张晓帆
- 作品数：12 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 50～75MHz 1200W脉冲功率LDMOS器件的研制
- 2017年
- 分析了工作于甚高频(VHF)频段的千瓦级横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的输出功率、漏极效率及功率增益等关键参数在设计时应考虑的因素,在此基础上,采用0.8μm LDMOS工艺成功研制了一款工作于VHF频段的脉冲大功率硅LDMOS场效应晶体管(LDMOSFET)。设计了用于50~75 MHz频带的宽带匹配电路。研制的器件击穿电压为130 V。在工作电压为50 V,工作脉宽为1 ms,占空比为30%的工作条件下测试得到,器件的带内输出功率大于1 200 W,功率增益大于20 dB,漏极效率大于65%,抗驻波比大于10∶1。
- 张晓帆郎秀兰李亮李晓东
- 关键词：脉冲大功率千瓦级
- P波段350 W LDMOS功率管研制
- 由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LD...
- 郎秀兰段雪刘英坤邓建国胡顺欣刘忠山李明月潘茹黄雒光张晓帆
- 文献传递
- 50～75MHz550W脉冲功率LDMOSFET器件研制被引量：7
- 2014年
- 介绍了射频功率横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）器件的设计原理，分析了影响器件输出功率、增益、效率和可靠性的关键因素。报道了采用扩散通源结构实现源极到衬底的低阻导通，采用TiSi，／多晶硅复合栅结构降低栅电阻以及采用单层屏蔽栅场板结构和双层金属布线工艺成功研制出一种甚高频（VHF），大功率LDMOSFET器件。器件在工作频率50-75MHz、工作电压36V、工作脉宽10ms和占空比30％的工作条件下带内输出功率大于550W、功率增益大于20dB、漏极效率大于60％和抗驻波比大于5：1，表现出了良好的微波性能。器件经过高温反偏、高温存储和高低温循环等可靠性筛选，性能稳定，具备工程化实用能力。
- 邓建国张晓帆刘英坤胡顺欣孙艳玲郎秀兰
- 关键词：LDMOSFET长脉冲
- UHF频段350 W超宽带小型化GaN功率放大器设计
- 2023年
- 采用50 V氮化镓(GaN)芯片,设计一款超高频(UHF)频段350 W超宽带小型化GaN功率放大器。基于砷化镓(GaAs)无源工艺,设计芯片化的输入集成无源器件(IPD)匹配电路;基于高热率的瓷片,设计集成的“L”型瓷片预输出匹配,以及基于高介电常数的印刷电路板(PCB)板材,设计外输出匹配电路,从而实现输出匹配电路的宽带小型化。采用混合集成工艺实现小型化高密度集成,功率放大器体积为25 mm×25 mm×7 mm。经测试,功率放大器在频带为0.3 GHz~0.7 GHz、电压为50 V、脉宽为100μs、占空比为10%、输入功率为15 W的工作条件下,实现了带内输出功率大于350 W、功率增益大于13.5 dB、功率附加效率大于50%的性能指标。
- 张晓帆银军倪涛余若祺高永辉林正兆
- 关键词：超宽带GAN小型化功率放大器UHF
- P波段1200W脉冲功率LDMOSFET研制被引量：2
- 2017年
- 基于自主开发的LDMOS工艺平台,研制了一款P波段大功率LDMOSFET器件,并设计了器件的外匹配电路。该器件工作电压50 V,在工作脉宽1 ms、占空比10%的工作条件下,在380~480 MHz带宽内实现宽带输出功率大于1200 W,功率增益大于18 d B,漏极效率大于50%,抗驻波能力大于5:1,表现出了良好的RF性能,实现了国产P波段LDMOS器件1200 W的突破。
- 张晓帆徐守利郎秀兰李晓东
- 关键词：P波段脉冲功率LDMOSFET内匹配
- 0.2~2.0GHz100W超宽带GaN功率放大器被引量：1
- 2024年
- 设计并实现了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的100 W超宽带功率放大器。基于SiC无源工艺设计了集成无源器件(IPD)输入预匹配电路芯片;设计了基于陶瓷基片的T型集成输出预匹配电路;基于建立的传输线变压器(TLT)的精确模型,设计了宽带阻抗变换器,在超宽频带内将50Ω的端口阻抗变换至约12.5Ω,再通过多节微带电路与预匹配后的GaN HEMT芯片实现阻抗匹配。最终,以较小的电路尺寸实现了功率放大器的超宽带性能指标。测试结果表明,功率放大器在0.2~2.0 GHz频带内,在漏极电压36 V、输入功率9 W、连续波的工作条件下,输出功率大于103 W,漏极效率大于50%,输入电压驻波比(VSWR)≤2.5。
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- 关键词：功率放大器超宽带
- VHF频段小型化千瓦级GaN功率放大器
- 2024年
- 为了满足VHF频段对高功率放大器小型化的需求,设计并制备了一款基于05μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的VHF频段小型化千瓦级功率放大器。通过采用多节微带电容网络和高介电常数的印制电路板(PCB)实现了末级功率放大器匹配电路的小型化;以高通滤波器作为级间匹配电路,在减小电路尺寸的同时,提高了链路增益;采用混合集成工艺,实现了电源调制器、前级驱动功率放大器和末级功率放大器等各单元的小型化高密度集成。测试结果表明,在024~030 GHz频带内,该功率放大器的工作电压为50 V,工作脉宽为100μs,在占空比10%、输入功率10 dBm的工作条件下,带内输出功率大于1000 W,功率附加效率约为60%~69%,功率增益大于50 dB,功放体积为46 mm×30 mm×6 mm。
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- 关键词：千瓦级小型化VHF频段
- P波段高效率CaN功率放大器内匹配技术研究
- 2023年
- 受波长限制,P波段GaN功率放大器一般采用外电路匹配的结构形式,无法满足装备小型化和轻量化的需求。为解决大波长功率器件的小型化、宽带宽和高效率难题,采用无源电感、电容、功分器等一体集成的GaAs无源电路匹配技术和高介电常数印制电路板(printed circuit board,PCB)与芯片电容的异构集成技术,大幅提高输入输出匹配电路的带宽与集成度,实现了50Ω端口阻抗匹配,解决了P波段放大器内匹配技术难题。所研制P波段GaN内匹配放大器集成封装于内腔尺寸为13.6 mm×13.6 mm的金属陶瓷管壳内,在0.38 GHz~0.70 GHz频带内、工作电压28 V、工作脉宽100μs、占空比10%的工作条件下,带内输出功率大于120 W,功率增益13.1~13.8 dB,附加效率为76%~82%的性能指标。
- 倪涛张晓帆银军李晶余若褀
- 关键词：内匹配
- 超宽带大功率放大器及发射器
- 本发明提供一种超宽带大功率放大器及发射器，其中功率放大器，包括：信号输入端，用于接收输入信号；输入匹配网络，一端与信号输入端连接，另一端与GaN功率放大芯片的栅极连接，用于对GaN功率放大芯片的栅极和信号输入端之间的阻抗...
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- P波段350W LDMOS功率管研制
- 由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LD...
- 郎秀兰张晓帆段雪刘英坤邓建国胡顺欣刘忠山李明月潘茹黄雒光
- 关键词：微波功率管寄生电容
- 文献传递
