您的位置： 专家智库 > >

赵晓宁

作品数：26 被引量：3H指数：1
供职机构：东北师范大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 4篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇存储器
  • 6篇微电子
  • 5篇电流
  • 5篇电阻
  • 4篇低电流
  • 4篇信号
  • 4篇微波吸收
  • 4篇微电子材料
  • 4篇非晶
  • 4篇非晶碳
  • 3篇底电极
  • 3篇氧化石墨
  • 3篇氧化石墨烯
  • 3篇乙烯
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 3篇团簇
  • 3篇可逆
  • 3篇缓冲层
  • 3篇醋酸乙烯

机构

  • 26篇东北师范大学

作者

  • 26篇赵晓宁
  • 20篇徐海阳
  • 20篇王中强
  • 20篇刘益春
  • 5篇马剑钢
  • 3篇张雪峰
  • 3篇陶冶
  • 2篇许嘉琪
  • 1篇刘晓芳

传媒

  • 2篇物理实验

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 5篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 26 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
图像模式识别模拟与数字混合忆阻设备及制备，实现STDP学习规则和图像模式识别方法
本发明涉及一种图像模式识别模拟与数字混合忆阻设备及制备，实现STDP学习规则和图像模式识别方法，包括底电极，顶电极，位于两电极之间的氧化钨薄膜组成的阻变功能层，该薄膜由磁控溅射生长；在小电压刺激下设备呈现模拟型阻变，在大...
王中强林亚汪聪任衍允赵晓宁徐海阳刘益春
文献传递
钙钛矿忆阻器件数值模型建立及其模式识别应用
忆阻器(RRAM)作为新型电子器件，可以低能耗、高效率地并行实现数据存储及信号处理，具有计算与存储深度融合的优势，被认为是发展下一代信息存储技术和类脑仿生的理想元器件之一。[1-3]从材料方面而言，氧化物、无机物、杂化材...
任衍允王中强徐海阳赵晓宁刘益春
关键词：分析模型
一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法
本发明涉及本发明的一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法，包括SiO2衬底，设置于SiO2衬底上的惰性金属底电极，设置于底电极上的MoS2阻变介质层，设置于MoS2阻变介质层上的活性金属顶电极。本发明解决现有...
徐海阳赵晓宁范泽莹王中强马剑钢刘益春
一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法
本发明公开了一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，属于微电子器件领域。该方法预先利用微小电流作用于非晶碳忆阻器，能够诱导非晶碳内部sp<Sup>2</Sup>杂化团簇团聚，增强薄膜内部局域电场，进而降低非晶碳忆...
赵晓宁王中强丁文涛林亚徐海阳刘益春
文献传递
钙钛矿阻变存储器过冲电流的抑制方法
本发明公开了一种钙钛矿阻变存储器过冲电流的抑制方法，其包括如下步骤：S1、连接测试电路，并在阻变存储器处设置光源；S2、开启光源，使用源表施加偏压，完成阻变存储器的电激活、开启过程；S3、关闭光源，使用源表施加偏压，完成...
徐海阳王中强孙绍武赵晓宁马剑钢刘益春
文献传递
碳量子点修饰对有机-无机杂化钙钛矿阻变性能的影响
2022年
通过在前驱体中添加碳量子点(CQD),制备了具有不同晶粒尺寸的有机-无机杂化钙钛矿CH_(3)NH_(3)PbI_(3)(MAPbI_(3))薄膜,并以金(Au)和氟掺氧化锡(FTO)为电极制备了具有Au/CQD-MAPbI_(3)/FTO结构的阻变器件.测试了CQD掺杂浓度对器件阻变性能的影响,并分析了其物理机制.结果表明:通过优化CQD掺杂质量浓度可以提升器件开关比,降低器件运行电压的波动.基于导电通道模型,器件阻变性能提升的可能原因为晶界主导的碘离子迁移随机性降低,导电通道结构简化.
陈晓婷张晓晗许嘉琪赵晓宁
一种三明治结构磁性碳纤维海绵材料及其制备方法与应用
本发明公开了一种三明治结构磁性碳纤维海绵材料及其制备方法与应用，属于电磁隐身技术领域，该海绵材料包括两层海绵及贴合于两层海绵之间的电磁吸收层；所述海绵及电磁吸收层均包括Fe@C纳米纤维。其制备方法包括以下步骤：利用氧等离...
赵晓宁曹若冰王中强林亚陶冶徐海阳刘益春
氧化石墨烯忆阻器光控Forming研究
忆阻器作为一种新兴的无源电子器件在非线性电路、信息存储、逻辑运算、以及人工智能等领域展示出巨大的应用潜力。[1-2]就微观工作机理而言，忆阻器的动态电学参数主要依赖于绝缘层内部导电通道的可逆通断。
赵晓宁王中强徐海阳马剑钢刘益春
关键词：氧化石墨烯光还原
一种自供电读取多级电阻态的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种自供电读取多级电阻态的阻变存储器及其制备方法，属于微电子器件领域。所述阻变存储器的器件结构包括惰性底电极和顶电极金属钨，以及介于二者之间的自供电层和阻变层。其中，自供电层是经过氧等离子体处理的非晶碳薄膜，...
徐海阳王中强陶冶丁文涛赵晓宁刘益春
文献传递
基于多级阻变存储制备的光强可调制LED
阻变式随机存储器(RRAM)由于其低功耗、高密度集成以及模拟生物突触的能力等优势，被认为是下一代存储器和神经形态计算电路最有希望的候选之一。[1-3]并且，通过与RRAM集成开发多功能器件，包括电阻转变特性与机械、光学和...
齐猛王中强徐海阳赵晓宁刘益春
关键词：LED氧化铪
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0