王立建
- 作品数：6 被引量：18H指数：3
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 酸腐多晶硅表面织构及氮化硅薄膜快速热处理性能的研究
- 太阳电池发展的主要趋势是提高转换效率和降低成本。多晶硅太阳电池是未来最有发展潜力的太阳电池之一。为了提高多晶硅太阳电池的转换效率，降低表面的光反射，增加光的有效吸收是十分必要的。如何获得好的表面织构化工艺是目前多晶硅太阳...
- 王立建
- 关键词：太阳电池氮化硅薄膜
- 文献传递
- 多晶硅太阳电池酸腐表面织构的研究被引量：8
- 2007年
- 采用酸腐多晶Si片的方法,获得了各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液,并用H3PO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统,分析了腐蚀后多晶Si片的表面形貌和反射率。结果表明,酸腐多晶Si表面分布均匀的蚯蚓状腐蚀坑,反射率很低,在等离子增强化学气相沉积(PECVD)Si3N4减反射膜后,反射率大大下降。
- 王立建刘彩池孙海知郝秋艳
- 关键词：表面织构太阳电池
- 快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响
- 2006年
- 对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.
- 孙世龙刘彩池郝秋艳滕晓云赵丽伟赵彦桥王立建石义情
- 关键词：氧沉淀
- 快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响被引量：3
- 2008年
- 利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测量样品的少子寿命。实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降。氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变。
- 陈玉武郝秋艳刘彩池王立建孙海知赵建国
- 关键词：氮化硅RTP太阳电池
- 快速热处理对铸造多晶硅性能的影响被引量：5
- 2008年
- 采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响。结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中在950℃、保温30s时硅片的少子寿命下降幅度最大;当硅片经高温1050℃RTP时,硅片的少子寿命急剧增大,最大幅度达到初始寿命值的4.3倍。另一方面,保温时间对硅片少子寿命也有很大影响,一定RTP温度下,随着保温时间的增加,硅片的少子寿命逐渐增大。
- 陈玉武郝秋艳刘彩池赵建国王立建吴丹
- 关键词：少子寿命
- 快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响
- 对重掺As硅片进行快速热处理,发现快速热处理对重掺As硅片中氧沉淀行为有一定的影响.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度缓慢增大.
- 孙世龙刘彩池郝秋艳滕晓云赵丽伟赵彦桥王立建石义情
- 关键词：氧沉淀
- 文献传递
