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韦德远

作品数:10 被引量:17H指数:3
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇发光
  • 6篇纳米硅
  • 4篇多层膜
  • 4篇纳米
  • 3篇发光特性
  • 2篇等离子体刻蚀
  • 2篇电致发光
  • 2篇电子器件
  • 2篇氧化硅
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子注入
  • 2篇势垒
  • 2篇退火
  • 2篇热退火
  • 2篇纳米电子
  • 2篇纳米光电子器...
  • 2篇刻蚀
  • 2篇快速热退火
  • 2篇光电
  • 2篇光电子

机构

  • 10篇南京大学

作者

  • 10篇韦德远
  • 9篇马忠元
  • 9篇徐骏
  • 8篇陈坤基
  • 7篇陈德媛
  • 7篇李伟
  • 6篇徐岭
  • 5篇刘宇
  • 5篇孙红程
  • 5篇韩培高
  • 4篇黄信凡
  • 3篇王涛
  • 2篇戴明
  • 2篇陈谷然
  • 1篇万能
  • 1篇万建国
  • 1篇周江
  • 1篇夏正月
  • 1篇宋凤麒
  • 1篇宋超

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇第一届全国纳...
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 5篇2008
  • 2篇2007
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纳米硅/二氧化硅多层膜的电致发光特性
随着微电子技术的发展,集成电路的器件尺寸不断减小,硅微电子工业已受到来自物理、技术和经济三个方面的限制和挑战。为克服器件物理和互连技术的限制,人们试图将信息载体由电子转换为光子,即实现硅基光电集成技术,以期大大提高器件的...
韦德远
关键词:纳米硅多层膜电致发光硅基发光材料二氧化硅
提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法
本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法,属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为:以聚苯乙烯小球为掩模,对硅衬底表面进行等离子体刻蚀;在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO<Sub...
徐骏陈德媛刘宇徐岭陈坤基李伟黄信凡马忠元韦德远孙红程戴明
文献传递
纳米Si/SiO_2多层膜的结构表征及发光特性被引量:6
2008年
采用等离子体化学气相沉积系统生长非晶硅薄膜并用原位等离子体氧化的方法制备出具有不同子层厚度的非晶Si/SiO2多层膜,然后利用限制性晶化原理使非晶硅层晶化生成纳米硅。利用Raman、TEM等手段对薄膜结构进行了系统表征,在室温下观测到了光致发光信号,其发光峰峰位在750nm附近。进而在样品上下表面蒸镀电极,构建了电致发光原型器件并观测到了室温下的电致发光谱,开启电压约为6V,有两个明显的发光带,分别位于在650nm和520nm处。初步探讨了纳米硅及纳米硅/二氧化硅界面态对发光特性的影响。
韦德远陈德媛韩培高马忠元徐骏陈坤基
关键词:纳米硅
激光晶化形成纳米硅材料的场电子发射性质研究被引量:4
2008年
利用KrF准分子激光退火超薄非晶硅膜,并结合热退火技术制备了单层纳米硅薄膜并研究了薄膜的场电子发射性质.在晶化形成的纳米硅薄膜中可以观测到稳定的场电子发射现象,其开启电场从原始淀积的非晶硅薄膜的17V/μm降低到8·5V/μm,而场发射电流密度可以达到0·1mA/cm2.激光晶化后形成的纳米硅材料的场电子发射特性的改善可以从薄膜表面形貌的改变以及高密度纳米硅的形成所导致的内部电场增强作用来解释.
周江韦德远徐骏李伟宋凤麒万建国徐岭马忠元
关键词:纳米硅场发射激光晶化
发光纳米硅/二氧化硅多层膜的特性与氢气氛退火的影响被引量:7
2007年
利用等离子体增强化学气相沉积法制备了氢化非晶硅/二氧化硅多层膜,通过两步热退火的方法获得了尺寸可控的纳米硅/二氧化硅多层结构,晶粒尺寸约为4nm,在室温下观察到了较强的光致可见发光,其发光峰位于750nm.在此基础上,发现合适的氢气氛退火能有效地提高材料的发光强度.电子顺磁共振实验表明氢气氛退火有效地降低了纳米硅中的非辐射复合中心而导致发光效率的提高.
夏正月韩培高韦德远陈德媛徐骏马忠元黄信凡陈坤基
关键词:光学性质
纳米Si/SiO2多层膜的结构表征及发光特性
硅基发光材料的研究近年来已成为光电子领域中的一个新的热点,它的核心问题是如何实现高效率的硅基发光器件,以便实现单片光电子集成。硅基超晶格与量子结构可以改变能带结构,从而可以通过能带“剪裁”来调控材料的发光特性。本文采用超...
韦德远陈德嫒韩培高马忠元徐骏李伟徐岭黄信凡陈坤基
文献传递
可控非对称掺杂势垒纳米硅基发光器件及其制备方法
本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法,属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层;在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退...
韦德远徐骏王涛陈德媛韩培高孙红程刘宇陈谷然陈坤基马忠元李伟徐岭
文献传递
提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法
本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法,属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为:以聚苯乙烯小球为掩模,对硅衬底表面进行等离子体刻蚀;在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO<Sub...
徐骏陈德媛刘宇徐岭陈坤基李伟黄信凡马忠元韦德远孙红程戴明
文献传递
可控非对称掺杂势垒纳米硅基发光器件及其制备方法
本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法,属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层;在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退...
韦德远徐骏王涛陈德媛韩培高孙红程刘宇陈谷然陈坤基马忠元李伟徐岭
文献传递
纳米硅/二氧化硅多层膜中的电致发光研究
迄今,已有很多方法来获得包括多孔硅、纳米硅等在内的硅基发光材料,也有许多报道涉及到了硅基发光材料的发光机制。发光特性等方面的研究内容。本文报道了纳米硅/二氧化硅多层膜电致发光原型器件的构建与特性的研究结果,并研究了掺杂等...
徐骏李伟陈坤基王涛韦德远陈德媛刘宇孙红程万能宋超马忠元
关键词:二氧化硅纳米硅多层膜电致发光
文献传递
共1页<1>
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