张树丹
- 作品数：41 被引量：43H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家科技重大专项中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- P波段脉冲输出150W高增益功率晶体管被引量：1
- 1998年
- 采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷多晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术，研制出用于工程的实用化P波段脉冲大功率晶体管。该器件由16个单胞内匹配而成，在该频带内，脉宽500μs，占空比15％，脉冲输出150W，增益大于10dB，集电极效率大于50％。
- 王因生单宁王佃利林川张树丹康小虎林金庭
- 关键词：多晶硅发射极微波功率晶体管
- 用于功率变换的高击穿增强型AlGaN/GaN HEMTs被引量：1
- 2010年
- 首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿电压从50V迅速增大到400V,电压增幅达350V。采用长度为3μm源场板结构将器件击穿电压明显地提高,击穿电压增加约为475V,且有着比硅基器件更低的比导通电阻,约为2.9mΩ.cm2。器件模拟结果表明,因源场板在远离栅边缘的漂移区中引入另一个电场强度为1.5MV/cm的电场,从而有效地释放了存在栅边缘的电场,将高达3MV/cm的电场减小至1MV/cm。微波测试结果表明,器件的特征频率fT和最大震荡频率fMAX随Vgs改变,正常工作时两参数均在千兆量级。栅宽为1mm的增强型功率管有较好的交直流和瞬态特性,正向电流约为90mA。故增强型AlGaN/GaN器件适合高压高频大功率变换的应用。
- 黄伟王胜张树丹许居衍
- 关键词：增强型击穿电压比导通电阻
- T形电极晶体管被引量：2
- 1993年
- 叙述了一种制作双极型晶体管的T形电极结构自对准工艺。利用该工艺已研制成微波T形电极晶体管(TSET)。最高振荡频率为10GHz,截止频率为6GHz;在3.2GHz下,输出功率1.1W,功率增益6dB。
- 张树丹王因生陈统华谭卫东熊承堃
- 关键词：双极型晶体管
- 一种低功耗音频三阶级联ΔΣ调制器设计被引量：1
- 2007年
- 本文设计了一种基于数字音频系统应用的低功耗2-1三阶级联1位ΔΣ调制器。电路采用SMIC 0.25um数字CMOS工艺进行设计。仿真结果表明,当输入幅值为1.5V、频率为1KHz正弦波信号、采样率为3.2MHz时,该调制器的SNR和SNDR分别为104dB和96.2dB,而整个调制器的功耗仅为6.18mw。
- 雍家鹏张树丹
- 关键词：△∑调制器低功耗数字音频
- S波段100W硅脉冲功率晶体管被引量：2
- 2000年
- 报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。
- 傅义珠李相光张树丹王佃利王因生康小虎姚长军
- 关键词：硅微波功率晶体管S波段
- 一种基于AHB总线的DESIP核设计被引量：1
- 2014年
- 设计了一款带有通用AHB总线从机接口的DES IP核,能在500MHz频率的总线下很好地工作,DES模式下加、解密转换速率可达到1.6Gb/s,3DES模式下加、解密转换速率可达到615Mb/s.用VCS软件仿真并用DC软件综合后结果均符合设计要求.
- 柳沐璇张树丹唐彩彬
- 关键词：AHB总线IP核
- 一种高性能D类音频功率放大器的设计
- 本文设计了一种高性能的D类音频功率放大器。用上华0.5μm Bicmos工艺模型进行Hspice仿真，结果表明，当输出功率为1W时，效率为85％，THD指数为1.83％。
- 雍家鹏张树丹于宗光王胜霍建龙徐巍
- 关键词：音频功率放大器脉宽调制PWM输出功率
- 文献传递
- Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究被引量：1
- 2010年
- 文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物的转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650℃～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。
- 王胜黄伟张树丹许居衍
- 关键词：肖特基势垒二极管XRDRAMAN光谱快速热退火
- 超大功率L波段脉冲功率晶体管
- 1996年
- 超大功率Ｌ波段脉冲功率晶体管王因生，王志楠，林川，王伯利，康小虎，张树丹（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２３．４ＳｕｐｅｒＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...
- 王因生王志楠林川王伯利康小虎张树丹
- 关键词：脉冲功率晶体管L波段大功率
- 性能优良的RCA微波功率晶体管
- 2003年
- 首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱和的优点 ,从而可以在一定程度上抑制微波双极功率晶体管由于温度分布不均匀导致的电流集中。文中还讨论了不同的杂质激活条件对
- 蔡勇张利春高玉芝金海岩叶红飞张树丹
- 关键词：RCA微波功率晶体管多晶硅发射区电流增益直流增益
