陈玉武
- 作品数：6 被引量：20H指数：3
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 快速热处理工艺下金属杂质对铸造多晶硅少子寿命的影响被引量：6
- 2009年
- 利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响。研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少子寿命值都会降低,下降幅度基本一致。原生硅片在低中温条件下,少子寿命值呈现先下降后上升的趋势;当硅片经高温RTP后,其少子寿命值得到明显改善。低中温RTP条件下,经铜、镍杂质玷污的硅片随着退火温度的升高,少子寿命变化不大。高温RTP条件下,经铜、铁、镍杂质玷污后硅片的少子寿命迅速下降。实验结果表明高温RTP能够提高杂质含量较低硅片的少子寿命,而对杂质含量较高硅片的少子寿命有负面影响。
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- 关键词：RTP少子寿命
- 酸腐多晶硅太阳电池表面织构的研究被引量：5
- 2008年
- 多晶硅太阳电池是目前光伏发展的主要趋势,而缺乏有效的表面织构的方法是多晶硅太阳电池发展的一个瓶颈。采用酸腐多晶硅片的方法获得各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液并用H2SO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统分析了腐蚀后多晶硅片的表面形貌和反射率。结果表明,酸腐多晶硅表面分布均匀的蠕虫状腐蚀坑,反射率很低,在PECVDSiNx减反射膜后反射率大大下降。
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- 关键词：表面织构多晶硅太阳电池
- 快速热处理对铸造多晶硅性能的影响被引量：5
- 2008年
- 采用微波光电导衰减法(μ-PCD)、扫描电镜等测试技术,研究了快速热处理(RTP)对铸造多晶硅片表面缺陷形貌以及少子寿命特性的影响。结果表明:铸造多晶硅片经低中温(750、850和950℃)RTP时,硅片的少子寿命明显降低,其中在950℃、保温30s时硅片的少子寿命下降幅度最大;当硅片经高温1050℃RTP时,硅片的少子寿命急剧增大,最大幅度达到初始寿命值的4.3倍。另一方面,保温时间对硅片少子寿命也有很大影响,一定RTP温度下,随着保温时间的增加,硅片的少子寿命逐渐增大。
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- 关键词：少子寿命
- 热处理对铸造多晶硅缺陷形貌的影响
- 采用扫描电子显微镜(SEM)和光学显微镜(OM)等分析方法，研究了热处理前后铸造多晶硅片的缺陷形貌。实验结果表明：原生铸造多晶硅中存在着大量的位错和晶界。单步、两步热处理对硅片表面位错形貌有很大的影响。低温退火时，位错尺...
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- 关键词：产品质量
- 快速热处理对多晶硅中杂质和缺陷行为的影响
- 铸造多晶硅是光伏产业中最主要的太阳电池材料之一，但铸造多晶硅中高密度的杂质和结晶学缺陷（如位错和晶界等）是影响其太阳电池光电转换效率的重要因素。深入研究材料中缺陷和杂质以及它们对材料电学性能的影响，有利于生产出高质量的铸...
- 陈玉武
- 关键词：多晶硅光伏产业电池材料光电转换
- 文献传递
- 快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响被引量：3
- 2008年
- 利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测量样品的少子寿命。实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降。氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变。
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- 关键词：氮化硅RTP太阳电池
