在300℃,0.3 MPa压力下键合的剪切强度达到了5 MPa。
陈明园
孙萍
李俊伍
秦明
关键词:
倒装焊
基于TMAH溶液的PN结自停止腐蚀的研究
2010年
MEMS器件的性能与尺寸密切相关。介绍了一种精确控制器件尺寸的各向异性腐蚀方法——基于改进TMAH溶液的PN结自停止腐蚀。这种方法几乎不刻蚀铝,从而与CMOS工艺良好地兼容。应用这种办法正面腐蚀,成功释放结构,尺寸与设计比较符合,证明了这种方法的可行性及易操作性。
李俊伍
顾慧
黄见秋
秦明
关键词:
四甲基氢氧化铵
CMOS后处理中体硅正面释放及保护技术的研究
单片集成是传感器发展的未来趋势,它将MEMS器件和接口电路、处理电路集成在一块芯片上。CMOS后处理工艺释放制作的微型传感器能够实现低成本、高性能、高度一致性和大规模生产,这也是MEMS传感器相对于传统传感器的显著优势。...
李俊伍
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