周海文
- 作品数：11 被引量：27H指数：3
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 1MeV电子辐照对硅常规电池性能的影响被引量：2
- 1990年
- 本文研究p^+/n硅常规电池受1MeV电子辐照前、后性能参数的变化.实验数据与计算结果均表明,随着电子辐照强度的增加,电池的内部参数S_p/D_n逐渐增大,L_n和L_p逐渐变小,尤其是基区中L_p快速下降,这是导致电池性能衰退的主要原因.
- 吴荣华周海文
- 关键词：电子辐照
- 聚酰亚胺电容式湿敏元件的研制被引量：10
- 1997年
- 在硅基片上，采用集成电路工艺制作成有上下电极结构的以聚酰亚胺介质薄膜作为感湿膜的电容式湿度敏感元件，上电极有六种不同设计．对所研制的敏感元件进行感湿特性、温度特性、响应特性的测量，并分析讨论了测量结果．
- 周海文吴孙桃杨松鹤吴荣华陈议明
- 关键词：聚酰亚胺电容式湿敏元件硅基片
- 高阶Hankel变换的离散Parseval定理和抽样定理被引量：1
- 1998年
- 从理论上给出了高阶Ｈａｎｋｅｌ变换的离散Ｐａｒｓｅｖａｌ定理和抽样定理的表达式，从而为把准离散Ｈａｎｋｅｌ变换扩展到高阶情形打下了基础。
- 周海文余力陈谋智黄美纯朱梓忠
- 关键词：HANKEL变换抽样定理光学电磁学
- 一种新型温湿敏集成传感器研制
- 1998年
- 研制成由硅温敏二极管和聚酸亚胺湿敏电容集成的温湿度传感器。介绍了它的工作原理、结构设计、制作工艺、测试结果以及为提高它的性能所作的一些研究。
- 吴孙桃周海文杨松鹤吴荣华陈议明
- 关键词：湿敏集成传感器
- SnO_2/Si特性的研究被引量：1
- 1997年
- 在不同温度下，由ＣＶＤ法，在（１１１）和（１００）单晶硅上淀积ＳｎＯ２，测量了它们的光电压谱和相应的气敏特性，推导了光电压的计算公式。
- 吴瑞忠吴孙桃周海文
- 关键词：单晶硅二氧化锡
- 半导体材料特性和参数研究被引量：3
- 2001年
- 提出超晶格 (Al As/ Ga As)和应变超晶格 (Gex Si1-x/ Si,Inx Ga1-x As/ Ga As)光伏效应的机理 ,测量了不同温度下的光伏谱 ,光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰 .计算了导带和价带子带的位置和带宽 ,根据宇称守恒确定光跃迁选择定则 ,对跃迁峰进行指认 .研究了光伏随温度变化、激子谱峰半高宽随温度和阱宽的变化 ,讨论谱峰展宽机制中的声子关联 ,混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响 .测量了元素和化合物半导体单晶材料的室温、低温下的表面光电压谱 ,推导了有关计算公式 ,计算得出电学参数 (L、n0 、μ、S、W)、深能级和表面能级位置、带隙和化合物组分 ;分析了电学参数的温度关系 ;由双能级复合理论 ,研究了少子扩散长度与深能级关系 ,计算了深能级浓度和参数 .在不同条件下研制了二氧化锡 /多孔硅 /硅 (Sn O2 / PS/ Si)和二氧化锡 /硅 (Sn O2 / Si) ,测量了它们的光伏谱 ,分析表明它们存在着异质结 .当样品吸附还原性气体 (H2 、CO、液化石油气 )时 ,光电压有明显变化 ,因此可做为一种新的敏感元件 .分析了它们的吸附机理 。
- 沈顗华朱文章吴正云吴孙桃张声豪陈朝颜永美周海文陈议明刘士毅
- 关键词：光伏效应超晶格多孔硅应变超晶格电学性质二氧化锡
- 光伏法研究硅单晶表面态真空敏感机理
- 2002年
- 根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理 ,提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型 ,解释了表面态敏感型的真空传感器的各有关观测结果 .因此可以确认 ,硅单晶表面态对真空敏感的实质原因就是由于构成大气主要成份的氮气和氧气两种元素的电子亲和势相对于硅元素 ,具有明显不同的且符号相反的差值 ,导致吸附于硅表面的 N2 、O2
- 颜永美孙宜阳丁小勇周海文
- 关键词：硅单晶
- 多孔硅/硅带隙参数的研究被引量：1
- 1998年
- 测量了不同电腐蚀条件下制备的多孔硅／硅光伏谱，推导了带隙参数的计算公式．表面光伏谱测量计算值与光致发光的实验结果基本一致．
- 周海文吴孙桃王延华谢廷贵沈华
- 关键词：半导体多孔硅
- InP/GaAs低温键合的新方法被引量：6
- 2005年
- 通过对 InP/GaAs 异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合。界面电流 电压(I V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流 电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联。同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明 450℃样品的键合强度优于350℃样品。最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨。
- 谢生陈松岩何国荣周海文吴孙桃
- 关键词：低温键合磷化铟I-V特性键合强度
- 金刚石膜MSM紫外探测器光谱响应拟合分析被引量：3
- 2002年
- 应用 MSM结构光电探测器相对光谱响应的理论公式 ,得到金刚石膜 MSM紫外光电探测器相对光谱响应理论曲线 ,与实验曲线进行比较 ,发现两者吻合得很好。探测器光谱响应的截止波长都在 2 2 0～ 2 3 0 nm范围 ,紫外光与可见光的相对响应度相差一个数量级。根据 MSM结构光电探测器光谱响应曲线拟合出金刚石薄膜厚度、少子扩散长度等表征参数 ,探讨金刚石膜吸收层反射率、吸收系数、金刚石的晶粒大小及金属电极叉指指宽、指距等参数对金刚石膜 MSM光电探测器光谱响应和量子效率的影响。
- 程翔周海文陈朝
- 关键词：金刚石膜
