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余爱芳

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:国家纳米科学中心更多>>

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇真空蒸镀
  • 2篇水溶液
  • 2篇膜厚
  • 2篇晶体管
  • 2篇氨水
  • 2篇氨水溶液
  • 2篇薄膜厚度
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 2篇SUB
  • 2篇并五苯

机构

  • 2篇国家纳米科学...

作者

  • 2篇江潮
  • 2篇祁琼
  • 2篇余爱芳

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
直接在SiO<Sub>2</Sub>介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法
一种直接在SiO<Sub>2</Sub>介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法,包括:在衬底层上制备栅电极;在栅电极上制备SiO<Sub>2</Sub>介电层;在SiO<Sub>2</Sub>介电层上制备并五苯薄膜;和在并五...
祁琼江潮余爱芳
文献传递
直接在SiO<Sub>2</Sub>介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法
一种直接在SiO<Sub>2</Sub>介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法,包括:在衬底层上制备栅电极;在栅电极上制备SiO<Sub>2</Sub>介电层;在SiO<Sub>2</Sub>介电层上制备并五苯薄膜;和在并五...
祁琼江潮余爱芳
文献传递
共1页<1>
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