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一种微米尺度有机小分子单晶材料及其制备方法: 本发明公开了一种微米尺度有机小分子单晶材料的制备方法，该方法包括利用有机半导体材料在介电材料表面形成有机半导体纳米薄膜，并在无水无氧条件下将表面形成有机半导体纳米薄膜的介电材料进行退火，使所述纳米薄膜转化为有机单晶纳米材...; 江潮金桥李德兴祁琼; 文献传递

一种微米尺度有机小分子单晶材料及其制备方法: 本发明公开了一种微米尺度有机小分子单晶材料的制备方法，该方法包括利用有机半导体材料在介电材料表面形成有机半导体纳米薄膜，并在无水无氧条件下将表面形成有有机半导体纳米薄膜的介电材料进行退火，使所述纳米薄膜转化为有机单晶纳米...; 江潮金桥李德兴祁琼; 文献传递

高性能有机薄膜晶体管(OTFT)制备及其导电机制被引量：2: 2009年; 详细介绍了在SiO2和高kHfO2介质层上制备并五苯薄膜晶体管方面的研究,特别是利用原子力显微技术(AFM)和静电力显微技术(EFM)研究了并五苯分子初始生长模式,揭示了衬底形貌、表面化学性能(包括化学清洗和聚合物层修饰)对有机半导体成膜结构和薄膜场效应晶体管性能之间的关联,包括晶体管迁移率、开关比和阈值电压等;针对并五苯初始生长成核模式的差异,分析了不同岛(畴)间畴边界对载流子在有机薄膜内输运的影响,有助于理解有机半导体薄膜导电机理。通过优化和控制介电层和有机半导体薄膜层的界面化学性质,在SiO2介质层上成功制备出迁移率为1.0cm2/V.s、开关电流比达到106的OTFT器件;在高kHfO2介质层上获得的OTFT器件的工作电压在-5V以下,开关电流比达到105,载流子迁移率为0.6cm2/V.s;器件性能指标已经达到目前国际上文献报道的最好水平。; 江潮于爱芳祁琼; 关键词：有机薄膜晶体管并五苯导电机制

直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法: 一种直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法，包括：在衬底层上制备栅电极；在栅电极上制备SiO2介电层；在SiO2介电层上制备并五苯薄膜；和在并五...; 祁琼江潮余爱芳; 文献传递

一种有机小分子单晶材料的表征方法及其应用: 本发明提供了一种有机小分子单晶材料的表征方法及其应用，该方法包括1）利用介电材料和有机半导体材料依次在载网上形成介电层和有机半导体纳米薄膜，所述有机半导体纳米薄膜的厚度为0.8-8nm；2）在无水无氧条件下将步骤1）获得...; 金桥江潮祁琼李德兴; 文献传递

并五苯薄膜场效应晶体管输运性质与晶粒尺寸关联和影响: 有机薄膜晶体管中薄膜的结构和形态与器件性能之间的关联一直是有机电子学领域中人们关注的研究热点。我们应用不同表面能介质层真空生长了并五苯(Pentacene)薄膜,获得一系列初始层薄膜晶粒尺寸大小不同的并五苯薄膜晶体管,实...; 胡袁源祁琼江潮

直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法: 一种直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法，包括：在衬底层上制备栅电极；在栅电极上制备SiO2介电层；在SiO2介电层上制备并五苯薄膜；和在并五...; 祁琼江潮余爱芳; 文献传递

一种有机小分子单晶材料的表征方法及其应用: 本发明提供了一种有机小分子单晶材料的表征方法及其应用，该方法包括1）利用介电材料和有机半导体材料依次在载网上形成介电层和有机半导体纳米薄膜，所述有机半导体纳米薄膜的厚度为0.8‑8nm；2）在无水无氧条件下将步骤1）获得...; 金桥江潮祁琼李德兴; 文献传递

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祁琼