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李艳奎: 作品数：28 被引量：9H指数：2; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：中国科学院微电子研究所所长基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>

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一种通过肖特基测试图形检测GaN基HEMT可靠性的方法: 本发明公开了一种通过肖特基测试图形检测GaN基HEMT可靠性的方法，该方法通过制作不同直径的肖特基阵列图形，对其进行变频和变电压的电容电压曲线的测量，通过缺陷同电容电压曲线的变化关系，分别确定器件的缺陷密度和时间常数，实...; 赵妙王鑫华刘新宇郑英奎欧阳思华魏珂李艳奎; 文献传递

确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法: 本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温...; 赵妙刘新宇郑英奎欧阳思华李艳奎; 文献传递

一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法: 本发明公开了一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法，包括：在待检测GaN基半导体器件上形成多组传输线测试图形，每组传输线测试图形包括多个相同的、间隔分布的电极；采用金丝将所述多组传输线测试图形串联；获取单组的...; 赵妙刘新宇魏珂孔欣王兵郑英奎李艳奎欧阳思华; 文献传递

基于Agilent VEE的HEMT器件直流参数自动测试系统: AlGaN/GaN基HEMT（High Electron Mobility Transistor,高电子迁移率晶体管）器件在高温、高频、大功率方面具有广泛的应用前景,测量其直流特性是极其重要的一步,但是,由于仪器硬件方面...; 欧阳思华吴锦李艳奎刘新宇; 关键词：HEMT; 文献传递

双沟道晶体管及其制备方法: 本发明公开了双沟道晶体管，以GaN为材料，包含双沟道，即第一沟道和第二沟道，第一沟道为势垒层和GaN沟道层的界面，第二沟道为背势垒层和GaN沟道层的界面，所述势垒层和背势垒的材料均为AlGaN；所述AlGaN背势垒层的厚...; 赵妙郑英奎刘新宇彭铭曾李艳奎欧阳思华魏珂; 文献传递

一种测量GaN基器件热可靠性的方法: 本发明公开了一种测量GaN基器件热可靠性的方法，包括：测量多个被测GaN基器件在不同栅压下漏压和漏电流的大小，并计算得到该多个被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量该多个被测GaN基器件的峰值结温，由该峰...; 赵妙刘新宇罗卫军郑英奎陈晓娟彭铭曾李艳奎; 文献传递

一种GaN HEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法: 本发明涉及一种Ga NHEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法，属于集成电路技术领域。所述测量系统包括第一直流电源、第二直流电源、交流信号提供装置、电容、电感、电阻、第一电压表和第二电压表；漏极和电阻相连，电阻和第一直流...; 蒲颜庞磊陈晓娟欧阳思华李艳奎刘新宇

带有原位生长SiN_(x)绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件: 2023年; 本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长原位SiN_(x)栅介质制备了用于Ka波段高功率毫米波应用的AlN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。原位生长SiN_(x)栅介质显著抑制了栅反向漏电、栅介质/AlN界面态密度和电流坍塌。所研制的MIS HEMTs在V_(GS)=2 V时最大饱和输出电流为2.2 A/mm,峰值跨导为509 m S/mm,在V_(GS)=-30 V时肖特基栅漏电流为4.7×10^(-6)A/mm。采用0.15μm T形栅技术,获得98 GHz的fT和165 GHz的f_(MAX)。大信号测量表明,在连续波模式下,漏极电压V_(DS)=8 V时,MIS HEMT在40 GHz下输出功率密度2.3 W/mm,45.2%的功率附加效率(PAE),而当V_(DS)增加到15 V时,功率密度提升到5.2 W/mm,PAE为42.2%。; 陈晓娟陈晓娟张昇李艳奎李艳奎牛洁斌黄森马晓华张进成; 关键词：KA波段

低压应用的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件研制: 2023年; 提出了一种适用于低电压工作的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件,开展了材料外延结构的设计,在SiC衬底上生长了AlN/GaN外延材料。基于此材料开展了器件制作,优化了高温快速退火工艺,获得良好的欧姆接触电阻。对所制备的器件进行直流测试,结果显示,电流输出能力为2.4 A/mm,跨导极值为518 mS/mm,小信号f_(t)达到85 GHz,f_(max)大于141 GHz。在5G毫米波段28 GHz频率点测试了大信号特性,当V_(DS)=3 V时,输出功率密度为0.55 W/mm,功率附加效率(PAE)为40.1%;当V_(DS)=6 V时,输出功率密度为1.6 W/mm,PAE达到47.8%。该器件具有低压毫米波应用的潜力。; 陈晓娟陈晓娟袁静高润华殷海波李艳奎李艳奎刘新宇; 关键词：低工作电压毫米波

基于Agilent VEE实现混频器的自动化测试被引量：5: 2008年; 混频器是射频前端电路的一个重要模块,转化增益和噪声是影响混频器性能的重要因素。然而在噪声系数的测量过程中,涉及到多台仪器的协同工作,以及数据的采集及存储,手动的面板操作,这些琐碎的工作都制约了测试速度。本文正是在改进传统测试的基础上,介绍一种采用AgilentVEE语言编写测试系统,快捷、便利测试混频器方法。这套系统具有远程控制、自动化测量的优点,解决了测量结果只能使用软盘保存的问题。; 欧阳思华武锦李艳奎刘新宇; 关键词：混频器自动化噪声系数 AGILENT VEE