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钟鸣

作品数:6 被引量:4H指数:1
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 2篇异质结
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇晶体管
  • 2篇负阻
  • 2篇负阻器件
  • 1篇等效电路
  • 1篇等效电路模型
  • 1篇电路模型
  • 1篇电阻
  • 1篇新型结构
  • 1篇栅结构
  • 1篇直流特性
  • 1篇隧穿
  • 1篇微波特性
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇共振隧穿二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇PHOTO
  • 1篇QUANTU...

机构

  • 6篇天津大学
  • 2篇天津工业大学
  • 1篇澳大利亚国立...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 6篇钟鸣
  • 5篇郭维廉
  • 5篇梁惠来
  • 5篇张世林
  • 3篇齐海涛
  • 3篇毛陆虹
  • 2篇牛萍娟
  • 2篇宋瑞良
  • 1篇周均铭
  • 1篇胡海洋
  • 1篇傅岚

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇2002年全...

年份

  • 3篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2002
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
Photo-Controlled MOBILE's
2004年
A novel optoelectronic functional circuit with heterojunction phototransistors (HPTs) and resonant tunneling diodes (RTDs) is described,which presents the function of both photocurrent switching and photo-current latching.These behaviors have been demonstrated by simulating experiments and circuit simulation.Furthermore,basing on photo-current latching behavior,various photo-controlled basis logic elements such as delayed flip-flop (DFF) can be designed and fabricated.
梁惠来郭维廉张世林牛萍娟钟鸣齐海涛
Comparison and Analysis of Two Microwave Equivalent-Circuit Models for Resonant Tunneling Diode
2004年
The distinction between two microwave equivalent-circuit models,quasi Esaki tunneling model (QETM) and quantum well injection transit model (QWITM),for the resonant tunneling diode (RTD) is discussed in details,and two groups of circuit parameters are extracted from experiment data by the least square fit method.Both theory analysis and the comparison of fit results demonstrate that QWITM is much more precise than QETM.In addition,the rationality of QWITM circuit's parameters confirms it too.On this basis,the resistive frequency is calculated,whose influence factors and improvement method are simply discussed as well.
钟鸣张世林郭维廉梁惠来毛陆虹
负阻异质结晶体管(NDRHBT)的模拟与实验研究
该论文围绕着“负阻异质结晶体管的研究”这一科研项目,对InGaP/GaAs体系和AlGaAs/GaAs体系超薄基区负阻HBT、InGaP/GaAs体系双基区负阻HBT进行了模拟研究和实验研究。 首先在理论上对这...
钟鸣
关键词:负阻器件
文献传递
共振隧穿二极管(RTD)的特性参数分析
本文对共振隧穿二极管(RTD)的直流特性进行了测量.建立了RTD的高频小信号的两种等效电路模型.利用网络分析仪测量了RTD的S参数,并用Origin软件进行拟合提取等效电路参数,比较了两种电路的拟合结果.
张世林钟鸣梁惠来郭维廉牛萍娟
关键词:共振隧穿二极管等效电路模型微波特性直流特性
文献传递
电阻栅结构负阻异质结双极晶体管被引量:4
2005年
设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管.研制出的器件IV特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释;最后对此器件的应用前景进行了预测.
郭维廉齐海涛张世林钟鸣梁惠来毛陆虹宋瑞良胡海洋
关键词:异质结双极晶体管负阻器件
一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管被引量:1
2005年
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其IV特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.
郭维廉齐海涛张世林钟鸣梁惠来毛陆虹宋瑞良周均铭王文新C.Jagadish傅岚
关键词:异质结双极晶体管
共1页<1>
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