郎秀兰
- 作品数：17 被引量：30H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验被引量：4
- 2009年
- Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。
- 黄雒光董四华刘英坤郎秀兰
- 关键词：可靠性
- P波段350 W LDMOS功率管研制
- 由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LD...
- 郎秀兰段雪刘英坤邓建国胡顺欣刘忠山李明月潘茹黄雒光张晓帆
- 文献传递
- 提高抗辐照功率VDMOS栅可靠性技术研究
- 本文分析了当前主流半导体加工工艺中的离子注入、干法刻蚀和光刻胶灰化等工艺过程对抗辐照功率VDMOS栅氧化层产生损伤的机理,针对提高抗辐照功率VDMOS栅的可靠性进行了栅氧侧面钝化技术研究。通过对栅氧化层侧面钝化屏蔽离子注...
- 段雪刘英坤郎秀兰邓建国胡顺欣苏丽娟
- 关键词：VDMOS
- 文献传递
- 50～75MHz 1200W脉冲功率LDMOS器件的研制
- 2017年
- 分析了工作于甚高频(VHF)频段的千瓦级横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的输出功率、漏极效率及功率增益等关键参数在设计时应考虑的因素,在此基础上,采用0.8μm LDMOS工艺成功研制了一款工作于VHF频段的脉冲大功率硅LDMOS场效应晶体管(LDMOSFET)。设计了用于50~75 MHz频带的宽带匹配电路。研制的器件击穿电压为130 V。在工作电压为50 V,工作脉宽为1 ms,占空比为30%的工作条件下测试得到,器件的带内输出功率大于1 200 W,功率增益大于20 dB,漏极效率大于65%,抗驻波比大于10∶1。
- 张晓帆郎秀兰李亮李晓东
- 关键词：脉冲大功率千瓦级
- 亚微米自对准工艺被引量：1
- 1999年
- 介绍了一种新的亚微米发射极窗口刻蚀工艺。利用ＲＩＥ技术和边墙隔离技术，无须对位光刻，使发射极窗口精确地位于发射区中央。该工艺简单，具有良好的可操作性和重复性。
- 唐明浩朱石平张大立郎秀兰吕仲志王书明苏丽娟
- 关键词：光刻RIE半导体器件
- 400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管被引量：4
- 1998年
- 研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连续波输出２５０Ｗ，增益１０ｄＢ，漏极效率６０％．
- 刘英坤杨增敏郎秀兰王占利何玉樟吕仲志李勇周晓黎
- 关键词：功率器件场效应晶体管VDMOS
- 高频大功率VDMOS场效应晶体管被引量：3
- 2001年
- 采用Ｍｏ栅工艺技术和ｎ沟道增强型ＶＤＭＯＳ结构，研制出了在９５－１０５ＭＨｚ，脉宽Ｐｗ＝５０ｕｓ，占空．比ＤＦ＝５％的条件下，输出功率Ｐｏ≥６００Ｗ，共源结构输出功率达６００ Ｗ的高性能ＶＤＭＯＳＦＥＴ。
- 郎秀兰刘英坤王占利
- 关键词：场效应晶体管高频高功率VDMOSFET
- P波段900W脉冲功率LDMOS器件的研制被引量：2
- 2015年
- 设计并制作了一种50V窄脉冲工作的P波段大功率横向扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(LDMOSFET)。在P波段、工作电压50V、工作脉宽100μs和占空比10%的工作条件下,该器件的带内输出功率大于900 W,功率增益大于18dB,漏极效率大于50%,抗驻波失配比大于5∶1,表现出了良好的性能。
- 胡顺欣何先良王强栋梁东升李飞邓建国郎秀兰李亮
- 关键词：LDMOS硅P波段窄脉冲
- 50～75MHz550W脉冲功率LDMOSFET器件研制被引量：7
- 2014年
- 介绍了射频功率横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）器件的设计原理，分析了影响器件输出功率、增益、效率和可靠性的关键因素。报道了采用扩散通源结构实现源极到衬底的低阻导通，采用TiSi，／多晶硅复合栅结构降低栅电阻以及采用单层屏蔽栅场板结构和双层金属布线工艺成功研制出一种甚高频（VHF），大功率LDMOSFET器件。器件在工作频率50-75MHz、工作电压36V、工作脉宽10ms和占空比30％的工作条件下带内输出功率大于550W、功率增益大于20dB、漏极效率大于60％和抗驻波比大于5：1，表现出了良好的微波性能。器件经过高温反偏、高温存储和高低温循环等可靠性筛选，性能稳定，具备工程化实用能力。
- 邓建国张晓帆刘英坤胡顺欣孙艳玲郎秀兰
- 关键词：LDMOSFET长脉冲
- P波段1200W脉冲功率LDMOSFET研制被引量：1
- 2017年
- 基于自主开发的LDMOS工艺平台,研制了一款P波段大功率LDMOSFET器件,并设计了器件的外匹配电路。该器件工作电压50 V,在工作脉宽1 ms、占空比10%的工作条件下,在380~480 MHz带宽内实现宽带输出功率大于1200 W,功率增益大于18 d B,漏极效率大于50%,抗驻波能力大于5:1,表现出了良好的RF性能,实现了国产P波段LDMOS器件1200 W的突破。
- 张晓帆徐守利郎秀兰李晓东
- 关键词：P波段脉冲功率LDMOSFET内匹配
