谭卫东
- 作品数：6 被引量：5H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- T形电极晶体管被引量：2
- 1993年
- 叙述了一种制作双极型晶体管的T形电极结构自对准工艺。利用该工艺已研制成微波T形电极晶体管(TSET)。最高振荡频率为10GHz,截止频率为6GHz;在3.2GHz下,输出功率1.1W,功率增益6dB。
- 张树丹王因生陈统华谭卫东熊承堃
- 关键词：双极型晶体管
- L波段150W硅脉冲功率晶体管
- 1994年
- Ｌ波段１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管谭卫东，张纪生，王志楠，张树丹，王因生，郑承志，刘六亭，康小虎（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａｎ１５０ＷＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＴａｎＷｅｉｄｏｎｇ；Ｚｈ...
- 谭卫东张纪生王志楠张树丹王因生郑承志刘六亭康小虎
- 关键词：L波段硅脉冲功率晶体管
- L波段100W硅脉冲功率晶体管
- 1993年
- 南京电器件研究所采用φ75mm硅片研制成脉冲输出100W的L波段硅功率晶体管，
- 谭卫东张纪生熊承堃王因生张树丹刘六亭郑承志陈统华陈正东
- 关键词：功率晶体管P波段脉冲输出
- C波段3W硅功率晶体管
- 1993年
- C波段硅功率晶体管在微波整机和通讯等领域有广泛用途。由于硅双极型晶体管具有比GaAs FET低得多的1/f相位噪声,因此,在一些高质量的振荡器中,急需硅功率晶体管。但是,当工作频率提高到C波段时,晶体管的频率和功率性能发生尖锐的矛盾。晶体管的输出功率、增益和效率随着工作频率的升高而急剧下降。这给器件的研制带来了很多困难,国内长期无法解决。南京电子器件研究所采用T形发射极自对准结构,用φ75mm硅片研制成功C波段硅功率管。晶体管的E-B金属电极横向间距几乎为零。发射极扩散层和基极接触窗口的间距约0.4μm。这种T形电极晶体管(TSET)对光刻工艺精确度的要求不很苛刻。测试结果表明,晶体管在4.2GHz时,连续波输出功率大于3W,增益大于8dB,集电极效率大于40％。晶体管作振荡应用时,在4.3GHz下振荡输出功率可达1W,直流—射频转换效率可达20％。
- 张树丹王因生李相光陈统华谭卫东
- 关键词：功率晶体管C波段双极晶体管
- C波段3瓦T形电极硅双极晶体管被引量：1
- 1995年
- 本文报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅双极晶体管的制作和实验结果．这种结构的晶体管发射极和基极接触窗口的间距仅０．４μｍ，发射极排列周期为４μｍ．测试结果表明，晶体管在４．２ＧＨｚ下，连续波输出功率大于３Ｗ，增益８ｄＢ和集电极效率４０％；作为振荡应用时。在４．３ＧＨｚ的振荡频率下，振荡输出功率可达１Ｗ，ＤＣ－ＲＦ转换效率为２０％．
- 张树丹王因生李相光陈统华谭卫东郑承志刘六亭陈培棣
- 关键词：双极晶体管硅晶体管晶体管
- 600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管被引量：3
- 1994年
- ６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...
- 王因生陈正东张树丹谭卫东郑承志刘六亭康小虎周德红陈统华
- 关键词：功率晶体管硅脉冲
