杨俊
- 作品数:42 被引量:31H指数:3
- 供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信理学医药卫生轻工技术与工程更多>>
- 一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法
- 本公开提供一种控制砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的方法,包括:S1,将砷化铟晶体采用多线切割进行多片分离,得到砷化铟单晶片;S2,对砷化铟单晶片进行研磨;S3,采用化学机械抛光对S2所得的砷化铟单晶片进行平坦化处理;S...
- 刘丽杰赵有文王俊王应利杨俊卢伟卢超
- 磷扩散氧化锌单晶的性质(英文)
- 2008年
- 分别在550和800℃对CVT方法生长的非掺ZnO单晶进行闭管磷扩散.通过Hall测试、X射线光电子谱(XPS)、光致发光(PL)以及喇曼散射对扩散后的样品进行测试分析.发现扩散掺杂后的ZnO单晶仍显示n型导电性,自由电子浓度比非掺样品增高,在800℃扩散后尤为明显.PL测试结果表明,掺杂样品在420-550nm范围的可见光发射与缺陷有关.XPS测试表明:在550℃掺杂,P原子更易代替Zn位;在800℃扩散时,P未占据Zn位,而似乎占据了O位.最终在磷扩散后的ZnO单晶中形成了高浓度的浅施主缺陷,造成了自由电子的显著增加.
- 张瑞张璠赵有文董志远杨俊
- 关键词:扩散ZNO红磷
- 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法
- 本发明涉及新材料技术领域,特别是利用闭管式化学气相传输法生长氧化锌(ZnO)体单晶的过程中,生长出可控掺杂的氧化锌体单晶的方法。闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法是在封闭的石英管内,一端放置高纯ZnO粉作为源及少量的高...
- 董志远赵有文杨俊段满龙
- 文献传递
- 掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究被引量:2
- 2008年
- 采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃.与非掺ZnO单晶相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高.X射线光电子能谱(XPS)测量结果表明,掺入的Sb在ZnO单晶中可能占据了Zn位,或处于间隙位置,形成了施主.利用光致发光谱(PL)测量发现掺Sb后ZnO单晶发出蓝光,该蓝色荧光与浅施主有关.这些结果表明在高温生长条件下,掺Sb后ZnO单晶中产生了高浓度的施主缺陷,因而难以获得p型材料.
- 张瑞张璠赵有文董志远杨俊
- 关键词:ZNO单晶掺杂
- 一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法
- 本发明提供一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法,包括:将抛光后砷化铟晶片进行预处理,得到预处理后的抛光后砷化铟晶片;将预处理后的抛光后砷化铟晶片置于第一腐蚀液中腐蚀预设时间,得到经第一腐蚀液腐蚀后的抛光后砷化铟...
- 冯银红沈桂英赵有文杨俊谢辉刘京明
- 一种膜复合电化学碳捕集系统及方法
- 本发明公开了一种膜复合电化学碳捕集系统及方法,属于电化学领域,包括:基于电化学质子耦合电子转移(PCET)反应驱动溶液pH变化,利用MOF膜避免氧气影响的新型电化学CO<Sub>2</Sub>捕集纯。本发明可以实现低能耗...
- 王云鹏吴一凡刘涛谢和平徐婷婷杨泽洲江梁婧怡杨俊黄嘉懿桑彭秉
- 对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法
- 本公开提供一种对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法,该检验方法包括:S1,将砷化铟衬底置于柠檬酸溶液中进行第一次腐蚀,再用去离子水冲洗;其中,砷化铟衬底表面形成有自然氧化层;S2,将S1所得的砷化铟衬底...
- 刘丽杰赵有文王俊王应利杨俊卢伟刘京明卢超谢辉
- 含氨基羧酸酰胺结构的丙泊酚酯类衍生物、制备方法及其用途
- 含氨基羧酸酰胺结构的丙泊酚酯类衍生物、制备方法及其用途。所说衍生物的结构如式(Ⅰ),式中的M为H、NH<Sub>4</Sub>或药学中可以接受的碱金属元素或碱土金属元素,n=1~3,m=1~7,x=1/2~1。以2,6-...
- 郑虎翁玲玲刘进张文胜杨俊
- 文献传递
- PVT法生长AlN单晶的杂质和缺陷分析
- 我们用钨丝网加热物理气相传输法(PVT)制备了直径45-50毫米的氮化铝(AlN)晶体。通过湿法腐蚀,X-射线双晶衍射(XRD),电子能量色散X-射线荧光光谱(EDX)和红外吸收谱对大尺寸AlN单晶晶粒的完整性、杂质及缺...
- 董志远赵有文杨俊胡炜杰
- 关键词:湿法腐蚀单晶生长
- 文献传递
- 砷化铟晶体合成生长装置及方法
- 本发明提供一种砷化铟晶体合成生长装置及方法,装置包括:旋转升级系统;石英合成生长管,设置于旋转升级系统上,用于提供真空环境,旋转升级系统用于控制石英合成生长管的旋转及升降;第一坩埚,设于石英合成生长管内部靠近旋转升级系统...
- 刘京明杨俊卢伟王凤华谢辉沈桂英赵有文