吴孙桃
- 作品数：60 被引量：261H指数：8
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 湿法腐蚀后硅表面形态微结构的研究
- 2003年
- 随着半导体工艺集成度的不断提高及微纳米技术的发展,半导体硅材料的湿法腐蚀及腐蚀后硅表面的平整度及洁净度对半导体器件的影响越来越重要,有关此方面的研究也日益受到重视。本文利用扫描隧道显微镜(STM)技术,研究了Si(111)在几种不同比例的NH_4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态及洁净度。表面的STM图像分析,表明在较高pH值的NH_4F-HCl溶液中腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小。
- 李静吴孙桃叶建辉S.F.Y.Li
- 关键词：湿法腐蚀微结构STM扫描隧道显微镜
- 图像特征的CNN提取方法及其应用被引量：7
- 2004年
- 图像特征的提取是视觉图像识别的重要方法之一,采用细胞神经网络(CNN)并行处理器进行图像特征的提取具有实时快速的优点。该文将介绍CNN并行处理器的基本工作原理及其实现图像特征处理的逻辑组合通用方法,并以图像的纹理分割与识别为例来说明CNN并行处理器应用于视觉图像识别的通用编程方法。
- 雷国伟吕迎阳纪安妮吴孙桃郭东辉
- 关键词：CNN并行处理器图像识别
- 集成电路反剥离光刻方法
- 集成电路反剥离光刻方法，涉及一种集成电路光刻方法，尤其是涉及一种采用改进的反剥离工艺的集成电路光刻方法。提供一种改进的集成电路反剥离光刻方法。其步骤为在硅片表面先后涂增粘剂层和反转光刻胶层后烘胶，烘胶后在硅片表面再次涂反...
- 钟灿林凡李静吴孙桃罗仲梓
- 文献传递
- 气体吸附对SnO_2／Si光电压的影响被引量：2
- 1996年
- 测量了ＳｎＯ２／Ｓｉ表面吸附Ｈ２、液化石油气等还原性气体前后光电压的变化；分析、讨论了ＳｎＯ２／Ｓｉ表面的吸附性和机理。
- 沈 华朱文章吴孙桃蔡玉霜
- 关键词：半导体材料异质结
- 氟化物溶液腐蚀后硅表面形态的STM与XPS研究被引量：2
- 2003年
- 利用扫描隧道显微技术(STM)和X 射线光电子能谱(XPS)技术,研究了Si(111)在几种不同比例的NH4F HCl溶液中被腐蚀后的表面形态及洁净度.通过分析表面的STM图像与XPS谱图,表明在较高pH值的NH4F HCl溶液中被腐蚀的Si(111)表面粗糙度较小,且表面洁净度及化学稳定性较好.
- 李静吴孙桃叶建辉LI S F Y
- 关键词：半导体工艺湿法腐蚀表面形态STM
- 聚酰亚胺电容式湿敏元件的研制被引量：10
- 1997年
- 在硅基片上，采用集成电路工艺制作成有上下电极结构的以聚酰亚胺介质薄膜作为感湿膜的电容式湿度敏感元件，上电极有六种不同设计．对所研制的敏感元件进行感湿特性、温度特性、响应特性的测量，并分析讨论了测量结果．
- 周海文吴孙桃杨松鹤吴荣华陈议明
- 关键词：聚酰亚胺电容式湿敏元件硅基片
- ZnO薄膜的制备和结构特性及应变被引量：4
- 2006年
- 在SiO2／Si衬底上面，利用射频磁控溅射方法，在不同的工艺条件下生长ZnO薄膜，然后进行热处理（600-1000℃退火）。研究了氩氧比和退火温度对薄膜结晶性能的影响。薄膜的表面结构和晶体特性通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）来进行表征．结果表明：所制备的薄膜为多晶纤锌矿结构，具有垂直于衬底的c轴（002）方向的择优取向性。热处理可使ZnO（002）衍射峰相对强度增强，半峰全宽（FWHM）变小，即退火使c轴生长的薄膜取向性增强。未经退火的ZnO薄膜存在张应力，经过热处理后应力发生改变，最后变成压应力，并且随着退火温度的升高，压应力逐渐增大。
- 邓雷磊吴孙桃李静
- 关键词：ZNO薄膜射频磁控溅射X射线衍射扫描电子显微镜
- 温敏二极管性能的优化研究被引量：1
- 1998年
- 从优化设计的需要出发，推导了温敏二极管灵敏度、线性度和串联电阻等电参数的理论公式．采用优化分析法，讨论了影响温敏二极管性能诸多因素的矛盾关系，提出温敏二极管的设计原则及解决相关矛盾的方法．理论分析得到实验结果的有力支持．
- 张声豪谢延贵吴孙桃
- 关键词：敏感元件
- 磁控溅射制备五氧化二钒薄膜的研究被引量：4
- 2005年
- 采用射频磁控溅射的方法,在不同条件下制备了氧化钒薄膜样品,分别在不同温度条件下做了退火处理,并对退火前后样品做了X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚焦显微镜测试与分析,旨在得出制备良好的V2O5 薄膜的条件。
- 李志栓吴孙桃李静郭东辉
- 关键词：射频磁控溅射氧化钒薄膜XRDXPS
- 悬空纳米间隔电极对的制备并应用于单分子电学性质测量被引量：1
- 2008年
- 将普通光刻技术和电化学技术相结合,在微芯片上制备得到了机械可控断裂结法(MCBJ)所需的悬空纳米间隔金属电极对,并分别用热氧化二氧化硅和聚酰亚胺(PI)作为牺牲层使得电极对悬空,明显提高了可控断裂的实验成功率,并延长了微芯片使用寿命。利用分子自组装和MCBJ方法成功构筑了金属/分子/金属结,并实施了对巯基苯胺(BDT)单分子的电学性质测量,得到了BDF的电导值和I-V特性曲线。
- 杨扬田景华罗仲梓吴孙桃田中群
- 关键词：分子电子学牺牲层微加工
