李奇
- 作品数:18 被引量:2H指数:1
- 供职机构:西安交通大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:化学工程理学电子电信语言文字更多>>
- 电滞回线、电致应变同步测量系统的改进与设计
- 该文在原测试系统的基础上作了结构性的改进,并重新设计了一套电滞回线和电致应变同步测试系统.新系统在功能、性能和安全性等诸多方面都获得了很大的提高.首先,该文从理论前提、结果分析和系统设计三个方面,对电滞回线和电致应变的测...
- 李奇
- 关键词:铁电体电滞回线
- 文献传递
- 体裁教学法应用于理工科学生阅读课中的实证性研究
- 近二十年来随着体裁和体裁分析理论的发展,其理论研究成果越来越多的被应用于语言教学领域,并逐步形成了一种被称之为'以体裁为基础的教学方法',即'体裁教学法'.此种教学方法在国外语言教学界已受到普遍重视,但仍处于理论探索和教...
- 李奇
- 关键词:体裁体裁教学法阅读课
- 文献传递
- 一种(100)晶向金刚石n-i-p结二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管及其制备方法,解决了传统金刚石p‑i‑n结二极管中n型层欧姆接触电阻率大、i型层质量低的问题,从而提升金刚石功率电子器件的性能和应用前景。一种(100)晶向金刚石n‑...
- 王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
- 文献传递
- (100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法
- 本发明公开了一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法,解决了现有技术中(100)取向n型单晶金刚石欧姆制备难、比接触电阻率大的问题。该形成方法,包含以下步骤:步骤一、对(100)取向的n型单晶金刚石表面进行研...
- 王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
- 文献传递
- 一种生物质焦油衍生碳基材料功能化的方法
- 本发明公开了一种生物质焦油衍生碳基材料功能化的方法,以生物质焦油衍生碳为碳基材料,选择无腐蚀性且不会产生危废的温和功能化试剂,针对生物质焦油衍生碳基材料在催化领域的应用,采用不同种类和浓度的功能试剂对其进行负载、枝接等功...
- 郭洋李奇崔欣宇郑力潇
- 一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法
- 本发明公开了一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法,解决了现有技术中(100)取向n型单晶金刚石欧姆制备难、比接触电阻率大的问题。该形成方法,包含以下步骤:步骤一、对(100)取向的n型单晶金刚石表面进行研...
- 王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
- 文献传递
- (100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法,解决了p沟道结型场效应晶体管空穴迁移率低的问题。(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管,包括设有两个沟道的n型金刚石层,n型金刚石层的表面沿水平...
- 王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
- 文献传递
- 金刚石肖特基二极管的研究进展被引量:2
- 2023年
- 金刚石具有宽带隙(5.47 eV)、高载流子迁移率(空穴3800 cm^(2)/(V·s)、电子4500 cm^(2)/(V·s))、高热导率(22 W·cm^(-1)·K^(-1))、高临界击穿场强(>10 MV/cm),以及最优的Baliga器件品质因子,使得金刚石半导体器件在高温、高频、高功率,以及抗辐照等极端条件下有良好的应用前景。随着单晶金刚石CVD生长技术和p型掺杂的突破,以硼掺杂金刚石为主的肖特基二极管(SBD)的研究广泛展开。本文详细介绍了金刚石SBD的工作原理,探讨了高掺杂p型厚膜、低掺杂漂移区p型薄膜的生长工艺,研究了不同金属与金刚石形成欧姆接触、肖特基接触的条件,分析了横向、垂直、准垂直器件结构的制备工艺,以及不同结构对SBD正向、反向、击穿特性的影响,阐述了场板、钝化层、边缘终端等器件结构对SBD内部电场的调制作用,进而提升器件反向击穿电压,最后总结了金刚石SBD的应用前景及面临的挑战。
- 彭博彭博张舒淼李奇王若铮王宏兴
- 关键词:金刚石肖特基二极管金属-半导体接触场板钝化层
- PMN-BT陶瓷的介电性能和相变温度
- 2001年
- 制备了一系列PMN-BT陶瓷,系统地研究了BT含量的变化对介电性能和相变温度的影响.PMN-BT陶瓷的相变温度与组成呈“U”型变化曲线.相变温度的异常变化是由于系统中存在Ba(Mg1/3Nb2/3)O3顺电微区所致.PMN-BT陶瓷的介电弛豫特性随BT的增加经历了一个由弱变强,再由强变弱的过程.对由两种钙钛矿化合物构成的铁电固溶体相变温度的变化规律进行了讨论.
- 李振荣李奇张良莹姚熹
- 关键词:铌镁酸铅钛酸钡介电性能相变温度铁电体
- 一种(100)晶向金刚石n-i-p结二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管及其制备方法,解决了传统金刚石p‑i‑n结二极管中n型层欧姆接触电阻率大、i型层质量低的问题,从而提升金刚石功率电子器件的性能和应用前景。一种(100)晶向金刚石n‑...
- 王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
- 文献传递