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骆最芬: 作品数：14 被引量：23H指数：3; 供职机构：贵州民族大学机械电子工程学院更多>>; 发文基金：贵州省科学技术基金国家自然科学基金贵州省优秀科技教育人才省长资金项目更多>>; 相关领域：理学电子电信文化科学更多>>

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Ca_2P_xSi_(1-x)能带结构及光学性质的第一性原理计算被引量：1: 2014年; 采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对不同P掺杂浓度正交相Ca2Si的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算,比较不同浓度P掺杂的几何结构、电子结构和光学性质。对不同P含量下Ca2PxSi1-x的几何结构比较研究得出:随着P浓度增加Ca2PxSi1-x的晶格常数a、c减小,b增加,体积减小;掺杂浓度对电子结构的影响主要体现在P掺杂Ca2Si使得费米面向导带偏移,且随着掺杂浓度的增加而更深入地嵌入导带中,费米面附近由Ca-d Si-p及P-p电子构成的导带和价带均向低能方向移动,带隙随着掺杂浓度的增大而增大;掺杂浓度对光学性质同样有较大的影响,Ca2PxSi1-x的静态介电函数、折射率随着P掺杂浓度的增加而增加,而反射谱随着P掺杂浓度的增加而减小。适当的P掺杂能够提高Ca2Si对光的吸收系数和折射率,降低光的反射,提高了Ca2Si的光电转换效率。; 岑伟富杨吟野范梦慧骆最芬; 关键词：电子结构光学性质第一性原理

药学专业大学物理课程现状分析及改革思路被引量：1: 2013年; 文章针对目前我校药学专业的大学物理课程存在教学内容缺少专业针对性和实用性的问题提出相应的改革思路,注重物理知识与医药专业知识的衔接,提高物理课程对药学专业的实用性。; 骆最芬; 关键词：药学专业大学物理课程改革

正交相Ca2Si1-x Px(0<x<0.5)光电特性的第一性原理计算: 采用基于第一性原理的赝势平面波方法，对不同P 掺杂浓度正交相Ca2Si 的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算，比较不同浓度P 掺杂的几何结构、电子结构和光学性质。对不同P 含量下CaPx Si1－x 的几何结构...; 岑伟富杨吟野韦应俭范梦慧骆最芬; 关键词：光学性质第一性原理

单斜BiScO3和BiCrO3的电子结构和光学性质的第一性原理比较研究被引量：1: 2017年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对单斜BiScO_3和BiCrO_3的电子结构和光学性质进行了比较研究.结果表明:BiScO_3为无磁绝缘体,带隙为直接带隙,BiCrO_3为间接带隙磁性半导体;BiScO_3和BiCrO_3都不吸收能量小于1.02 eV的光子,BiScO_3吸收可见光的能力强于BiCrO_3.; 骆最芬范梦慧黄金保岑伟富赵宇军; 关键词：第一性原理电子结构光学性质

BiTiO_3电子结构及光学性质的第一性原理研究被引量：2: 2015年; 采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对Bi Ti O3的多种结构进行了计算.计算结果表明,C1C1结构最为稳定,对应晶格参数为a=b=5.606,c=9.954;α=β=105.1°,γ=61.2°.进一步对C1C1结构的Bi Ti O3的能带结构、电子性质和光学性质进行了研究,发现Bi Ti O3是间接带隙半导体,其费米面附近的能带主要由Ti-3d和O-2p层的电子态构成.通过介电函数、复折射率和反射率等的研究,发现Bi Ti O3的光学性质为近各向同性.; 骆最芬岑伟富范梦慧汤家俊赵宇军; 关键词：电子结构光学性质第一性原理

BiTiO_3和BiVO_3稳定性的第一性原理研究被引量：1: 2013年; 本文采用密度泛函理论中的广义梯度近似和赝势平面波方法对BiTiO3和BiVO3的稳定性进行了第一性原理计算和相图研究,预测他们在热力学平衡条件下的稳定性。结果表明,这两种物质都很难在热力学平衡条件下稳定。因此,合成这两种物质时,应该考虑热力学平衡之外的其他方法。; 骆最芬陈星源汤家俊林诗源范梦慧赵宇军; 关键词：稳定性第一性原理相图热力学平衡

外压调制对Cr-Se共掺杂单层MoS2光电特性的影响: 2015年; 采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究了Cr-Se共掺杂单层MoS2未施应变和(0001)面施加应变的光电特性。计算结果表明:未施加应变体系属直接带隙半导体,张应变下体系的带隙值随应变增加而减小,压应变下带隙值随应变增加先增加后减小,在应变为-6%时转化为Γ-M间接带隙半导体,带隙值达到极大值1.595eV;介电函数和折射率随张应变的增加而增加,随压应变增加先减小后增大,在压应变为-6%时达到极小值3.627和1.905;光电导率和能量损失函数随张应变增加而减小,随压应变增加先增加后减小,应变分别为-5%和-2%时达到极大值2.588和9.428。可见,应变能更精细地调制Cr-Se共掺杂单层MoS2的光电特性。; 范梦慧蔡勋明岑伟富骆最芬闫万珺谢泉

模拟电子技术课程的一些教学体会: 2016年; 结合作者多年来对"模拟电子技术"课程的教学体会,根据教学过程中遇到的学时少、内容多等问题提出了相应的解决措施和办法,这对于探索适应学生现状的教学方法和提高该课程的教学质量都具有一定的现实意义.; 骆最芬; 关键词：模拟电子技术教学过程教学方法

单层MoS_(1.89)X_(0.11)电子结构及光学性质的第一性原理计算被引量：9: 2015年; 采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究未掺杂和分别掺杂非金属P、半导体Si及金属Al的单层Mo S2的电子结构和光学性质。计算结果表明:掺杂均转变为p型半导体且导带向低能方向显著偏移,带隙减小,掺P和Si由K点转变为Γ点直接带隙、掺Al形成K-Γ间接带隙半导体;通过态密度和布局分析得出:掺杂改变载流子的浓度及杂质原子与S-3p、Mo-4d形成的杂化轨道,对光学性质产生相应影响,其中掺Al对Mo S2的光学性质影响最为显著,可增大Mo S2的静态介电常数、折射率n0,降低能量损失。; 范梦慧蔡勋明岑伟富骆最芬谢泉; 关键词：电子结构光学性质第一性原理 MOS2

Tc-P共掺杂单层MoS_2光电特性的第一性原理计算被引量：1: 2015年; 采用第一性原理的贋势平面波方法,对比研究了未掺杂和掺杂过渡金属Tc、非金属P及Tc-P共掺杂的单层MoS2的电子结构和光学性质。计算结果表明:掺杂改变了费米面附近的电子结构,使得导带向低能方向偏移,并且带隙由K点转化为Γ点,形成Γ点的直接带隙半导体。掺杂P使带隙值变小,形成p型半导体;掺杂Tc使带隙变宽,形成n型半导体;Tc-P共掺杂,由于p型和n型半导体相互调制,使得单层MoS2转变为性能更优的本征半导体;掺杂使光跃迁强度减小,且向低能方向偏移。; 范梦慧谢泉岑伟富蔡勋明骆最芬郭笑天闫万珺; 关键词：光学性质第一性原理掺杂 MOS2