李相光
- 作品数：18 被引量：45H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：6
- 2008年
- 报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于250W，功率增益大于7．0dB，效率大于45％．
- 王因生李相光傅义珠王佃利丁晓明盛国兴康小虎
- 关键词：硅微波功率管
- 4.4～4.8GHz 15W硅脉冲功率晶体管
- 2007年
- 赵普社王因生李相光傅义珠
- 关键词：微波功率晶体管输出功率发射极脉冲管
- 1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管被引量：1
- 2006年
- 王因生李相光傅义珠丁晓明王佃利盛国兴康小虎陶有迁
- 关键词：脉冲功率晶体管硅功率芯片功率增益占空比
- 3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管被引量：1
- 2006年
- 傅义珠李相光戴学梅盛国兴王因生王佃利
- 关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率器件功率方向多系统机动化高可靠
- 千瓦级LDMOS大功率器件研制被引量：3
- 2014年
- 南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构，通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等，突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题，成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率器件。
- 王佃利李相光严德圣应贤炜丁晓明梅海刘洪军蒋幼泉
- 关键词：LDMOS千瓦级散热设计场板结构
- C波段3W硅功率晶体管
- 1993年
- C波段硅功率晶体管在微波整机和通讯等领域有广泛用途。由于硅双极型晶体管具有比GaAs FET低得多的1/f相位噪声,因此,在一些高质量的振荡器中,急需硅功率晶体管。但是,当工作频率提高到C波段时,晶体管的频率和功率性能发生尖锐的矛盾。晶体管的输出功率、增益和效率随着工作频率的升高而急剧下降。这给器件的研制带来了很多困难,国内长期无法解决。南京电子器件研究所采用T形发射极自对准结构,用φ75mm硅片研制成功C波段硅功率管。晶体管的E-B金属电极横向间距几乎为零。发射极扩散层和基极接触窗口的间距约0.4μm。这种T形电极晶体管(TSET)对光刻工艺精确度的要求不很苛刻。测试结果表明,晶体管在4.2GHz时,连续波输出功率大于3W,增益大于8dB,集电极效率大于40％。晶体管作振荡应用时,在4.3GHz下振荡输出功率可达1W,直流—射频转换效率可达20％。
- 张树丹王因生李相光陈统华谭卫东
- 关键词：功率晶体管C波段双极晶体管
- S波段100W硅脉冲功率晶体管被引量：2
- 2000年
- 报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。
- 傅义珠李相光张树丹王佃利王因生康小虎姚长军
- 关键词：硅微波功率晶体管S波段
- P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制被引量：11
- 2011年
- 报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压36 V,脉宽20 ms,占空比35.7%的测试条件下,485～606 MHz全带内输出功率达到450 W,增益大于18 dB,效率大于60%。
- 王佃利李相光严德圣丁小明刘洪军钱伟蒋幼泉王因生
- 关键词：硅脉冲场板
- 微波脉冲功率器件瞬态热阻测试研究被引量：13
- 2012年
- 介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻降低约20%。
- 丁晓明王佃利李相光蒋幼泉王因生黄静
- 关键词：脉冲结温热阻
- 硅微波LDMOS功率器件的研制
- 提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了初步研制结果.
- 王佃利李相光刘洪军蔡俊傅义珠盛国兴王因生
- 关键词：多晶硅
- 文献传递
