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裴风丽

作品数：2 被引量：5H指数：2
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇电阻
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇迁移率
  • 1篇铝镓氮
  • 1篇接触电阻
  • 1篇晶体管
  • 1篇蓝光
  • 1篇蓝光LED
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇RTA
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN基蓝光
  • 1篇GAN基蓝光...
  • 1篇表面处理
  • 1篇触电

机构

  • 2篇武汉大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 2篇陈炳若
  • 2篇裴风丽
  • 1篇冯震
  • 1篇陈长清

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaN蓝光LED电极接触电阻的优化被引量：2
2006年
通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响。研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响。结果表明,用KOH清洗p-GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au与p-GaN的接触电阻。讨论了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对P电极接触电阻的影响,当退火温度从570℃升到620℃时接触电阻升高。研究了氮气氛下不同退火温度和时间对LED电极接触的影响,发现在480℃下连续退火对N接触有利,但却使P接触变差,而450℃、10 min的氮气氛退火能同时得到较好P接触和N接触。
裴风丽陈炳若陈长清
关键词：GAN基蓝光LED接触电阻RTA表面处理
AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展被引量：3
2007年
从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。
裴风丽冯震陈炳若
关键词：欧姆接触高电子迁移率晶体管
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