您的位置： 专家智库 > >

王中强

作品数：51 被引量：19H指数：3
供职机构：东北师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 11篇会议论文
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 10篇自动化与计算...
  • 8篇电子电信
  • 7篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇建筑科学
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 18篇存储器
  • 8篇底电极
  • 8篇突触
  • 8篇微电子
  • 8篇非晶
  • 7篇电阻
  • 5篇电流
  • 5篇微电子材料
  • 5篇纳米
  • 5篇非晶碳
  • 4篇低电流
  • 4篇信号
  • 4篇氧化石墨
  • 4篇氧化石墨烯
  • 4篇氧化物
  • 4篇神经突触
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 4篇缓冲层
  • 4篇光控

机构

  • 51篇东北师范大学

作者

  • 51篇王中强
  • 47篇徐海阳
  • 46篇刘益春
  • 20篇赵晓宁
  • 12篇陶冶
  • 8篇马剑钢
  • 3篇于浩
  • 3篇张磊
  • 2篇张雪
  • 2篇陈颖
  • 1篇李兴华
  • 1篇张磊
  • 1篇付申成
  • 1篇刘春阳
  • 1篇张昕彤
  • 1篇张雪

传媒

  • 2篇物理实验
  • 2篇物理学报
  • 1篇科学
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 4篇2024
  • 4篇2023
  • 8篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 10篇2019
  • 7篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 51 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于非晶InGaZnO 材料的阻变存储器与忆阻器
刘益春徐海阳王中强
金属氧化物忆阻器件的制备及其阻变存储、神经突触仿生研究
忆阻器被认为是除电阻、电容、电感之外的第四种基本无源电子器件。其阻值能够随流经电量而发生改变，并且记住它的状态。近年来，忆阻器以其独特的非线性电学性质而引起极大的研究兴趣并在许多领域有着广泛应用，特别是在阻变式随机存储器...
王中强
关键词：金属氧化物
基于多级阻变存储制备的光强可调制LED
阻变式随机存储器(RRAM)由于其低功耗、高密度集成以及模拟生物突触的能力等优势，被认为是下一代存储器和神经形态计算电路最有希望的候选之一。[1-3]并且，通过与RRAM集成开发多功能器件，包括电阻转变特性与机械、光学和...
齐猛王中强徐海阳赵晓宁刘益春
关键词：LED氧化铪
一种模拟型全碳基忆阻突触器件及其制备方法
本发明提供了一种模拟型全碳基忆阻突触器件及其制备方法，所述器件包括底电极、中间层和顶电极，所述中间绝缘层设置在底电极和顶电极之间；所述底电极为高导电性的碳材料；所述中间层为氧化石墨烯掺杂含氮的碳量子点的复合薄膜；所述顶电...
刘益春陈颖张雪林亚王中强曾涛徐海阳
图像模式识别模拟与数字混合忆阻设备及制备，实现STDP学习规则和图像模式识别方法
本发明涉及一种图像模式识别模拟与数字混合忆阻设备及制备，实现STDP学习规则和图像模式识别方法，包括底电极，顶电极，位于两电极之间的氧化钨薄膜组成的阻变功能层，该薄膜由磁控溅射生长；在小电压刺激下设备呈现模拟型阻变，在大...
王中强林亚汪聪任衍允赵晓宁徐海阳刘益春
文献传递
一种抑制银导电通道过量生长的阻变存储器及其制备方法
本发明涉及一种抑制银导电通道过量生长的阻变存储器及其制备方法，包括底电极，电阻转变层，银的固体电解质材料缓冲层，顶电极，所述电阻转变层设在底电极上；所述的银的固体电解质材料缓冲层设在电阻转变层上；所述的顶电极设在银的固体...
徐海阳王中强黎旭红陶冶刘益春
文献传递
一种偏振光敏感的人工突触器件及其制备方法
本发明公开了一种偏振光敏感的人工突触器件及其制备方法，所述的人工突触器件，它包括：基板，半导体光电功能层与设置在半导体光电功能层下的八爪电极，八爪电极的八个电极均与半导体光电功能层接触，八个电极均为Au电极，半导体光电功...
王中强陶冶朱永兴徐海阳刘益春
一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法
本发明涉及本发明的一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法，包括SiO2衬底，设置于SiO2衬底上的惰性金属底电极，设置于底电极上的MoS2阻变介质层，设置于MoS2阻变介质层上的活性金属顶电极。本发明解决现有...
徐海阳赵晓宁范泽莹王中强马剑钢刘益春
一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法
本发明公开了一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，属于微电子器件领域。该方法预先利用微小电流作用于非晶碳忆阻器，能够诱导非晶碳内部sp<Sup>2</Sup>杂化团簇团聚，增强薄膜内部局域电场，进而降低非晶碳忆...
赵晓宁王中强丁文涛林亚徐海阳刘益春
文献传递
一种双层多孔结构非晶碳材料的阻变存储器及其制备方法
本发明涉及一种双层多孔结构非晶碳材料的阻变存储器及其制备方法，包括惰性金属，第一层多孔非晶碳，第二层多孔非晶碳，活性金属，所述惰性金属为底电极，第一层多孔非晶碳设在所述底电极上，所述第二层多孔非晶碳设在第一层多孔非晶碳上...
徐海阳王中强陶冶黎旭红刘益春
文献传递
全选 清除 导出
共6页<123456>
聚类工具0