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陈长清

作品数：5 被引量：10H指数：2
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇光电
  • 3篇探测器
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 1篇电器件
  • 1篇电阻
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列设计
  • 1篇三极管
  • 1篇双极型
  • 1篇奇异性
  • 1篇物理模型
  • 1篇响应速度
  • 1篇接触电阻
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光LED
  • 1篇光电器件
  • 1篇光电三极管
  • 1篇光电探测器件
  • 1篇光致

机构

  • 5篇武汉大学

作者

  • 5篇陈长清
  • 4篇陈炳若
  • 3篇何民才
  • 3篇辛火平
  • 1篇黄启俊
  • 1篇裴风丽

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇电子学报
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
基于峰域工作点的间接耦合光电探测器被引量：1
1996年
本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状况，当器件工作于峰域时，不仅能加快响应速度而且产生新的内部增益，充分展示出这是一个极有价值的区域。文中针对实验结果进行讨论，得出交流耦合系数大于１（具有内部增益）的分析结果。
何民才陈长清郭缨刘志伟
关键词：光电探测器半导体光电器件
光致负阻双极型光电三极管2×8阵列设计
1995年
探讨并分析具有光致负阻特性的双极型硅光电三极管阵列中各单元器件设置偏流隔离电阻的必要性。给出了２×８阵列整体设计的初步方案及试验结果。
陈炳若陈长清黄启俊辛火平
关键词：光电三极管阵列
一种间接耦合光电探测器件响应速度的奇异性被引量：1
1995年
我们在一种间接耦合光电探测器中发现的光致负阻呈“N”型”(图1),它实质上是一种三端电压控制型负阻。
陈长清何民才辛火平陈炳若刘志伟
关键词：光电探测器响应速度奇异性
GaN蓝光LED电极接触电阻的优化被引量：2
2006年
通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响。研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响。结果表明,用KOH清洗p-GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au与p-GaN的接触电阻。讨论了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对P电极接触电阻的影响,当退火温度从570℃升到620℃时接触电阻升高。研究了氮气氛下不同退火温度和时间对LED电极接触的影响,发现在480℃下连续退火对N接触有利,但却使P接触变差,而450℃、10 min的氮气氛退火能同时得到较好P接触和N接触。
裴风丽陈炳若陈长清
关键词：GAN基蓝光LED接触电阻RTA表面处理
间接耦合光电探测结构光致负阻效应的物理模型被引量：7
1994年
系统地报道和探讨了在研究间接耦合光电探测结构光致负阻特性中所发现的一系列实验现象．在对这些实验现象综合分析的基础之上，提出了一种由一横向ＰＮＰＮ四重结构与一纵向ＮＰＮ管相互作用所产生的负阻效应的新模型．利用负阻峰域载流子特殊的输运机制，设计和研制出了上升、下降时间均为２ｎｓ左右，内部电流增益大于３０倍的硅光电探测单元器件．
陈长清何民才辛火平陈炳若
关键词：光电探测器件
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共1页<1>
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