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李奇

作品数:18 被引量:0H指数:0
供职机构:西安交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程理学语言文字一般工业技术更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 3篇学位论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇化学工程
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇语言文字

主题

  • 12篇金刚石
  • 12篇刚石
  • 9篇单晶金刚石
  • 6篇高导电
  • 4篇肖特基
  • 4篇晶向
  • 3篇电池
  • 3篇动力电池
  • 3篇金刚石表面
  • 3篇核动力
  • 3篇二极管
  • 3篇放射源
  • 3篇本征
  • 2篇电子器件
  • 2篇电阻
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电体
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇迁移率
  • 2篇接触电阻

机构

  • 18篇西安交通大学

作者

  • 18篇李奇
  • 12篇王宏兴
  • 9篇王娟
  • 9篇问峰
  • 9篇王玮
  • 9篇赵丹
  • 2篇张朝阳
  • 2篇郭洋
  • 1篇张良莹
  • 1篇姚熹
  • 1篇李振荣
  • 1篇李丹
  • 1篇樊叔维
  • 1篇李腾飞
  • 1篇王若铮
  • 1篇彭博

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 3篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 1篇2006
  • 2篇2002
  • 1篇2001
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电滞回线、电致应变同步测量系统的改进与设计
该文在原测试系统的基础上作了结构性的改进,并重新设计了一套电滞回线和电致应变同步测试系统.新系统在功能、性能和安全性等诸多方面都获得了很大的提高.首先,该文从理论前提、结果分析和系统设计三个方面,对电滞回线和电致应变的测...
李奇
关键词:铁电体电滞回线
文献传递
一种连续式焦油碳化装置及方法
本发明公开了一种连续式焦油碳化装置及方法,属于焦油碳化设备领域,本发明通过内筒体、外壳体以及两端的支撑板形成用于储存高温烟气热量的储热腔,在内筒体中设有搅拌机构,通过搅拌机构驱动焦油向前流动,防止堵塞能够实现连续生产;储...
郭洋李腾飞李奇崔欣宇李丹
一种单晶金刚石n-i-p结核动力电池及其制备方法
本发明的目的是提供一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池及其制备方法,解决了现有金刚石肖特基结核动力电池开路电压低、输出电流小的问题,从而提升金刚石核动力电池的性能和应用前景。该一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池,包括层...
王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
ki-67在人脑胶质瘤中的表达及其意义
李奇
一种(100)晶向金刚石n-i-p结二极管及其制备方法
本发明公开了一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管及其制备方法,解决了传统金刚石p‑i‑n结二极管中n型层欧姆接触电阻率大、i型层质量低的问题,从而提升金刚石功率电子器件的性能和应用前景。一种(100)晶向金刚石n‑...
王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
文献传递
(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法
本发明公开了一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法,解决了现有技术中(100)取向n型单晶金刚石欧姆制备难、比接触电阻率大的问题。该形成方法,包含以下步骤:步骤一、对(100)取向的n型单晶金刚石表面进行研...
王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
文献传递
一种生物质焦油衍生碳基材料功能化的方法
本发明公开了一种生物质焦油衍生碳基材料功能化的方法,以生物质焦油衍生碳为碳基材料,选择无腐蚀性且不会产生危废的温和功能化试剂,针对生物质焦油衍生碳基材料在催化领域的应用,采用不同种类和浓度的功能试剂对其进行负载、枝接等功...
郭洋李奇崔欣宇郑力潇
体裁教学法应用于理工科学生阅读课中的实证性研究
近二十年来随着体裁和体裁分析理论的发展,其理论研究成果越来越多的被应用于语言教学领域,并逐步形成了一种被称之为'以体裁为基础的教学方法',即'体裁教学法'.此种教学方法在国外语言教学界已受到普遍重视,但仍处于理论探索和教...
李奇
关键词:体裁体裁教学法阅读课
文献传递
(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法,解决了p沟道结型场效应晶体管空穴迁移率低的问题。(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管,包括设有两个沟道的n型金刚石层,n型金刚石层的表面沿水平...
王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
文献传递
金刚石肖特基二极管的研究进展
2023年
金刚石具有宽带隙(5.47 eV)、高载流子迁移率(空穴3800 cm^(2)/(V·s)、电子4500 cm^(2)/(V·s))、高热导率(22 W·cm^(-1)·K^(-1))、高临界击穿场强(>10 MV/cm),以及最优的Baliga器件品质因子,使得金刚石半导体器件在高温、高频、高功率,以及抗辐照等极端条件下有良好的应用前景。随着单晶金刚石CVD生长技术和p型掺杂的突破,以硼掺杂金刚石为主的肖特基二极管(SBD)的研究广泛展开。本文详细介绍了金刚石SBD的工作原理,探讨了高掺杂p型厚膜、低掺杂漂移区p型薄膜的生长工艺,研究了不同金属与金刚石形成欧姆接触、肖特基接触的条件,分析了横向、垂直、准垂直器件结构的制备工艺,以及不同结构对SBD正向、反向、击穿特性的影响,阐述了场板、钝化层、边缘终端等器件结构对SBD内部电场的调制作用,进而提升器件反向击穿电压,最后总结了金刚石SBD的应用前景及面临的挑战。
彭博彭博张舒淼李奇王若铮王宏兴
关键词:金刚石肖特基二极管金属-半导体接触场板钝化层
共2页<12>
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