苏辉
- 作品数：6 被引量：20H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法
- 一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，得到GaN基GaN/InGaN量子阱红光LED结构材料，其中量子阱中In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N...
- 张荣谢自力刘斌李毅苏辉傅德颐修向前华雪梅赵红陈鹏韩平施毅郑有炓
- 文献传递
- 琥珀色InGaN基多量子阱的制备及其性能表征
- 通过MOCVD系统在c面蓝宝石衬底上生长了5个周期的琥珀色InGaN/GaN多量子阱。应用高分辨x射线衍射仪、原子力显微镜、PL谱研究了InGaN/GaN多量子阱样品的结构和光学特性。(002)面高精x射线衍射ω/2θ扫...
- 李毅张荣谢自力刘斌苏辉傅德颐赵红华雪梅韩平施毅郑有炓
- 关键词：金属有机化学气相沉积INGAN/GAN多量子阱琥珀色X射线衍射
- 文献传递
- InGaN/GaN多量子阱结构及白光LED研究
- Ⅲ族氮化物半导体由于其宽广连续可调直接带隙特点(0.7eV≤Eg≤6.2eV)，优越的物理、化学性质，是发展近红外-可见-紫外波段半导体光电子器件的优选材料。InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构是紫外-可见发光二极管...
- 苏辉
- 关键词：金属有机化学INGAN/GAN多量子阱光致发光
- 红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究
- 2011年
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光(PL)研究发现该量子阱发射可见的红橙光,峰位波长在610 nm附近。变温PL(15～300 K)进一步揭示量子阱在低温下有两个发光机制,对应的发射峰波长分别为538 nm和610 nm。由于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变,使得量子阱PL发光峰值随温度增加呈明显的"S"变化趋势。
- 苏辉张荣谢自力刘斌李毅傅德颐赵红华雪梅韩平施毅郑有炓
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱金属有机化学气相沉积原子力显微镜
- PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究被引量：20
- 2010年
- 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数。并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面形貌。结果表明,温度和射频功率是影响薄膜生长速率的主要因素,生长速率变化幅度可以达到230nm/min甚至更高。对于薄膜折射率和成分影响最大的是NH3流量,折射率变化范围可以达到2.7～1.86。分析得出受工艺参数调控的薄膜生长速率对薄膜的性质有重要影响。
- 陶涛苏辉谢自力张荣刘斌修向前李毅韩平施毅郑有炓
- 关键词：氮化硅薄膜生长速率折射率硅衬底
- 同质衬底和蓝宝石上生长的InGaN/GaN量子阱的发光特性
- 利用金属有机物化学淀积技术分别在不同的衬底上生长InGaN/GaN量子阱结构。衬底分别是蓝宝石(S1),MOCVD方法生长的GaN(S2)以及氢气相外延法生长在蓝宝石上的GaN(S3)。通过X射线衍射仪,光致发光谱仪等对...
- 苏辉张荣谢自力刘斌李毅傅德颐赵红华雪梅韩平施毅郑有炓
- 关键词：MOCVDPLXRDAFMINGAN/GAN多量子阱
- 文献传递
