赵有文
- 作品数：110 被引量：102H指数：7
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辐射物理及技术教育部重点实验室开放课题基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程金属学及工艺更多>>
- 砷化铟晶体合成生长装置及方法
- 本发明提供一种砷化铟晶体合成生长装置及方法，装置包括：旋转升级系统；石英合成生长管，设置于旋转升级系统上，用于提供真空环境，旋转升级系统用于控制石英合成生长管的旋转及升降；第一坩埚，设于石英合成生长管内部靠近旋转升级系统...
- 刘京明杨俊卢伟王凤华谢辉沈桂英赵有文
- 面向长距离通讯1550nm垂直腔面发射激光器的研究被引量：1
- 2020年
- 采用InP基衬底设计并制备了1550 nm垂直腔面发射激光器。采用混合镜面布拉格发射镜,其中顶部采用4.5对硅和二氧化硅的介电布拉格反射镜,同时采用隧道结的方式降低p层载流子吸收。制备出阈值电流在20 mA,室温直流下输出光功率为7μW,激射波长为1554 nm,激射谱半高宽为3 nm的垂直腔面发射激光器。
- 刘丽杰吴远大王玥王玥王亮亮安俊明
- 关键词：垂直腔面发射激光器INP基
- 磷化铟单晶片的抛光工艺
- 本发明提供一种磷化铟单晶片的抛光工艺。采用的化学抛光液由强氧化剂和酸性pH值调节剂组成，其中强氧化剂为过氧化氢，其浓度为100－150克/升，酸性pH值调节剂为乳酸(C<Sub>3</Sub>H<Sub>6</Sub>O...
- 董宏伟赵有文杨子祥焦景华
- 文献传递
- 提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究被引量：8
- 2003年
- 通过对高压液封直拉法单晶生长过程的热传输和影响熔体温度起伏的几个关键因素的分析,研究适合生长(100)晶向磷化铟单晶的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率,重复地生长出了整锭掺硫和掺铁的、直径为50mm和76mm的(100)磷化铟单晶。测试结果表明我们生长(100)磷化铟单晶的热场在生长过程中使晶锭保持较为平坦的固液界面,可稳定地获得具有低的缺陷密度和良好的电学均匀性的高质量磷化铟单晶材料。
- 赵有文段满龙孙文荣杨子祥焦景华赵建群曹慧梅吕旭如
- 关键词：磷化铟单晶孪晶固液界面半导体材料
- 掺铁浓度对半绝缘磷化铟的一些性质的影响(英文)
- 2002年
- 利用霍尔效应、电流 电压 (I V)、光致发光谱 (PL)和光电流谱 (PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质 .半绝缘InP的I V特性明显地依赖于掺铁的浓度 .掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响 .用PL和PC分别研究了掺铁半绝缘InP的禁带收缩现象和材料中的缺陷 .
- 赵有文罗以琳冯汉源C.D.Beling林兰英
- 关键词：磷化铟半绝缘
- 化合物InP、GaSb和InAs单晶材料的缺陷控制及高质量衬底制备
- 赵有文孙文荣段满龙董志远杨子祥王应利
- 文献传递
- 物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征被引量：4
- 2007年
- 利用物理气相传输法生长了直径40～50mm、厚约8～10mm的AlN多晶锭，最大晶粒尺寸为5mm,用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性．分析了不同温度下AlN晶体的导电特性，并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0．98eV的深能级缺陷．结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响．
- 董志远赵有文魏学成李晋闽
- 关键词：ALN
- 动态控制高温炉内压力的方法
- 本发明涉及新材料技术领域，特别是一种在高温升华法生长AlN体单晶的过程中，精确动态地控制高温炉内压力的方法。本方法的具体步骤为：在升温过程中，使压力电子控制器和微压压力变送器处于关闭状态，打开质量流量计并设定一定的流量。...
- 董志远赵有文杨俊段满龙
- 文献传递
- 化学配比条件下生长GaSb单晶的本征受主缺陷研究
- 白永彪赵有文沈桂英刘彤刘京明苏杰曹可慰
- 锑化镓晶片湿法腐蚀方法
- 本发明公开了一种锑化镓晶片湿法腐蚀方法，包括：将锑化镓晶片进行去蜡处理，减少颗粒和杂质的吸附；将去蜡后的锑化镓晶片置于腐蚀液中浸泡，去除锑化镓晶片表面残留颗粒和杂质；对腐蚀后的锑化镓晶片进行冲洗并干燥。该方法能够有效减少...
- 谢辉赵有文赵士强沈桂英刘京明王凤华
