颜永美
- 作品数：15 被引量：9H指数：2
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 光伏法研究硅单晶表面态真空敏感机理
- 2002年
- 根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理 ,提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型 ,解释了表面态敏感型的真空传感器的各有关观测结果 .因此可以确认 ,硅单晶表面态对真空敏感的实质原因就是由于构成大气主要成份的氮气和氧气两种元素的电子亲和势相对于硅元素 ,具有明显不同的且符号相反的差值 ,导致吸附于硅表面的 N2 、O2
- 颜永美孙宜阳丁小勇周海文
- 关键词：硅单晶
- N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的变温光伏测定研究被引量：1
- 1992年
- 本文报导了应用变温光伏方法无需制作特定样品结构而可以非破坏性地测定N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的研究。结合简并化影响的考虑,所得结果与有关报导一致。
- 颜永美杨锦赐
- 关键词：GAAS晶体表面势垒变温
- p-Si单晶低表面复合速度的获得
- 2001年
- 提出减低 p- Si单晶表面复合速度参数值的两个行而有效的方法 ,解释了其不同的作用机理 .实验表明 ,经 HF腐蚀处理过的 p- Si单晶 ,自然晾干的表面复合速度测算值比红外灯烘干的测算值低 1个量级以上 ;而对于同一 p- Si单晶 ,置于氮气氛围之中的测算值要比大气之中的测算值低
- 颜永美
- 关键词：半导体表面性质电学性能
- p型Si单晶表面态真空效应的光伏测定
- 1992年
- 本文报导了采用变温光伏方法对不同真空度下的p型硅单晶的表面态参数进行非破坏性的测算。发现在不同真空度下,其表面能级E_S(或表面势垒高度ψ_BP)和单位能量间隔的表面态密度D_S等参数以及常温温区下的光伏值可有明显的差异。
- 颜永美
- X衍射法分析CVD制备SnO_2多晶膜的构成及其对气敏特性的影响被引量：2
- 1995年
- 通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成份，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。
- 颜永美沈华蔡玉霜
- 关键词：二氧化锡CVD法
- 应用光伏方法研究半导体表面态真空敏感机理
- 颜永美
- lnP单晶特性的低温光伏研究被引量：1
- 1990年
- 本文应用等光强方法,在0.75μm至带边的波段内对无掺杂的n型InP单晶(n_0=2×10^(16)cm^(-3))分别测量了298K、77.4K、50K、20K、13.7K下的光伏谱。在微机上完成拟合计算,确定了各有关参数在上述各温度下的各自不同数值,得出它们各自随温度变化的大体规律。进而提出了双施主-深陷阱模型,计算了双施主的能级位置和密度,说明了n_0～T的依从关系,并应用此模型,半定量地讨论了材料的寿命行为,从而探讨了复合机理。对S_p～T关系也作了定性讨论。
- 颜永美
- 关键词：INP单晶半导体材料
- 掺金N型硅中静态电荷转移机制的统计研究
- 1999年
- 应用统计方法，研究了掺金Ｎ型硅中各杂质能级上的电荷密度及载流子浓度随温度的变化，探讨了系统的静态电荷转移机制，所得结果支持了硅中金受主能级与施主能级本属同一金杂质的两个能级的认识。
- 颜永美
- 关键词：硅掺杂
- 应用光伏方法估算硅单晶表面态俘获截面
- 2001年
- 提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon和σ-p 的新方法 .此法基于变温光伏测量 ,采用 (111) p型硅单晶 (NA =1.5× 10 16cm-3 )为实验样品 .由于表面势垒高度ΦBP =0 .5 75 6 V,表面复合速度 sn =4 .8× 10 3 cm . s-1以及表面态密度 Ds=6 .7× 10 11cm -2 . e V-1可由光伏方法测算 ,则表面态俘获截面σon ≈ 5× 10 -13 cm2 与σ-p ≈ 2× 10 -12 cm2 可通过应用Shockley- Read体复合理论于表面而被估算 .
- 丁小勇颜永美
- 关键词：硅单晶半导体
- Si等单晶表面态对吸附气体分子的电荷转移的光伏研究
- 颜永美
- 关键词：SI电荷转移
