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康小虎

作品数：13 被引量：18H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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合作作者

文献类型

  • 13篇中文期刊文章

领域

  • 13篇电子电信

主题

  • 12篇晶体管
  • 12篇功率晶体管
  • 9篇脉冲功率晶体...
  • 7篇硅脉冲功率晶...
  • 6篇硅
  • 4篇增益
  • 4篇微波功率晶体...
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇脉冲
  • 3篇宽带
  • 3篇S波段
  • 3篇L波段
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇微波
  • 2篇微波脉冲
  • 2篇高增益
  • 2篇功率
  • 2篇功率增益
  • 2篇长脉宽

机构

  • 13篇南京电子器件...

作者

  • 13篇康小虎
  • 11篇王因生
  • 7篇傅义珠
  • 7篇王佃利
  • 7篇张树丹
  • 6篇林川
  • 5篇盛国兴
  • 4篇李相光
  • 3篇戴学梅
  • 3篇周德红
  • 3篇王志楠
  • 2篇吴鹏
  • 2篇刘六亭
  • 2篇郑承志
  • 2篇丁晓明
  • 2篇谭卫东
  • 2篇梅海
  • 1篇林金庭
  • 1篇钟志新
  • 1篇张纪生

传媒

  • 11篇固体电子学研...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子器件

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1994
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
超大功率L波段脉冲功率晶体管
1996年
超大功率Ｌ波段脉冲功率晶体管王因生，王志楠，林川，王伯利，康小虎，张树丹（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２３．４ＳｕｐｅｒＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...
王因生王志楠林川王伯利康小虎张树丹
关键词：脉冲功率晶体管L波段大功率
2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管
2003年
傅义珠李学坤戴学梅王佃利王因生周德红康小虎梅海盛国兴陈刚
关键词：硅脉冲功率晶体管微波功率晶体管
1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管被引量：6
2008年
报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于250W，功率增益大于7．0dB，效率大于45％．
王因生李相光傅义珠王佃利丁晓明盛国兴康小虎
关键词：硅微波功率管
P波段脉冲输出150W高增益功率晶体管被引量：1
1998年
采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷多晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术，研制出用于工程的实用化P波段脉冲大功率晶体管。该器件由16个单胞内匹配而成，在该频带内，脉宽500μs，占空比15％，脉冲输出150W，增益大于10dB，集电极效率大于50％。
王因生单宁王佃利林川张树丹康小虎林金庭
关键词：多晶硅发射极微波功率晶体管
3.1～3.4GHz长脉宽高增益硅功率晶体管
2001年
傅义珠林川周德红梅海潘菁康小虎
关键词：功率晶体管长脉宽高增益硅
S波段100W硅脉冲功率晶体管被引量：2
2000年
报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。
傅义珠李相光张树丹王佃利王因生康小虎姚长军
关键词：硅微波功率晶体管S波段
1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管被引量：1
2006年
王因生李相光傅义珠丁晓明王佃利盛国兴康小虎陶有迁
关键词：脉冲功率晶体管硅功率芯片功率增益占空比
L波段150W硅脉冲功率晶体管
1994年
Ｌ波段１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管谭卫东，张纪生，王志楠，张树丹，王因生，郑承志，刘六亭，康小虎（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａｎ１５０ＷＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＴａｎＷｅｉｄｏｎｇ；Ｚｈ...
谭卫东张纪生王志楠张树丹王因生郑承志刘六亭康小虎
关键词：L波段硅脉冲功率晶体管
L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管被引量：5
1997年
设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点。器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组合而成的发射极复合镇流电阻，实现对发射极电流二次镇流，器件表现出良好的微波性能和高的可靠性。经内匹配，在L波段脉冲输出大于100W（36V），脉宽150μs，工作比10％，增益大于7．5dB，效率大于45％，器件最大输出达150W（42V）。
王因生林川王佃利王志楠张树丹黄仲平康小虎钟志新
关键词：微波功率晶体管双极晶体管多晶硅
2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管被引量：1
2006年
吴鹏林川傅义珠盛国兴戴学梅康小虎王因生
关键词：硅脉冲功率晶体管长脉宽超宽带功率增益大功率管S波段
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共2页<12>
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